EDA與制造相關(guān)文章 科學(xué)家利用AI造出世界最強(qiáng)鐵基超導(dǎo)磁體 6 月 12 日消息，英國(guó)和日本科學(xué)家利用人工智能AI技術(shù)，成功制造出世界上最強(qiáng)的鐵基超導(dǎo)磁體，相關(guān)論文發(fā)表于《亞洲材料》雜志。 發(fā)表于：6/12/2024 SK海力士將于2025年一季度量產(chǎn)GDDR7顯存 6 月 12 日消息，據(jù)外媒 Anandtech 報(bào)道，SK 海力士代表在 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上表示，該公司將于 2025 年一季度開始大規(guī)模生產(chǎn) GDDR7 芯片。 SK 海力士在 COMPUTEX 2024 上展示了 GDDR7 顯存，并確認(rèn)相關(guān)顆粒已可向合作伙伴出樣。 發(fā)表于：6/12/2024 日本連續(xù)三個(gè)季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國(guó) 日本連續(xù)三個(gè)季度50%的芯片制造設(shè)備出口到中國(guó) 發(fā)表于：6/12/2024 滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能 投資132億元！滬硅產(chǎn)業(yè)擬擴(kuò)建300mm硅片產(chǎn)能：總產(chǎn)能將達(dá)120萬片/月 發(fā)表于：6/12/2024 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 英偉達(dá)今年將消耗全球47%的HBM 發(fā)表于：6/12/2024 韓國(guó)AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺(tái)積電3nm制程 韓國(guó)AI芯片廠商DeepX轉(zhuǎn)投臺(tái)積電3nm制程 發(fā)表于：6/12/2024 三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 內(nèi)存堆疊高度受限，三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù) 發(fā)表于：6/12/2024 傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口 6月12日，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士稱，拜登政府正在考慮進(jìn)一步限制中國(guó)獲得用于人工智能(AI)的芯片技術(shù)，這次把目標(biāo)鎖定在了一種剛剛進(jìn)入市場(chǎng)的新硬件。傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口 發(fā)表于：6/12/2024 我國(guó)1-5月集成電路出口同比增長(zhǎng)21.2% 我國(guó)1-5月集成電路出口同比增長(zhǎng)21.2%：發(fā)力28nm等成熟制程 產(chǎn)能要領(lǐng)先全球 發(fā)表于：6/11/2024 無疲勞鐵電材料可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片無限次擦寫 可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片無限次擦寫！中國(guó)科學(xué)家開發(fā)出無疲勞鐵電材料登上Science 發(fā)表于：6/11/2024 臺(tái)積電3nm產(chǎn)能訂單已排到2026年 蘋果、英偉達(dá)等大廠包下臺(tái)積電3納米產(chǎn)能：訂單排到2026年 發(fā)表于：6/11/2024 黃仁勛表示認(rèn)可臺(tái)積電暗示的漲價(jià)言論 英偉達(dá)CEO黃仁勛表示認(rèn)可臺(tái)積電暗示的漲價(jià)言論 發(fā)表于：6/11/2024 Rapidus與IBM達(dá)成2nm芯片封裝技術(shù)合作伙伴關(guān)系 Rapidus與IBM達(dá)成2nm芯片封裝技術(shù)合作伙伴關(guān)系 發(fā)表于：6/11/2024 SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)拜訪臺(tái)積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作 SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)拜訪臺(tái)積電 強(qiáng)化HBM芯片制造合作 發(fā)表于：6/11/2024 英特爾以色列新晶圓廠建設(shè)進(jìn)程暫緩 6 月 11 日消息，據(jù)以色列媒體 Calcalist 報(bào)道，部分供應(yīng)商近日接到英特爾通知，取消了與以色列新晶圓廠有關(guān)的設(shè)備、材料訂單。 主管相關(guān)事務(wù)的以色列財(cái)政部官員向該媒體表示，英特爾在以投資計(jì)劃整體不變，訂單取消是正常的時(shí)間表變動(dòng)。 發(fā)表于：6/11/2024 ?…949596979899100101102103…?
