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數(shù)字芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)分享：將ASIC IP核移植到FPGA上

　　本系列文章從數(shù)字芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目技術(shù)總監(jiān)的角度出發(fā)，介紹了如何將芯片的產(chǎn)品定義與設(shè)計(jì)和驗(yàn)證規(guī)劃進(jìn)行結(jié)合,，詳細(xì)講述了在FPGA上使用IP核來開發(fā)ASIC原型項(xiàng)目時(shí),，必須認(rèn)真考慮的一些問題。文章從介紹使用預(yù)先定制功能即IP核的必要性開始，通過闡述開發(fā)ASIC原型設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮到的IP核相關(guān)因素，用八個(gè)重要主題詳細(xì)分享了利用ASIC所用IP來在FPGA上開發(fā)原型驗(yàn)證系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)需要考量的因素。

發(fā)表于：8/12/2024

Rapidus計(jì)劃打造全自動(dòng)化的2nm晶圓廠

8月12日消息,，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本晶圓廠代工商 Rapidus 近日宣布,，計(jì)劃使用機(jī)器人和人工智能（AI）在日本北部打造全自動(dòng)的2nm制程生產(chǎn)線,。 2nm芯片原型制造將于明年開始，最快將在2027年開始量產(chǎn),。 Rapidus表示,，自動(dòng)化生產(chǎn)將加快生產(chǎn)時(shí)間，使交貨芯片時(shí)間只有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手1/3,，其晶圓廠預(yù)計(jì)10月完成外部結(jié)構(gòu)建置,，EUV光刻設(shè)備預(yù)計(jì)將于12月抵達(dá)。

發(fā)表于：8/12/2024

三星二季度晶圓代工業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)虧損3000億韓元

8月12日消息,，韓國(guó)媒體引用韓國(guó)市場(chǎng)人士的說法指出,，盡管在人工智能（AI）熱潮及智能手機(jī)市場(chǎng)復(fù)蘇的推動(dòng)下，隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的反彈,，三星2024年第二季的業(yè)績(jī)整體表現(xiàn)強(qiáng)勁,，但其仍在努力應(yīng)對(duì)晶圓代工業(yè)務(wù)的虧損。市場(chǎng)分析表示,，三星和臺(tái)積電之間的差距正在擴(kuò)大,。此外，如果三星未能及時(shí)提高尖端制程的代工制程的良率,，三星在獲得大型科技客戶方面遇到的困難,，可能會(huì)其導(dǎo)致市場(chǎng)份額進(jìn)一步下降。

發(fā)表于：8/12/2024

晶盛機(jī)電突破超薄晶圓加工技術(shù)

【晶盛機(jī)電突破超薄晶圓加工技術(shù),，實(shí)現(xiàn)12英寸30μm穩(wěn)定減薄加工】

發(fā)表于：8/12/2024

東京電子中國(guó)營(yíng)收占比升至50%

近日,，日本半導(dǎo)體設(shè)備大廠東京電子（TEL）公布了截至6月30日的2025財(cái)年第一財(cái)季（2024自然年二季度）財(cái)報(bào)，該季營(yíng)收達(dá)5550.71億日元,，同比大漲41.7%，高于分析師預(yù)期的5000億日元,，并打破2022年來連續(xù)幾年下降趨勢(shì),。營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)為1657.33億日元，同比暴漲101.1%,，也高于預(yù)期,；凈利潤(rùn)為1261.89億日元,，同比暴漲96.2%。

發(fā)表于：8/12/2024

英飛凌于馬來西亞啟用全球最大最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

? 馬來西亞總理,、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式,。 ? 新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 ? 強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為持續(xù)擴(kuò)建提供了支撐,。 ? 居林晶圓廠100%使用綠電并在運(yùn)營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措,。

發(fā)表于：8/9/2024

中芯國(guó)際高端手機(jī)芯片供應(yīng)被國(guó)產(chǎn)廠商買完

8月9日消息，中芯國(guó)際昨天送出了財(cái)報(bào),，二季度的銷售收入和毛利率皆好于此前的業(yè)績(jī)指引,，這也體現(xiàn)了半導(dǎo)體行業(yè)在復(fù)蘇的邏輯。第二季度中芯國(guó)際產(chǎn)能利用率有明顯提升,，月產(chǎn)能亦有增加,。按8英寸晶圓計(jì)，中芯國(guó)際產(chǎn)能利用率從2024年Q1的80.8%提升至Q2的85.2%,。同時(shí),，月產(chǎn)能由今年Q1的81.45萬片8英寸晶圓約當(dāng)量增加至Q2的83.7萬片8英寸晶圓約當(dāng)量。

