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EDA與制造相關(guān)文章

國內(nèi)首臺超大尺寸鈣鈦礦太陽能電池組件激光刻蝕設(shè)備發(fā)布

國內(nèi)首臺超大尺寸鈣鈦礦太陽能電池組件激光刻蝕設(shè)備發(fā)布

發(fā)表于：8/15/2024

消息稱SK海力士啟動(dòng)M16擴(kuò)產(chǎn)

消息稱SK海力士啟動(dòng)M16擴(kuò)產(chǎn),，目標(biāo)將公司內(nèi)存產(chǎn)能提升約18%

發(fā)表于：8/15/2024

北極雄芯宣布兩顆芯粒成功交付流片

8月14日消息,，北極雄芯(Polar Bear Tech)官方宣布,，歷經(jīng)近2年的設(shè)計(jì)開發(fā)，自主研發(fā)的啟明935系列芯粒(Chiplet)已經(jīng)成功交付流片,，而且一次性投出兩顆,，一是通用型HUB Chiplet“啟明935”，二是原生支持Transformer全系算子的AI Chiplet“大熊星座”,。

發(fā)表于：8/15/2024

英國監(jiān)管機(jī)構(gòu)啟動(dòng)對Synopsys以350億美元收購Ansys的交易調(diào)查

8月14日據(jù)外媒報(bào)道,，針對美國電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件供應(yīng)商Synopsys（新思科技）此前宣布以350億美元收購工程模擬和3D設(shè)計(jì)軟件公司Ansys的交易，英國競爭與市場管理局(CMA)日前已展開調(diào)查,。作為英國競爭監(jiān)管機(jī)構(gòu),，CMA正在考慮該交易是否會根據(jù)《2002年企業(yè)法》的合并條款造成相關(guān)合并的情況，即這筆擬議的交易是否會導(dǎo)致英國任何服務(wù)或商品市場的競爭大幅減少,。為了幫助評估,，CMA正在征求有關(guān)各方對此次擬議收購交易的意見。提交意見的最后日期將由英國反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)確認(rèn),。第一階段決定和啟動(dòng)合并調(diào)查的截止日期尚未得到反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)的確認(rèn),。

發(fā)表于：8/14/2024

SK海力士將轉(zhuǎn)向4F2結(jié)構(gòu)的3D DRAM

為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉(zhuǎn)向“4F2”結(jié)構(gòu)的3D DRAM

發(fā)表于：8/14/2024

SK海力士DDR5被曝漲價(jià)15~20%

8 月 13 日消息,，華爾街見聞報(bào)道稱,，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱,，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占,。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降,；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季,，預(yù)計(jì)價(jià)格會有所上漲。

發(fā)表于：8/14/2024

HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營收前四

8 月 13 日消息,，據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日報(bào)告,，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士,、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1,、3、4 位,，第二位則是英特爾,。

發(fā)表于：8/14/2024

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：8/13/2024

傳臺積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展,，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺灣發(fā)展,。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外,，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉,，高雄市府已超前部署,，鎖定A14（14埃米）制程，盤點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給,，作為臺積電堅(jiān)強(qiáng)后盾,。針對臺積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場傳言,。

發(fā)表于：8/13/2024

消息稱三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息,，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃,，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營,。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期,。在早前規(guī)劃中,，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工,，三期,、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備,，但擱置了二期建設(shè),。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布,。韓媒在報(bào)道中稱,，三星電子計(jì)劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：8/13/2024

美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣,，將帶來更進(jìn)一步合作,，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉,，美光將加碼在中國臺灣投資,，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會在中國臺灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心,。

發(fā)表于：8/13/2024

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍,，成本將大幅降低！

發(fā)表于：8/13/2024

夏普考慮將半導(dǎo)體和相機(jī)模組事業(yè)出售給鴻海

8 月 12 日消息,，夏普于 8 月 9 日宣布,，正在考慮在本財(cái)年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)和智能手機(jī)用相機(jī)模組業(yè)務(wù)出售給鴻海,。對于出售金額，夏普社長沖津雅浩稱由于談判剛剛開始,，更多細(xì)節(jié)目前不便透露。

發(fā)表于：8/13/2024

美國芯片法案簽署兩周年記

美國芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資,，創(chuàng)造115000個(gè)工作崗位,！

發(fā)表于：8/13/2024

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%

日本十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%！

發(fā)表于：8/13/2024