4 月 14 日消息，《韓聯(lián)社》當地時間昨日報道稱,，美光正在加速采購韓國半導體設備廠商韓美半導體（HANMI Semiconductor）所產 TC 鍵合設備，為 12Hi HBM3E 的擴展建立設備基礎,。
報道表示，美光去年對韓美半導體 TC 鍵合機的采購量約為 30~40 臺，而今年上半年的訂單規(guī)模就超過了這一水平。據悉另一家 TC 鍵合設備供應商日本新川 SHINKAWA 的機臺僅能滿足 8Hi 鍵合的需求,，唯有韓美半導體的產品能實現(xiàn) 12Hi 的 TC 鍵合。
▲ 韓美半導體的 HBM 內存 TC 鍵合設備
另一家韓媒 ChosunBiz 的報道指出,，美光有望到今年底將 HBM 內存的產量提升到每月 6 萬片晶圓,，這接近 HBM 領域龍頭 SK 海力士現(xiàn)有水平的一半,，有助于美光實現(xiàn) HBM 市占齊平整體 DRAM 內存的目標,。
此外,，美光計劃 2026 年在新加坡、日本廣島美國愛達荷州工廠制造 HBM,，美國紐約州工廠的 HBM 產線也將于 2027 年投運,。
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