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消息稱英偉達(dá)十月優(yōu)先供應(yīng)移動(dòng)顯卡

10 月 9 日消息，微信公眾號(hào) ChannelGate 視博合聚昨日稱，根據(jù)從 AIC 顯卡制造商處得到的消息,，英偉達(dá)本月針對(duì) RTX 4060 Ti 系列桌面端顯卡的 GPU 供應(yīng)砍單,，AIC 可分到的核心數(shù)量低于此前預(yù)估。注：RTX 4060 Ti 系列桌面端顯卡采用的是 AD106 GPU，該核心也被用于 RTX 4070 移動(dòng)端顯卡上。

發(fā)表于：10/10/2024

一圖讀懂《智能制造典型場(chǎng)景參考指引（2024年版）》

發(fā)表于：10/10/2024

喜訊,！華秋電子宣布完成新一輪3.1億元融資

近日,，深圳華秋電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：華秋電子）宣布完成C++輪股權(quán)融資,，金額3.1億元人民幣。本輪融資由鵬瑞產(chǎn)投和啟賦資本領(lǐng)投,，云沐資本及多家新老股東跟投,，云沐資本擔(dān)任長(zhǎng)期獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問。在當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)放緩,、市場(chǎng)需求下滑以及投資環(huán)境緊縮的背景下,，華秋電子能夠逆勢(shì)獲得資本青睞，充分證明了其在行業(yè)中的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)力和卓越的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì),。

發(fā)表于：10/10/2024

英特爾確認(rèn)ASML第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)完成安裝

在近日舉辦的SPIE大會(huì)上,，ASML新任CEO傅恪禮（Christophe Fouquet）發(fā)表了精彩的開幕/主題演講，重點(diǎn)介紹了High NA EUV光刻機(jī),。很明顯,，High NA EUV光刻機(jī)不太可能像最初的EUV光刻機(jī)那樣出現(xiàn)延遲。我們只能期待它相對(duì)快速地推出和采用,，因?yàn)镠igh NA EUV光刻機(jī)更像是EUV光刻機(jī)的“升級(jí)款”,，而不是一個(gè)全新的產(chǎn)品。傅恪禮談到了組裝掃描儀子組件的新方法,，即在客戶的現(xiàn)場(chǎng)組裝,，而不是在ASML組裝后拆卸并再次在客戶的現(xiàn)場(chǎng)組裝設(shè)備。這在處理相對(duì)簡(jiǎn)單的沉積和蝕刻工具以及類似的工具時(shí)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)結(jié)果,，但對(duì)于高復(fù)雜度的光刻設(shè)備來說則是另一回事,。但這將大大節(jié)省時(shí)間和成本。這將有助于加快High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)展,。

發(fā)表于：10/10/2024

我國(guó)自主國(guó)產(chǎn)自動(dòng)化制樣設(shè)備通過驗(yàn)收

切割精度0.05毫米,！我國(guó)自主國(guó)產(chǎn)自動(dòng)化制樣設(shè)備通過驗(yàn)收

發(fā)表于：10/9/2024

臺(tái)積電美國(guó)工廠開始試產(chǎn)5nm工藝節(jié)點(diǎn)

10月8日消息，據(jù)媒體報(bào)道,，有知情人士透露稱,，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的新工廠已經(jīng)開始試產(chǎn)5nm工藝節(jié)點(diǎn)，AMD成為了繼蘋果之后該工廠的第二大客戶,。臺(tái)積電位于亞利桑那州菲尼克斯附近的Fab 21工廠試產(chǎn)的5nm節(jié)點(diǎn),，包括N4/N4P/N4X和N5/N5P/N5X工藝。目前,，蘋果的A16 Bionic芯片正在使用N4P工藝進(jìn)行生產(chǎn),，這也是該工廠的一個(gè)重要測(cè)試，蘋果芯片的生產(chǎn)數(shù)量雖小,，卻意義重大,。目前尚不清楚AMD計(jì)劃在Fab 21生產(chǎn)哪些芯片，但據(jù)消息人士透露,，生產(chǎn)計(jì)劃正在規(guī)劃中,，預(yù)計(jì)將于明年開始流片和制造。 Fab 21的第一階段將專注于N4和N5技術(shù),，這可能意味著AMD的CDNA 3系列企業(yè)AI芯片,，如Instinct MI300系列加速器，可能會(huì)在Fab 21生產(chǎn),。

發(fā)表于：10/9/2024

AMD明年將在臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠生產(chǎn)芯片

繼蘋果之后,，AMD明年也將在臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠生產(chǎn)芯片

發(fā)表于：10/9/2024

8月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)531億美元

美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) (SIA) 10月5日宣布，2024年8月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到531億美元,，較2023年8月的440億美元增長(zhǎng)20.6%,，比2024年7月的513億美元增長(zhǎng)3.5%。半導(dǎo)體的月度銷售額由世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織 (WSTS)編制 ,，代表三個(gè)月的移動(dòng)平均值,。按收入計(jì)算，SIA代表了美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的99%,，占非美國(guó)芯片公司的近三分之二,。