發(fā)表于：8/9/2024

SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存

8 月 9 日消息,，根據(jù) SK 海力士當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日發(fā)布的新聞稿,，該企業(yè)在 FMS 2024 峰會(huì)上展示了系列存儲(chǔ)新品，其中就包括尚未正式發(fā)布規(guī)范的 USF 4.1 通用閃存,。

發(fā)表于：8/9/2024

惠普否認(rèn)將一半以上PC生產(chǎn)遷出中國(guó)引

8月8日消息,，今天惠普中國(guó)公開回應(yīng)稱，“將一半PC生產(chǎn)遷出中國(guó)”的消息不實(shí),。中國(guó)惠普方面對(duì)此傳聞回應(yīng)稱：“這是針對(duì)近期關(guān)于中國(guó)惠普運(yùn)營(yíng)情況的不實(shí)報(bào)道,，中國(guó)是惠普全球供應(yīng)鏈中不可或缺的關(guān)鍵一環(huán)，我們堅(jiān)定不移地致力于在中國(guó)的運(yùn)營(yíng)與發(fā)展,?！?

發(fā)表于：8/9/2024

英飛凌啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

8月8日上午，工業(yè)及汽車芯片大廠——英飛凌（Infineon）在馬來西亞正式啟用了其位于居林（Kulim）的新的碳化硅（SiC）晶圓廠的一期工程,，該晶圓廠將成為全球規(guī)模最大,、最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。 2023年8月,，英飛凌宣布將大幅擴(kuò)建位于馬來西亞的居林晶圓廠,，即在2022年2月宣布的原始投資基礎(chǔ)之上，在未來五年內(nèi),，英飛凌將再投入多達(dá)50億歐元進(jìn)行居林第三廠區(qū)（Module Three）的二期建設(shè),，打造全球最大的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠的第一階段將專注于碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，并包括氮化鎵（GaN）外延,。第二階段將創(chuàng)建世界上最大,、最高效的 200 毫米 SiC 功率晶圓廠。

發(fā)表于：8/9/2024

傳惠普計(jì)劃將50%以上PC生產(chǎn)遷出中國(guó)

8月7日消息,，據(jù)《日經(jīng)亞洲》援引消息人士的話稱,，全球第二大個(gè)人電腦（PC）廠商惠普（HP）正尋求將其一半以上的個(gè)人電腦生產(chǎn)轉(zhuǎn)移出中國(guó)，以降低地緣政治風(fēng)險(xiǎn),。據(jù)多位知情人士透露,，惠普正在與供應(yīng)商商談這一計(jì)劃，計(jì)劃在兩到三年內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),。對(duì)于各個(gè)供應(yīng)商來說,，需要為此做出的轉(zhuǎn)變規(guī)模，取決于他們負(fù)責(zé)組件的復(fù)雜程度,。

發(fā)表于：8/8/2024

曝三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年可能虧損數(shù)萬億韓元

8月7日消息,，據(jù)媒體報(bào)道，盡管全球半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇,，但根據(jù)韓國(guó)工業(yè)和證券部門預(yù)測(cè),，三星2024年晶圓代工業(yè)務(wù)可能遭受數(shù)萬億韓元的運(yùn)營(yíng)虧損。

發(fā)表于：8/8/2024

imec首次成功利用High NA EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)邏輯DRAM結(jié)構(gòu)圖案化

imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)邏輯,、DRAM 結(jié)構(gòu)圖案化

發(fā)表于：8/8/2024

海關(guān)總署：今年前7個(gè)月我國(guó)出口集成電路同比增長(zhǎng)25.8%

海關(guān)總署：今年前 7 個(gè)月我國(guó)出口集成電路同比增長(zhǎng) 25.8%,，汽車出口同比增長(zhǎng) 20.7%

發(fā)表于：8/8/2024

我國(guó)科學(xué)家開發(fā)出新型芯片絕緣材料人造藍(lán)寶石

8月8日消息，作為組成芯片的基本元件,，晶體管的尺寸隨著芯片縮小不斷接近物理極限,，其中發(fā)揮著絕緣作用的柵介質(zhì)材料十分關(guān)鍵。中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員狄增峰團(tuán)隊(duì)開發(fā)出面向二維集成電路的單晶氧化鋁柵介質(zhì)材料——人造藍(lán)寶石,。據(jù)悉,，傳統(tǒng)的氧化鋁材料通常呈現(xiàn)無序結(jié)構(gòu)，這種無序會(huì)導(dǎo)致其在極薄層面上的絕緣性能大幅下降,。而藍(lán)寶石的單晶結(jié)構(gòu)則為其帶來了更高的電子遷移率和更低的電流泄漏率,。義。

發(fā)表于：8/8/2024