6月9日消息,，據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)科學(xué)家成功開(kāi)發(fā)出一種無(wú)疲勞鐵電材料,，并在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表研究成果,。

傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片因鐵電材料存在讀寫(xiě)次數(shù)限制，穩(wěn)定性隨使用時(shí)間推移而降低,，這一問(wèn)題長(zhǎng)期制約著存儲(chǔ)芯片的進(jìn)一步研發(fā)和應(yīng)用,。

研究團(tuán)隊(duì)基于二維滑移鐵電機(jī)制，開(kāi)發(fā)出一種新型的二維層狀滑移鐵電材料（3R-MoS2）,，該材料制備的存儲(chǔ)芯片有望突破讀寫(xiě)次數(shù)限制,，實(shí)現(xiàn)無(wú)限次讀寫(xiě)。

該研究的核心在于利用"層間滑移"替代傳統(tǒng)鐵電材料的"離子移動(dòng)",，通過(guò)AI輔助的跨尺度原子模擬分析,，揭示了二維滑移鐵電材料抗疲勞的微觀物理機(jī)制。

實(shí)驗(yàn)表明,，采用該材料制備的鐵電芯片器件在經(jīng)歷400萬(wàn)次循環(huán)電場(chǎng)翻轉(zhuǎn)極化后,，電學(xué)曲線測(cè)量顯示鐵電極化仍未出現(xiàn)衰減。

此項(xiàng)技術(shù)不僅極大提升了存儲(chǔ)芯片的可靠性和耐久性,，還有助于降低成本,，提升存儲(chǔ)密度，未來(lái)有望在航空航天,、深海探測(cè)等極端環(huán)境應(yīng)用以及可穿戴設(shè)備,、柔性電子技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

傳統(tǒng)鐵電材料和二維滑移鐵電材料的疲勞特性

3R-MoS2鐵電器件的抗疲勞性能分析

3R-MoS2鐵電器件的疲勞特性