EDA與制造-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

消息稱(chēng)SK海力士計(jì)劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報(bào)道稱(chēng)，SK海力士計(jì)劃今年十月開(kāi)始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達(dá)計(jì)劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺(tái)積電警告稱(chēng)芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計(jì)劃

5 月 28 日消息，臺(tái)積電呼吁美國(guó)商務(wù)部豁免芯片進(jìn)口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴(kuò)建計(jì)劃，并威脅美國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺(tái)積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計(jì)劃再建三座晶圓廠(chǎng)、兩座先進(jìn)封裝廠(chǎng)和一個(gè)研發(fā)中心，總投資額累計(jì) 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬(wàn)億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱(chēng)三星電子調(diào)整HBM團(tuán)隊(duì)組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報(bào)道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉正在對(duì)內(nèi)部組織進(jìn)行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評(píng)價(jià)為“錯(cuò)失開(kāi)發(fā)時(shí)機(jī)”的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn) HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團(tuán)隊(duì)。

發(fā)表于：5/28/2025

芯科科技推出首批第三代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)實(shí)現(xiàn)突破

中國(guó)，北京 – 2025年5月26日 – 低功耗無(wú)線(xiàn)解決方案領(lǐng)導(dǎo)性創(chuàng)新廠(chǎng)商Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布：推出其第三代無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)產(chǎn)品組合的首批產(chǎn)品，即采用先進(jìn)的22納米（nm）工藝節(jié)點(diǎn)打造的兩個(gè)全新無(wú)線(xiàn)片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列：SiXG301和SiXG302

發(fā)表于：5/28/2025

美國(guó)政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺(tái)在即！

5月27日消息，針對(duì)美國(guó)商務(wù)部《貿(mào)易擴(kuò)張法》第232條進(jìn)行的半導(dǎo)體進(jìn)口國(guó)家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國(guó)半導(dǎo)體巨頭以及美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）近日都向美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見(jiàn)評(píng)論，紛紛敦促美國(guó)總統(tǒng)特朗普謹(jǐn)慎對(duì)待半導(dǎo)體關(guān)稅，并警告一旦施行廣泛的關(guān)稅，可能對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴(yán)重意外損害。根據(jù)此前報(bào)道，美國(guó)特朗普政府可能很快將會(huì)推出針對(duì)半導(dǎo)體加征關(guān)稅的政策，市場(chǎng)傳聞稅率可能高達(dá)25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來(lái)加征關(guān)稅，這也將對(duì)臺(tái)積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠(chǎng)商，以及以及英偉達(dá)、蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴(lài)于圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計(jì)廠(chǎng)商帶來(lái)負(fù)面影響。

發(fā)表于：5/27/2025

TrendForce預(yù)計(jì)2025年Q3 NAND閃存價(jià)格環(huán)比增幅有望達(dá)10%

5 月 26 日消息，市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢(xún)今日表示，在 AI 需求刺激企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)需求顯著增長(zhǎng)的背景下，預(yù)計(jì) 2025 年第三季度 NAND 閃存價(jià)格有望環(huán)比整張 10%。

發(fā)表于：5/27/2025

施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術(shù)重構(gòu)變頻器防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)

在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，變頻器作為核心控制設(shè)備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機(jī)性能。然而，復(fù)雜的使用環(huán)境對(duì)變頻器PCB電路板的防護(hù)提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術(shù)有限公司正是在這一行業(yè)痛點(diǎn)中，通過(guò)與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的跨越式提升。

發(fā)表于：5/27/2025

臺(tái)積電發(fā)強(qiáng)硬聲明硬杠美國(guó)芯片關(guān)稅

5月26日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，美國(guó)商務(wù)部針對(duì)半導(dǎo)體關(guān)稅的所謂“232調(diào)查”意見(jiàn)報(bào)告即將出爐，半導(dǎo)體關(guān)稅呼之欲出。近日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電致函美政府的全文首度曝光，其措詞強(qiáng)硬地警告稱(chēng)，若美方執(zhí)意對(duì)芯片征收進(jìn)口關(guān)稅，將影響該公司在美國(guó)亞利桑那州的投資計(jì)劃。

發(fā)表于：5/27/2025

環(huán)球晶圓加入Wolfspeed客戶(hù)爭(zhēng)奪戰(zhàn)

5月26日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，針對(duì)近日全球碳化硅（SiC）龍頭Wolfspeed將申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)一事，半導(dǎo)體硅晶圓大廠(chǎng)環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭表示，希望爭(zhēng)取Wolfspeed原來(lái)合作客戶(hù)轉(zhuǎn)單的機(jī)會(huì)。

