EDA與制造相關(guān)文章 泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0 為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0,。 發(fā)表于：8/2/2024 Alphawave發(fā)布業(yè)界首顆24Gbps 3nm UCIe半導(dǎo)體芯粒 8 月 1 日消息,，Alphawave Semi 公司最新研發(fā)出業(yè)界首款 3nm UCIe 芯粒（chiplet），為采用臺(tái)積電 CoWoS 封裝技術(shù)的系統(tǒng)級(jí)封裝（system-in-packages,，SiP）實(shí)現(xiàn) die-to-die 連接。 發(fā)表于：8/2/2024 中國(guó)成韓國(guó)半導(dǎo)體最大市場(chǎng) 8月1日消息,，2024年1至7月,，韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口額達(dá)到748億美元，約合人民幣5400億元,，超過美國(guó)成為韓國(guó)半導(dǎo)體最大的出口市場(chǎng),。 這一數(shù)據(jù)顯示了中國(guó)在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的重要地位，以及韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭,。 韓國(guó)7月份的出口額同比增長(zhǎng)13.9%,，達(dá)到574.9億美元，連續(xù)10個(gè)月實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng),。 發(fā)表于：8/2/2024 一圖讀懂《工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件（2024版）》 一圖讀懂《工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件（2024版）》 發(fā)表于：8/2/2024 傳應(yīng)用材料申請(qǐng)美國(guó)芯片法案補(bǔ)貼被拒 據(jù)彭博社報(bào)道,，美國(guó)商務(wù)部已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月29日拒絕了美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料（Applied Materials）的芯片法案補(bǔ)貼申請(qǐng),，這或?qū)⒂绊憫?yīng)用材料在硅谷建研發(fā)中心的計(jì)劃。 發(fā)表于：8/1/2024 三星計(jì)劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品 8 月 1 日消息,，韓媒 Business Korea 昨日（7 月 31 日）報(bào)道,，在 2024 年第 2 季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，三星公司高管公布：“第五代 8 層 HBM3E 產(chǎn)品目前已交付客戶評(píng)估,，計(jì)劃 2024 年第 3 季度開始量產(chǎn)”,。 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱美國(guó)8月將升級(jí)對(duì)華半導(dǎo)體限制 傳美國(guó)將升級(jí)對(duì)華半導(dǎo)體限制：120個(gè)中國(guó)實(shí)體將被禁，涉及晶圓廠,、設(shè)備商,、EDA廠商！ 發(fā)表于：8/1/2024 美國(guó)推遲對(duì)中國(guó)電動(dòng)汽車等產(chǎn)品加征關(guān)稅 8 月 1 日消息,，美國(guó)計(jì)劃對(duì)中國(guó)進(jìn)口電動(dòng)汽車征收 100% 關(guān)稅的政策不僅澆滅了極氪,、比亞迪等中國(guó)車企進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)的熱情，也給美國(guó)本土汽車制造商帶來了不小的麻煩,，原本計(jì)劃于 2025 年和 2026 年進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)的別克 Electra E5 和 E4 車型因關(guān)稅問題被迫擱置,。 發(fā)表于：8/1/2024 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù) 美光宣布量產(chǎn)第九代TLC NAND閃存技術(shù)：寫入速度比競(jìng)品快99%！ 發(fā)表于：8/1/2024 二季度開始Intel每月為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 Intel從二季度開始,，每月可為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可 7 月 31 日消息,，韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可,，對(duì)平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響,。 三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，對(duì)應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段,。 然而直到現(xiàn)在,，三星電子并未對(duì) V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA（IT之家注：應(yīng)指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高,、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲(chǔ)需求的熱點(diǎn),。 明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對(duì)是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音,。 發(fā)表于：8/1/2024 消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒 消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒 發(fā)表于：8/1/2024 消息稱英特爾挖角臺(tái)積電工程師 消息稱英特爾挖角臺(tái)積電工程師，芯片代工競(jìng)爭(zhēng)加劇 發(fā)表于：7/31/2024 英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元 英特爾宣布將俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元,！ 發(fā)表于：7/31/2024 工信部發(fā)布2024新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法 工信部發(fā)布 2024 新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法,，8 月起實(shí)施 發(fā)表于：7/31/2024 ?…61626364656667686970…?