發(fā)表于：10/8/2024

消息稱惠普計(jì)劃在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)裁員

10 月 6 日消息，據(jù)臺(tái)媒 digitimes 報(bào)道,，PC 供應(yīng)鏈傳出消息,，惠普在 10 月將分兩批次,，在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)進(jìn)行人力調(diào)整。報(bào)道稱,，此次的人力調(diào)整中,，研發(fā)單位裁員達(dá) 20～30 人，惠普副總裁高階主管也將變動(dòng),，是首次大規(guī)模針對(duì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)開刀,。惠普 8 月 28 日公布了截至 2024 年 7 月 31 日的 2024 財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報(bào)，實(shí)現(xiàn) 135 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 952.5 億元人民幣）凈收入,，較 2023 財(cái)年第三財(cái)季增長(zhǎng) 2.4%,，這也是惠普自 2022 財(cái)年第三財(cái)季以來首次錄得凈收入同比增長(zhǎng)。不過惠普在 2024 財(cái)年第三財(cái)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為 7%,，較上一財(cái)年同期下滑了 0.2 個(gè)百分點(diǎn),；此外惠普 2024 財(cái)年第三財(cái)季凈利潤(rùn)為 6 億美元（當(dāng)前約 42.33 億元人民幣），同比也減少了 16%,。

發(fā)表于：10/8/2024

我國(guó)在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破

據(jù)“九峰山實(shí)驗(yàn)室”官方消息,，2024年9月，該實(shí)驗(yàn)室在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破性進(jìn)展——成功點(diǎn)亮集成到硅基芯片內(nèi)部的激光光源,，這也是該項(xiàng)技術(shù)在國(guó)內(nèi)的首次成功實(shí)現(xiàn),。隨著人工智能大模型的開發(fā)和應(yīng)用，以及自動(dòng)駕駛等技術(shù)的發(fā)展,，對(duì)于芯片算力的需求持續(xù)提升,，但是半導(dǎo)體先進(jìn)制程工藝已經(jīng)越來越逼近物理極限，在單個(gè)芯片上增加晶體管密度這條路徑越來越難,，每一代制程的提升所能夠帶來的性能提升或功耗降低也越來越有限,，同時(shí)還帶來成本的急劇上升，這也意味著摩爾定律無法繼續(xù)發(fā)揮作用,。為此,，不少半導(dǎo)體廠商將目光轉(zhuǎn)向了先進(jìn)封裝技術(shù)，即通過將多個(gè)芯粒封裝在同一塊基板上,，以提升晶體管數(shù)量,，從而提高性能。

發(fā)表于：10/8/2024

ODM大廠緯創(chuàng)資通遭受網(wǎng)絡(luò)攻擊

10月6日消息,，據(jù)媒體報(bào)道,，緯創(chuàng)發(fā)布公告稱遭受網(wǎng)絡(luò)攻擊，網(wǎng)站皆已恢復(fù)正常運(yùn)作,，估計(jì)對(duì)運(yùn)營(yíng)尚無重大影響,。公告指出，該網(wǎng)絡(luò)攻擊事件發(fā)生于10月4日,，但公司已迅速響應(yīng),，立即激活了全面的防御機(jī)制,，目前所有網(wǎng)站系統(tǒng)均已全面恢復(fù)正常運(yùn)營(yíng)狀態(tài)。

發(fā)表于：10/8/2024

富士膠片宣布投資9.74億元開發(fā)2nm以下制程所需半導(dǎo)體材料

發(fā)表于：10/8/2024

歐盟宣布最高征收中國(guó)電動(dòng)汽車45%關(guān)稅

中國(guó)廠商拿下6.9%歐洲電動(dòng)汽車市場(chǎng),，歐盟宣布最高征收45%關(guān)稅,！

發(fā)表于：10/8/2024

俄羅斯計(jì)劃2030年實(shí)現(xiàn)70%半導(dǎo)體設(shè)備及材料的國(guó)產(chǎn)替代

投資25.4億美元，俄羅斯計(jì)劃2030年實(shí)現(xiàn)70%半導(dǎo)體設(shè)備及材料的國(guó)產(chǎn)替代

發(fā)表于：10/8/2024

三星3nm良率低下致非存儲(chǔ)半導(dǎo)體部門巨虧3.85億美元

三星3nm良率低下,，導(dǎo)致非存儲(chǔ)半導(dǎo)體部門巨虧3.85億美元

發(fā)表于：10/8/2024