6月11日消息，據(jù)韓國媒體Thelec報道，三星上個月在2024年IEEE上發(fā)表的一篇題為《用于HBM堆疊的D2W（芯粒到芯片）銅鍵合技術(shù)研究》的論文,，提到16層及以上的高帶寬內(nèi)存（HBM）必須采用混合鍵合技術(shù)（Hybrid bonding）。

據(jù)了解,，混合鍵合是下一代封裝技術(shù)，目的是芯片透過硅穿孔（TSV）或微型銅線進(jìn)行垂直堆疊時,，中間沒有凸點,。韓媒The Elec指出，由于是直接堆疊,，所以混合鍵合也稱為“直接鍵合”。

與目前三星所使用的熱壓焊接（TC）相比,，Hybrid bonding可焊接更多芯片堆疊,，維持更低的堆疊高度并提高熱排放效率,。三星指出，降低高度是采用混合鍵合的主因,，內(nèi)存高度限制在775微米內(nèi),，在這高度中須封裝17個芯片（即一個基底芯片和16個核心芯片），因此縮小芯片間的間隙,，是內(nèi)存大廠必須克服的問題,。

最開始DRAM大廠計劃盡可能減少核心芯片的厚度，或者減少凸點間距,，但除混合鍵合外,，這兩種方法都已達(dá)極限。知情人士透露,，很難將核心芯片做得比30微米更薄,。由于凸點具有體積，通過凸塊連接芯片會有一定局限性,。

三星4月使用子公司Semes的混合鍵合設(shè)備制作了16層的HBM樣品,，并表示芯片運作正常。目前貝思半導(dǎo)體（BESI）和韓華精密機(jī)械（Hanwha Precision Machinery）也在開發(fā)混合鍵合設(shè)備,。傳聞三星計劃在2025年制造出16層堆疊的HBM4樣品,，并于2026年量產(chǎn)。