發(fā)表于：5/27/2025

礪算科技成功點(diǎn)亮國(guó)內(nèi)第一顆6nm GPU

5月26日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱(chēng)，又一款高性能?chē)?guó)產(chǎn)GPU已封裝回片并成功點(diǎn)亮。據(jù)礪算科技高管透露，礪算科技首款GPU芯片已封裝回片并成功點(diǎn)亮。

發(fā)表于：5/27/2025

消息稱(chēng)臺(tái)積電有望多年代工谷歌Tensor手機(jī)SoC

5 月 26 日消息，谷歌今年下半年推出的新一代旗艦安卓智能手機(jī) Pixel 10 系列預(yù)計(jì)搭載臺(tái)積電以 3nm 節(jié)點(diǎn)代工的 Tensor G5 AP（注：應(yīng)用處理器），這也會(huì)是谷歌 Tensor G 系列首度導(dǎo)入非三星制程。

發(fā)表于：5/26/2025

三星將在2028年前采用玻璃中介層技術(shù)

5月25日消息，據(jù)ET新聞報(bào)道，三星電子計(jì)劃從 2028 年開(kāi)始在芯片封裝中采用玻璃中介層，預(yù)計(jì)可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生產(chǎn)，將徹底改變 AI芯片封裝。在芯片制造中，中介層是 2.5D 芯片封裝的關(guān)鍵部件，尤其是對(duì)于 AI 芯片來(lái)說(shuō)，比如GPU和高帶寬內(nèi)存（HBM）需要依靠中介層來(lái)連接這兩個(gè)組件，以實(shí)現(xiàn)更快的通信。雖然傳統(tǒng)的硅中介層很有效，但其成本遠(yuǎn)高于玻璃中介層，而且玻璃中介層對(duì)超精細(xì)電路具有更高的精度和更高的尺寸穩(wěn)定性。玻璃中介層的優(yōu)勢(shì)絕對(duì)超過(guò)了傳統(tǒng)的硅中介層，這使它們成為下一代 AI 芯片的關(guān)鍵技術(shù)。

發(fā)表于：5/26/2025

耐高溫灌封膠：性能特點(diǎn)與行業(yè)應(yīng)用詳解

在現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展中，各種電子、電氣設(shè)備在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行需求日益凸顯。耐高溫灌封膠作為一種關(guān)鍵的封裝材料，能夠在高溫條件下為電子元件、機(jī)械部件等提供有效的保護(hù)，防止其受到高溫、潮濕、腐蝕等惡劣環(huán)境的影響，確保設(shè)備的性能和可靠性。施奈仕，作為深耕十多年電子膠粘劑領(lǐng)域的創(chuàng)新性企業(yè)，憑借自主研發(fā)的灌封膠產(chǎn)品及用膠技術(shù)解決方案，在行業(yè)內(nèi)擁有著良好口碑。施奈仕以多年對(duì)灌封膠的研究與認(rèn)識(shí)，帶大家認(rèn)識(shí)耐高溫灌封膠的應(yīng)用和特點(diǎn)！

發(fā)表于：5/26/2025

傳鴻海將30億美元競(jìng)標(biāo)UTAC 加速半導(dǎo)體垂直整合

5月26日消息，據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣電子代工巨頭鴻海集團(tuán)（富士康）正考慮競(jìng)標(biāo)新加坡半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)聯(lián)合科技控股（UTAC），交易估值或達(dá)30億美元。據(jù)知情人士透露，UTAC母公司北京智路資本已聘請(qǐng)投行杰富瑞主導(dǎo)出售事宜，預(yù)計(jì)本月底前接收首輪報(bào)價(jià)。目前各方均未對(duì)此置評(píng)。值得關(guān)注的是，UTAC在中國(guó)大陸的業(yè)務(wù)布局使其成為非美資戰(zhàn)略投資者的理想標(biāo)的。作為全球最大電子代工商和蘋(píng)果核心供應(yīng)商，鴻海近年來(lái)持續(xù)加碼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。

發(fā)表于：5/26/2025

HBM4制造難度及成本將更高

5月22日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新發(fā)布的研究報(bào)道稱(chēng)，受益于AI芯片需求的帶動(dòng)，三大DRAM原廠(chǎng)正積極推動(dòng)HBM4 產(chǎn)品進(jìn)度。但因HBM4的I/O 數(shù)量增加，復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)也使得所需的晶圓面積增加，且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改為采邏輯基低芯片構(gòu)架以提高性能，這些都將帶來(lái)成本的提升。鑒于HBM3e剛剛推出時(shí)溢價(jià)比例約20%，制造難度更高的HBM4的溢價(jià)幅度或突破30%。

發(fā)表于：5/23/2025