EDA與制造相關(guān)文章 Yole報(bào)告指出2029年每車半導(dǎo)體含量將增至1000美元 汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增至970億美元,，電氣化和ADAS推動(dòng)增長(zhǎng)。OEM進(jìn)軍半導(dǎo)體市場(chǎng),，中國(guó)廠商興趣濃厚,。800V架構(gòu)流行，SiC器件適用,。ADAS采用加速,，SDV代表汽車設(shè)計(jì)范式轉(zhuǎn)變。 發(fā)表于：11/22/2024 消息稱三星電子將擴(kuò)大蘇州先進(jìn)封裝工廠產(chǎn)能 11 月 21 日消息,，據(jù) Business Korea 周二報(bào)道,，行業(yè)消息稱三星電子正在擴(kuò)大國(guó)內(nèi)外投資，以強(qiáng)化其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù),。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標(biāo)設(shè)備,，而對(duì)于 HBM4 等下一代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）產(chǎn)品，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升,。為此,，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距,。 發(fā)表于：11/22/2024 福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人 福特汽車宣布將在歐洲裁員4000人 發(fā)表于：11/22/2024 傳NAND Flash大廠鎧俠將于12月中旬上市 11月21日消息,，據(jù)日經(jīng)新聞、路透社等外媒報(bào)道,，日本NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）預(yù)計(jì)將在今年12月中旬在日本IPO上市,，市值預(yù)估為7,500億日元，將遠(yuǎn)低于原先設(shè)定的1.5萬億日元目標(biāo),。 發(fā)表于：11/22/2024 意法半導(dǎo)體宣布40nm MCU交由華虹代工 11月21日消息,，歐洲芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三在法國(guó)巴黎舉辦投資者日活動(dòng)，宣布了將與中國(guó)第二大晶圓代工廠合作,，在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU）,，以支持其中長(zhǎng)期的營(yíng)收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：11/21/2024 TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌 據(jù)TrendForce研報(bào)顯示,，第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期,，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱,，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢(shì),。 發(fā)表于：11/21/2024 SK海力士宣布量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存 11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特,，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存,。 據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%,，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上,。 發(fā)表于：11/21/2024 中國(guó)工業(yè)機(jī)器人密度已超越德國(guó)和日本 11 月 20 日消息，國(guó)際機(jī)器人聯(lián)合會(huì)（IFR）周三發(fā)布的年度報(bào)告顯示,，中國(guó)在工業(yè)機(jī)器人使用方面已超越德國(guó),。 發(fā)表于：11/21/2024 2025年臺(tái)積電將新建10座工廠以應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求 11月20日消息，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電（TSMC）正在著力擴(kuò)大其先進(jìn)封裝產(chǎn)能,，以應(yīng)對(duì)人工智能（AI）半導(dǎo)體的旺盛需求,。 據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃明年在全球范圍內(nèi)新建10家工廠,。新投資將重點(diǎn)放在2納米,、CoWoS等先進(jìn)工藝技術(shù)上。臺(tái)積電明年的資本支出（CAPEX）預(yù)計(jì)將達(dá)到340億至380億美元,。這不僅超過了市場(chǎng)預(yù)測(cè)的320億至 360 億美元,，而且有可能刷新公司歷史上的最高資本支出記錄——2022年的362.9億美元。 發(fā)表于：11/21/2024 美國(guó)芯片法案敲定向格羅方德提供15億美元補(bǔ)貼 美國(guó)拜登政府已敲定針對(duì)格羅方德（GlobalFoundries）的《芯片法案》激勵(lì)措施,，向該芯片制造商提供15億美元補(bǔ)貼,，以支持美國(guó)工廠，這是更廣泛的半導(dǎo)體推動(dòng)措施的一部分,。 發(fā)表于：11/21/2024 TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價(jià)格將下跌 TrendForce：需求展望疲弱,、庫存和供給上升，預(yù)計(jì) 2025 年 DRAM 價(jià)格將下跌 發(fā)表于：11/18/2024 全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國(guó) 全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國(guó),！新加坡上市,、印尼生產(chǎn) 發(fā)表于：11/17/2024 美國(guó)芯片法案最大一筆補(bǔ)助 臺(tái)積電66億美元補(bǔ)助到手 美國(guó)《芯片法》最大一筆補(bǔ)助，臺(tái)積電 66 億美元補(bǔ)助到手 發(fā)表于：11/17/2024 日本首臺(tái)ASML EUV光刻機(jī)下月進(jìn)駐Rapidus晶圓廠 11 月 15 日消息,，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日凌晨報(bào)道稱,，日本先進(jìn)半導(dǎo)體代工企業(yè) Rapidus 購入的第一臺(tái) ASML EUV 光刻機(jī)將于 2024 年 12 月中旬抵達(dá)北海道新千歲機(jī)場(chǎng),，這也將成為日本全國(guó)首臺(tái) EUV 光刻設(shè)備。 發(fā)表于：11/15/2024 消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合 11 月 14 日消息,，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,，三星電子、SK 海力士,、美光均對(duì)在下代 HBM4 內(nèi)存中采用無助焊劑鍵合（Fluxless Bonding）技術(shù)抱有興趣,，正在進(jìn)行技術(shù)準(zhǔn)備。 SK 海力士此前已宣布了 16 層堆疊 HBM3E,，而從整體來看 HBM 內(nèi)存將于 HBM4 開始正式轉(zhuǎn)向 16 層堆疊,。由于無凸塊的混合鍵合技術(shù)尚不成熟，傳統(tǒng)有凸塊方案預(yù)計(jì)仍將是 HBM4 16Hi 的主流鍵合技術(shù),。 更多的 DRAM Die 層數(shù)意味著 HBM4 16Hi 需要進(jìn)一步地壓縮層間間隙,，以保證整體堆棧高度維持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制內(nèi)。 發(fā)表于：11/15/2024 ?…35363738394041424344…?
