解決方案-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

解決方案

電動(dòng)自行車(chē)用電機(jī)控制器原理與維修（A）[模擬設(shè)計(jì)][汽車(chē)電子]

電動(dòng)車(chē)用電機(jī)控制器近年來(lái)的發(fā)展速度之快，使人難以想象，操作上越來(lái)越“傻瓜”化，而顯示則越來(lái)越復(fù)雜化。比如，電動(dòng)車(chē)車(chē)速的控制已經(jīng)發(fā)展到“巡航鎖定”；驅(qū)動(dòng)方面，有的同時(shí)具有電動(dòng)性能和助力功能，如果轉(zhuǎn)換到助力狀態(tài)，借助鏈條張力測(cè)力器，或中軸扭力傳感器，只要用腳踏動(dòng)腳蹬，便可執(zhí)行助力或確定助力的大小。這期本刊開(kāi)始給您講述控制器的知識(shí)，讓您對(duì)控制器有一個(gè)更全面的了解。

發(fā)表于：10/11/2017 2:46:20 PM

mosfet的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)[模擬設(shè)計(jì)][汽車(chē)電子]

電力場(chǎng)效應(yīng)管是單極型壓控器件，開(kāi)關(guān)速度快。但存在極間電容，器件功率越大，極間電容也越大。為提高其開(kāi)關(guān)速度，要求驅(qū)動(dòng)電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。另外，還需要一定的柵極驅(qū)動(dòng)電流。

發(fā)表于：10/11/2017 2:29:21 PM

mosfet的安全工作區(qū)[模擬設(shè)計(jì)][其他]

正向偏置安全工作區(qū)，如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線(xiàn)I、最大漏極電流極限線(xiàn)Ⅱ、漏源通態(tài)電阻線(xiàn)Ⅲ和最大功耗限制線(xiàn)Ⅳ，4條邊界極限所包圍的區(qū)域。圖中示出了4種情況：直流DC，脈寬10ms，1ms,10μs。它與GTR安全工作區(qū)比有2個(gè)明顯的區(qū)別：①因無(wú)二次擊穿問(wèn)題，所以不存在二次擊穿功率PSB限制線(xiàn)；②因?yàn)樗☉B(tài)電阻較大，導(dǎo)通功耗也較大，所以不僅受最大漏極電流的限制，而且還受通態(tài)電阻的限制。

發(fā)表于：10/11/2017 2:24:19 PM

mosfet的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][其他]

動(dòng)態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時(shí)間關(guān)系，它影響器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程。由于該器件為單極型，靠多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此開(kāi)關(guān)速度快、時(shí)間短，一般在納秒數(shù)量級(jí)。Power MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。

發(fā)表于：10/11/2017 2:22:00 PM

mosfet的靜態(tài)特性和主要參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][其他]

Power MOSFET靜態(tài)特性主要指輸出特性和轉(zhuǎn)移特性，與靜態(tài)特性對(duì)應(yīng)的主要參數(shù)有漏極擊穿電壓、漏極額定電壓、漏極額定電流和柵極開(kāi)啟電壓等。

發(fā)表于：10/11/2017 2:18:00 PM

MOSFET結(jié)構(gòu)和工作原理[模擬設(shè)計(jì)][其他]

電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中，主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型。

發(fā)表于：10/11/2017 2:14:00 PM

MOSFET選擇策略詳解[模擬設(shè)計(jì)][其他]

在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管（BJT）是僅有的功率開(kāi)關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數(shù)器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數(shù)載流子器件，因而是高頻應(yīng)用的理想選擇。

發(fā)表于：10/11/2017 2:05:00 PM

晶體管工作原理[模擬設(shè)計(jì)][其他]

導(dǎo)讀：晶體管，只是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱(chēng)，那么問(wèn)題來(lái)了，晶體管工作原理是什么呢?接下來(lái)就讓我們以雙極性晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管為例來(lái)詳細(xì)了解一下吧～

發(fā)表于：10/11/2017 1:57:00 PM

ITECH能量回饋式負(fù)載[電源技術(shù)][汽車(chē)電子]

對(duì)于很多具有全球戰(zhàn)略目光的公司來(lái)說(shuō)，如何提高產(chǎn)量、產(chǎn)品質(zhì)量和減少測(cè)試成本都是提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的路徑。最基礎(chǔ)的考慮就是設(shè)備的購(gòu)置、校準(zhǔn)和維護(hù)成本。雖然初期投資常需要我們的關(guān)注，但是運(yùn)營(yíng)成本往往在設(shè)備總投資中占有更大的成分。控制好總成本可以提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

發(fā)表于：9/17/2017 3:22:21 PM

7、11納米LPP工藝一起登場(chǎng)，三星將奪回蘋(píng)果訂單？[嵌入式技術(shù)][物聯(lián)網(wǎng)]

日前三星電子正式宣布，其將11nm FinFET制程技術(shù)（11nm LPP，Low Power Plus）提上研發(fā)日程，預(yù)計(jì)將于明年推出首款采用該工藝的芯片。

發(fā)表于：9/13/2017 12:15:41 PM