EDA與制造相關(guān)文章 群聯(lián)電子宣布攜手Lonestar打造月球首座數(shù)據(jù)中心 2月27日消息，今天群聯(lián)電子宣布,，將攜手Lonestar共同推動月球任務(wù)“Freedom Mission”,，并成功發(fā)射登月。 Freedom Mission采用由SpaceBilt提供,、并由3D打印的外殼,，結(jié)合群聯(lián)企業(yè)級Pascari SSD的極端環(huán)境耐用特性，打造適應(yīng)太空嚴峻環(huán)境的儲存解決方案,。 發(fā)表于：2/28/2025 消息稱SK海力士HBM4測試良率再創(chuàng)新高 2 月 27 日消息,，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發(fā)布博文，報道稱 SK海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內(nèi)存 HBM4 測試良率已達 70%,，為即將到來的量產(chǎn)階段奠定了堅實基礎(chǔ),，也預(yù)示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據(jù)有利地位。 發(fā)表于：2/27/2025 三星計劃到2030年實現(xiàn)1000層NAND 2 月 26 日消息,，三星電子 DS 部門 CTO 宋在赫（???）在上周于舊金山舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上發(fā)表主題演講,，并展示了其晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應(yīng)用等技術(shù),。據(jù)介紹,，這些技術(shù)將從 400 層的 NAND 閃存技術(shù)開始應(yīng)用，而且他還提到,，“鍵合技術(shù)可用于（在 NAND 區(qū)域）實現(xiàn) 1000 多層（堆疊）”,。 發(fā)表于：2/27/2025 美國擬施壓盟友升級對華芯片出口管制 2月26日消息，據(jù)國外媒體報道稱,，美國最近與日本和荷蘭會面,，討論限制兩國半導體設(shè)備制造商東京電子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麥（ASML）工程師對在華半導體設(shè)備提供維護服務(wù)，以擴大對中國獲取先進技術(shù)的限制,。 發(fā)表于：2/26/2025 美光宣布1γ DRAM內(nèi)存開始出貨 2 月 25 日消息,，美光科技剛剛宣布，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點,、第六代（注：即 10nm 級）DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品,。 發(fā)表于：2/26/2025 歐盟宣布向艾邁斯歐司朗提供2.27歐元補貼 2月25日消息，歐盟委員會依據(jù)《歐洲芯片法案》（European Chips Act）已批準一筆 2.27歐元的補貼資金,，以支持艾邁斯歐司朗在奧地利斥資14 億歐元建造半導體后端制造工廠,，該后端制造工廠也將向其他歐洲客戶開放。 發(fā)表于：2/26/2025 英特爾Panther Lake處理器今年初生產(chǎn)良率不到20%~30% 2 月 25 日消息，分析師郭明錤昨日深夜表示,，根據(jù)其進行的產(chǎn)業(yè)調(diào)查,，英特爾下代移動端處理器 Panther Lake 在 2025 年初的生產(chǎn)良率不到 20%~30%，英特爾要想實現(xiàn)今年下半年量產(chǎn) Panther Lake 的目標并非易事,。 發(fā)表于：2/25/2025 三星電子公布HBM4E內(nèi)存規(guī)劃 2 月 24 日消息,，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖,，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標： 發(fā)表于：2/25/2025 臺積電日本子公司第二晶圓廠調(diào)整為今年內(nèi)動工 2 月 24 日消息,，據(jù)日本熊本縣當?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當?shù)貢r間 21 日報道，臺積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動工建設(shè)時間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi),，不過該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計劃沒有發(fā)生改變,。 發(fā)表于：2/25/2025 英特爾首批兩臺ASML高數(shù)值孔徑光刻機已投產(chǎn) 2 月 25 日消息，英特爾公司于當?shù)貢r間周一宣布,，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺先進光刻機進行生產(chǎn),。早期數(shù)據(jù)顯示，這些新型光刻機的可靠性優(yōu)于舊款機型,。 發(fā)表于：2/25/2025 消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利 2 月 24 日消息,，隨著存儲行業(yè)的激烈競爭，推動 NAND 技術(shù)不斷進步,，一個令人驚訝的消息出現(xiàn)了： 據(jù)韓媒 ZDNet 今日報道,，三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始,。 報道稱,，三星計劃于 2025 年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND，該產(chǎn)品預(yù)計將具有約 420 至 430 層,。 報道還提到,，三星和 SK 海力士據(jù)說正在與長江存儲協(xié)商一項專利協(xié)議。 發(fā)表于：2/25/2025 三星電機已關(guān)停昆山工廠退出HDI業(yè)務(wù) 2 月 24 日消息,，據(jù)韓聯(lián)社,，三星電機今日發(fā)布的 2024 年審計報告顯示，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機有限公司清算工作,，正式退出高密度互連（HDI）智能手機主板業(yè)務(wù),。 國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)的記錄也證實了這一變化，顯示昆山三星電機有限公司的企業(yè)狀態(tài)在去年 10 月 24 日由存續(xù)變更為注銷,，注銷原因為決議解散,。 發(fā)表于：2/25/2025 合見工軟成功實現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝UCIe IP互連 2025年2月24日——中國數(shù)字EDA龍頭企業(yè)上海合見工業(yè)軟件集團有限公司（簡稱“合見工軟”）今日宣布，實現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝節(jié)點的UCIe IP互連技術(shù)驗證,，在采用臺積電N6和三星SF5工藝制造的UCIe測試芯片之間成功完成互操作性測試,，在Die-to-Die (D2D) 場景下支持高達24GT/s的數(shù)據(jù)傳輸，并進一步突破實現(xiàn)了Chip-to-Chip (C2C)互連應(yīng)用，達到16GT/s的穩(wěn)定數(shù)據(jù)互操作測試,。 發(fā)表于：2/25/2025 臺積電今年超70%先進封裝產(chǎn)能被英偉達包下 2月24日消息,，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道稱，近日業(yè)界傳出消息,，英偉達（NVIDIA）最新Blackwell構(gòu)架GPU芯片需求強勁,，已包下臺積電今年超過70%的CoWoS-L先進封裝產(chǎn)能，出貨量以每季環(huán)比增長20%以上逐季沖高,，助力臺積電營運熱轉(zhuǎn)。 發(fā)表于：2/24/2025 臺積電強調(diào)2nm制程將如期在下半年量產(chǎn) 2 月 23 日消息,，中國臺灣《經(jīng)濟日報》昨晚報道稱,，業(yè)界消息稱臺積電 2nm 制程月產(chǎn)今年底前有望達到 5 萬片，甚至有機會邁上 8 萬片,。 臺積電對此不予評論,，僅強調(diào) 2nm 制程技術(shù)進展良好，將如期在今年下半年量產(chǎn),。 發(fā)表于：2/24/2025 ?…11121314151617181920…?
