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傳OpenAI攜手博通及臺積電打造自研AI芯片

10月30日消息,，據(jù)路透社獨(dú)家引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)稱，人工智能（AI）技術(shù)大廠OpenAI野心勃勃的晶圓代工廠建設(shè)計(jì)劃已經(jīng)暫時(shí)擱置,，目前正與博通（Broadcom）和臺積電合作打造自研AI芯片,，以支持自研AI大模型。此外,，OpenAI還在采購英偉達(dá)（NVIDIA ）,、AMD芯片，以滿足其高漲的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求,。

發(fā)表于：10/31/2024

傳臺積電已取消對英特爾的6折優(yōu)惠

10月30日消息,，據(jù)路透社29日引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)稱，原本在數(shù)年前臺積電與英特爾之間的關(guān)系良好,，當(dāng)時(shí)英特爾將部分芯片交由臺積電代工,，臺積電向英特爾提供了高達(dá)6折的折扣。但是,，隨著英特爾CEO帕特·基辛格上任后推出“IDM 2.0”戰(zhàn)略,，開始發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù)，這也使得臺積電取消了對英特爾的折扣優(yōu)惠。報(bào)道稱,，基辛格近年來忙于恢復(fù)英特爾的制造能力,，卻疏于維護(hù)與臺積電的關(guān)系。甚至是在2021年5月,，基辛格還公開表示：“你不會(huì)想把所有雞蛋全放在臺灣晶圓廠這個(gè)籃子里”,。同年12月，他在鼓吹政府投資美國芯片制造商時(shí),，還表示“臺灣不是一個(gè)穩(wěn)定之處”,。

發(fā)表于：10/31/2024

世芯電子宣布成功流片2nm測試芯片

10月30日消息，近日,，高性能 ASIC 設(shè)計(jì)服務(wù)廠商世芯電子（Alchip）發(fā)布新聞稿稱,，它已經(jīng)成功流片了一款 2nm 測試芯片，預(yù)計(jì)明年第一季度將公布結(jié)果,。目前,，世芯正在與客戶積極合作開發(fā)高性能 2nm ASIC。

發(fā)表于：10/31/2024

西門子接近達(dá)成收購工程軟件制造商Altair

發(fā)表于：10/31/2024

三星前員工涉嫌向韓國泄露國產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國警方逮捕

據(jù)多家媒體報(bào)道,，韓國駐華大使館于10月28日表示,，一名50歲韓國男子A某因涉嫌“向韓國泄露中國半導(dǎo)體信息”，被以“間諜罪”于去年12月被中國警方拘留,。這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來,，第一起根據(jù)該法逮捕韓國人的案件。報(bào)道稱,，A某現(xiàn)居安徽省合肥市,，在當(dāng)?shù)匾患野雽?dǎo)體公司工作，與妻子和兩個(gè)女兒一起生活,。 A某曾就職于三星電子半導(dǎo)體部門擔(dān)任離子注入技術(shù)員二十余年,，2016年開始移居中國，加入了中國最大的DRAM內(nèi)存芯片制造商CXMT,，當(dāng)時(shí)該公司首次招募了10 名韓國半導(dǎo)體專業(yè)人員,。隨后他在離開長鑫存儲后，又相繼在另外兩家中國半導(dǎo)體公司任職,。

發(fā)表于：10/31/2024

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

　　中國北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布,，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn),，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能,，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍,。

發(fā)表于：10/31/2024

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓,，突破技術(shù)極限并提高能效

【2024年10月29日, 德國慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后,，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑,。

發(fā)表于：10/30/2024

消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出

10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示,，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖,，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu),。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM,。

發(fā)表于：10/30/2024

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓

10月29日消息，據(jù)英飛凌官方消息,，近日,，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm,，僅有頭發(fā)絲的四分之一,，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示,，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后,，再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。

發(fā)表于：10/30/2024

商務(wù)部回應(yīng)歐盟對華電動(dòng)汽車反補(bǔ)貼調(diào)查終裁

10 月 30 日消息,，從商務(wù)部官網(wǎng)獲悉,，商務(wù)部新聞發(fā)言人就歐盟公布對華電動(dòng)汽車反補(bǔ)貼調(diào)查終裁結(jié)果答記者問。

發(fā)表于：10/30/2024

消息稱臺積電擬收購更多群創(chuàng)工廠擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝

據(jù)報(bào)道,，半導(dǎo)體設(shè)備公司的消息人士透露,，今年8月收購了群創(chuàng)在南科的5.5代LCD面板廠的臺積電，打算在其已收購的工廠附近收購更多的群創(chuàng)工廠,。

發(fā)表于：10/30/2024

國產(chǎn)廠商的光芯片布局解析

" 人工智能需求促使高速光模塊需求量劇增,，光芯片供應(yīng)小于需求，目前缺口較大,。" 光瓴時(shí)代（無錫）半導(dǎo)體有限公司（下稱 " 光瓴時(shí)代 "）創(chuàng)始人張杰向財(cái)聯(lián)社記者表示道,。隨著 AI 服務(wù)器對 800G、1.6T 等高速光模塊的需求增加,，光模塊的重要零組件光芯片陷入緊缺,。

發(fā)表于：10/29/2024

2024年全球晶圓廠設(shè)備收入將達(dá)1330億美元

近日，市場研究機(jī)構(gòu)Yole Group最新的報(bào)告顯示,，目前半導(dǎo)體行業(yè)正處于強(qiáng)勁的上升軌道上,，預(yù)計(jì)到 2024 年全球晶圓廠設(shè)備（WFE）收入將達(dá)到 1330 億美元，同比增長 19%。其中,，其中83%來自設(shè)備出貨,，17%來自服務(wù)和支持。但是不同設(shè)備細(xì)分市場的增長將有很大差異,。 Yole Group 分析師將2024年WFE市場的增長主要?dú)w因于市場對面向生成式AI的DRAM/HBM 和處理器的投資增長,，而 NAND Flash的資本支出仍然疲軟，傳統(tǒng)邏輯和專業(yè)市場的資本支出則面臨潛在風(fēng)險(xiǎn),。在這種不確定的環(huán)境中,，WFE 供應(yīng)商正在通過使其應(yīng)用組合多樣化來維持或提高其收入水平，從而應(yīng)對不均衡的資本支出,。

發(fā)表于：10/29/2024

算能科技回應(yīng)被臺積電停止供貨

10月27日消息,，據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息，當(dāng)美國商務(wù)部開始調(diào)查臺積電涉嫌向被禁企業(yè)提供芯片之時(shí),，臺積電于本月早些時(shí)候停止了向中國廈門算能科技（SOPHGO）供應(yīng)芯片,。不過該消息并未證實(shí)算能科技被臺積電停止供貨是否與臺積電被美國商務(wù)部調(diào)查一事有關(guān)。

發(fā)表于：10/28/2024

英特爾宣布擴(kuò)容成都封裝測試基地

英特爾宣布擴(kuò)容成都封裝測試基地,，增加服務(wù)器芯片服務(wù)

發(fā)表于：10/28/2024