解決方案 mosfet的動態(tài)特性和主要參數(shù)[模擬設(shè)計][其他] 動態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時間關(guān)系，它影響器件的開關(guān)過程,。由于該器件為單極型,，靠多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此開關(guān)速度快,、時間短,，一般在納秒數(shù)量級。Power MOSFET的動態(tài)特性,。 發(fā)表于：10/11/2017 2:22:00 PM mosfet的靜態(tài)特性和主要參數(shù)[模擬設(shè)計][其他] Power MOSFET靜態(tài)特性主要指輸出特性和轉(zhuǎn)移特性,，與靜態(tài)特性對應(yīng)的主要參數(shù)有漏極擊穿電壓、漏極額定電壓,、漏極額定電流和柵極開啟電壓等,。 發(fā)表于：10/11/2017 2:18:00 PM MOSFET結(jié)構(gòu)和工作原理[模擬設(shè)計][其他] 電力場效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,，同時又有耗盡型和增強型之分,。在電力電子裝置中,，主要應(yīng)用N溝道增強型。 發(fā)表于：10/11/2017 2:14:00 PM MOSFET選擇策略詳解[模擬設(shè)計][其他] 在70年代晚期推出MOSFET之前,，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管（BJT）是僅有的功率開關(guān),。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件,。在80年代,，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件,。MOSFET是正溫度系數(shù)器件,，而IGBT則不一定。MOSFET是多數(shù)載流子器件,，因而是高頻應(yīng)用的理想選擇,。 發(fā)表于：10/11/2017 2:05:00 PM 晶體管工作原理[模擬設(shè)計][其他] 導(dǎo)讀：晶體管，只是對所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱,，那么問題來了,，晶體管工作原理是什么呢?接下來就讓我們以雙極性晶體管和場效應(yīng)晶體管為例來詳細了解一下吧～ 發(fā)表于：10/11/2017 1:57:00 PM ITECH能量回饋式負載[電源技術(shù)][汽車電子] 對于很多具有全球戰(zhàn)略目光的公司來說，如何提高產(chǎn)量,、產(chǎn)品質(zhì)量和減少測試成本都是提高企業(yè)競爭力的路徑,。最基礎(chǔ)的考慮就是設(shè)備的購置、校準和維護成本,。雖然初期投資常需要我們的關(guān)注,，但是運營成本往往在設(shè)備總投資中占有更大的成分?？刂坪每偝杀究梢蕴岣咂髽I(yè)競爭力,。 發(fā)表于：9/17/2017 3:22:21 PM 7、11納米LPP工藝一起登場,，三星將奪回蘋果訂單,？[嵌入式技術(shù)][物聯(lián)網(wǎng)] 日前三星電子正式宣布，其將11nm FinFET制程技術(shù)（11nm LPP,，Low Power Plus）提上研發(fā)日程,，預(yù)計將于明年推出首款采用該工藝的芯片。 發(fā)表于：9/13/2017 12:15:41 PM 中國電信即將開啟NB-IoT模組宇宙第一標[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)] 近期,，作為全球NB-IoT商用最激進的運營商——中國電信正在追求NB-IoT模組價格等同于GSM水準,，以此推動NB-IoT模組成本年內(nèi)降至3美金左右,。 發(fā)表于：9/8/2017 2:10:38 PM 中興率先發(fā)布了5G承載解決方案5G Felxhaul[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)] 5G商用，承載先行已成為業(yè)界共識,，隨著5G商用日期的日益臨近,，5G承載也越來越成為業(yè)界關(guān)注的焦點。日前,，中興通訊5G承載方案總工趙福川接受C114記者采訪時表示,，中興通訊率先發(fā)布了5G承載解決方案5G Felxhaul,，今年下半年將完成3-4個試商用,，受到海內(nèi)外關(guān)注。 發(fā)表于：9/8/2017 2:06:17 PM 微流體冷卻法能克服摩爾定律微縮限制,？[嵌入式技術(shù)][物聯(lián)網(wǎng)] 為了解決3D芯片堆疊時的液體冷卻問題,，DARPA研究人員開發(fā)出一種使用絕緣介電質(zhì)制冷劑的途徑,，可望使3D芯片堆疊至任何高度，從而突破摩爾定律(Moore's Law)的微縮限制,。 發(fā)表于：9/5/2017 4:23:52 PM ?…190191192193194195196197198199…?
