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EDA與制造相關(guān)文章

三星電子否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

1 月 22 日消息,，消息源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）發(fā)布博文,，報(bào)道稱三星電子否認(rèn)了關(guān)于重新設(shè)計(jì)其第五代 10nm 級 DRAM（1b DRAM）的報(bào)道。

發(fā)表于：1/23/2025

2025年三星晶圓代工投資規(guī)模減半

1月22日消息,，根據(jù)TrendForce的報(bào)道,，三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模,，設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元減少至5萬億韓元，這一削減幅度達(dá)到了50%,。

發(fā)表于：1/23/2025

意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries擱置75億歐元合資晶圓廠項(xiàng)目

1月22日消息,，據(jù)Eenews europe報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和GlobalFoundries已決定擱置共同投資75億歐元在法國Crolles建造一座合資FDSOI晶圓廠的計(jì)劃,。早在2022年7月,，意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries就宣布將在法國Crolles建立合資晶圓廠，隨后在2023年6月,，意法半導(dǎo)體與GlobalFoundries正式簽署了建設(shè)該合資晶圓廠的合作協(xié)議,。

發(fā)表于：1/23/2025

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產(chǎn)4月啟動

發(fā)表于：1/22/2025

傳三星和LG擬將部分家電產(chǎn)線從墨西哥轉(zhuǎn)向美國

據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)新聞（Korea Economic Daily）1月21日報(bào)導(dǎo),，韓國三星電子和LG電子（LG Electronics）正考慮將部分家電產(chǎn)線從墨西哥廠轉(zhuǎn)移至美國廠,。

發(fā)表于：1/22/2025

消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日報(bào)道稱,，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對其 12nm 級 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局,，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。據(jù)悉該新版 12nm 級 DRAM 工藝項(xiàng)目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡寫）,，專注改進(jìn)能效和散熱表現(xiàn),，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進(jìn)版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

發(fā)表于：1/22/2025

韓國系統(tǒng)半導(dǎo)體市占率今年將跌至2%

1月21日消息,，據(jù)Businesskorea報(bào)道,，韓國下一代智能半導(dǎo)體專案小組的研究報(bào)告顯示，韓國在全球系統(tǒng)半導(dǎo)體營收市占率將從2023年的2.3%,，下降至2025年的2%,，預(yù)計(jì)到2027年將進(jìn)一步下降到1.6%。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】西門子：數(shù)字化與新技術(shù)推動航空航天翅搏云霄

【編者按】2024 年是全球商業(yè)航空航天的銳進(jìn)之年,，美國 SpaceX “星艦”成功上演“筷子夾火箭”,、“Polaris Dawn”載著兩名宇航員走入太空真空，中國海南商業(yè)航天發(fā)射場首次成功試飛“長十二”,、“商業(yè)航天”被第一次寫進(jìn)政府報(bào)告……技術(shù)創(chuàng)新,、市場拓展和政策支持成為推動行業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵因素,。在2025年，商業(yè)航天領(lǐng)域是否如約快速發(fā)展,？數(shù)字化與新技術(shù)對航空航天有哪些影響,？日前，西門子數(shù)字化工業(yè)軟件航空航天及國防行業(yè)副總裁Todd Tuthill介紹了西門子對于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略,。

發(fā)表于：1/21/2025

消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年

1 月 21 日消息,，韓媒 MoneyToday 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，三星電子已將其 1c nm DRAM 內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從 2024 年底推遲至 2025 年 6 月,，而這一變化可能會影響到三星對 HBM4 內(nèi)存的規(guī)劃,。

發(fā)表于：1/21/2025

GlobalFoundries宣布5.5億美元建硅光芯片封測中心

近日，美國晶圓代工大廠GlobalFoundries 宣布,，它計(jì)劃在其位于美國紐約馬耳他的制造工廠內(nèi)建立一個(gè)基于硅光子技術(shù)的先進(jìn)封裝和芯片測試中心,。 GlobalFoundries表示，在美國商務(wù)部和紐約州的資助支持下,，這個(gè)史無前例的中心旨在使半導(dǎo)體能夠完全在美國陸上安全地制造,、加工、封裝和測試,，以滿足對格芯硅光子學(xué)和其他關(guān)鍵終端市場所需的基本芯片日益增長的需求,，包括人工智能、汽車,、航空航天和國防以及通信,。

發(fā)表于：1/21/2025

臺積電已經(jīng)拿到15億美元美國芯片法案補(bǔ)貼

1月21日消息，近日晶圓代工大廠臺積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭在接受美國媒體CNBC采訪時(shí)透露,，臺積電已于2024年四季度獲得了美國政府15億美元的補(bǔ)貼款,，并認(rèn)為新上臺的美國特朗普政府將繼續(xù)為臺積電在美投資計(jì)劃提供已經(jīng)敲定的補(bǔ)貼資金。

發(fā)表于：1/21/2025

我國2024年電子及通信設(shè)備制造業(yè)增加值實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長

1月20日消息,，在1月17日舉行的國務(wù)院新聞辦新聞發(fā)布會上,，國家統(tǒng)計(jì)局局長康義介紹，2024年我國各方面都在積極推動科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的深度融合,，大力推動產(chǎn)業(yè)的高端化,、智能化、綠色化轉(zhuǎn)型,，促進(jìn)科技的創(chuàng)造力向社會的生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化,，我國新質(zhì)生產(chǎn)力穩(wěn)步發(fā)展，為高質(zhì)量發(fā)展注入了源源不斷的新動能,。具體表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

發(fā)表于：1/21/2025

臺積電被曝2000億新臺幣加碼CoWoS封裝

駁斥砍單傳聞：臺積電被曝 2000 億新臺幣加碼 CoWoS 封裝,，迎戰(zhàn) AI 浪潮

發(fā)表于：1/21/2025

消息稱慧榮正開發(fā)4nm制程PCIe 6.0固態(tài)硬盤主控芯片

1 月 20 日消息，據(jù)悉慧榮正開發(fā) 4nm 先進(jìn)制程的 PCIe 6.0 固態(tài)硬盤主控芯片 SM8466,。

發(fā)表于：1/21/2025

歐洲1nm和光芯片試驗(yàn)線啟動

?1月20日消息,，近日,，歐洲四大頂尖研究機(jī)構(gòu)的負(fù)責(zé)人舉行會晤，啟動首批五條歐盟芯片法案試點(diǎn)生產(chǎn)線,。比利時(shí) imec 的 Luc Van den hove,、法國 CEA-Leti 的 François Jacq、德國 Fraunhofer-Gesellschaft 的 Albert Heuberger,、意大利 Consiglio Nazionale delle Ricerche 的 Stefano Fabris 和西班牙 ICFO 的 Valerio Pruneri 與新任歐盟委員會副主席 Henna Virkkunen 會面,。試驗(yàn)生產(chǎn)線旨在彌合研究創(chuàng)新與制造之間的差距，加強(qiáng) CMOS 的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng),。

發(fā)表于：1/21/2025