三星 相關(guān)文章(4811篇)
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三星公布引領(lǐng)AI時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖
發(fā)表于：2024/6/14 8:55:22
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三星祭出交鑰匙代工服務(wù) 加速AI芯片生產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/14 8:55:01
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中芯國際沖到全球前三：僅次于臺積電三星
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:20
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美國芯片制造業(yè)迎來歷史性投資，狂砸資金新建工廠
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:20
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三星公布芯片技術(shù)路線圖
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:00
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消息稱三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:45
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三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:27
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三星被曝挖來蘋果Siri資深高管領(lǐng)導(dǎo)北美AI團(tuán)隊(duì)
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:25
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AMD與三星在3nm GAA上目前并無任何實(shí)質(zhì)進(jìn)展
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:46
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高通：正考慮實(shí)施臺積電,、三星電子雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:46
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黃仁勛確認(rèn)三星HBM3e未通過英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：2024/6/5 8:57:20
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芯片三巨頭發(fā)力CFET架構(gòu)以備戰(zhàn)埃米時(shí)代
發(fā)表于：2024/6/4 9:00:42
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美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅
發(fā)表于：2024/6/3 11:24:24
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蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程
發(fā)表于：2024/5/31 9:00:42
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三星1nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年
發(fā)表于：2024/5/31 9:00:39
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三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機(jī)器已停用
發(fā)表于：2024/5/31 9:00:25
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消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠
發(fā)表于：2024/5/30 11:13:05
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英特爾三星正尋求玻璃芯片技術(shù)挑戰(zhàn)臺積電
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:36
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NAND Flash開始邁向300層
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:15
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三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：2024/5/27 8:50:40
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消息稱三星首款可穿戴機(jī)器人Bot Fit已完成開發(fā)
發(fā)表于：2024/5/27 8:50:29
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韓國政府斥資26萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè)
發(fā)表于：2024/5/24 15:11:30
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三星顯示QD-OLED顯示器累計(jì)出貨量達(dá)100萬臺
發(fā)表于：2024/5/24 14:40:15
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三星HBM內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：2024/5/24 14:14:24
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三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā)
發(fā)表于：2024/5/23 8:38:18
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三星已啟動(dòng)2nm應(yīng)用芯片項(xiàng)目 計(jì)劃2025年量產(chǎn)
發(fā)表于：2024/5/23 8:38:06
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三星計(jì)劃用第二代3nm爭取英偉達(dá)
發(fā)表于：2024/5/22 8:58:23
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三星與ARM牽手推動(dòng)6G關(guān)鍵技術(shù) 網(wǎng)速1TB/s
發(fā)表于：2024/5/22 8:58:09
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機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%
發(fā)表于：2024/5/21 8:50:16
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量子點(diǎn)自發(fā)光 三星顯示展示18.2英寸QD-LED顯示面板
發(fā)表于：2024/5/16 8:35:16
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