EDA與制造相關(guān)文章 意法半導(dǎo)體建造全球首個(gè)集成碳化硅工廠 意法半導(dǎo)體建造全球首個(gè)集成碳化硅工廠：建成后每周可產(chǎn)1.5萬片晶圓 發(fā)表于：6/4/2024 華為高管稱目前能解決7nm就非常好 3/5nm拿不到！華為高管稱能解決7nm就非常好：我國(guó)發(fā)力28nm及更成熟制程 發(fā)表于：6/4/2024 戴爾：預(yù)計(jì)今年內(nèi)存和SDD價(jià)格將再漲20% 供小于求 根本不可能降價(jià)！戴爾：預(yù)計(jì)今年內(nèi)存和SDD價(jià)格將再漲20% 發(fā)表于：6/4/2024 芯片三巨頭發(fā)力CFET架構(gòu)以備戰(zhàn)埃米時(shí)代 臺(tái)積電三星英特爾發(fā)力CFET工藝以備戰(zhàn)埃米時(shí)代 發(fā)表于：6/4/2024 埃賽力達(dá)推出首款適用于340 nm-360 nm波長(zhǎng)范圍的 以市場(chǎng)為導(dǎo)向的創(chuàng)新光電解決方案工業(yè)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——埃賽力達(dá)科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期宣布推出適用于340 nm-360 nm波長(zhǎng)范圍的LINOS? UV F-Theta Ronar低釋氣鏡頭。作為市場(chǎng)上首款采用低釋氣和不銹鋼設(shè)計(jì)的可現(xiàn)貨供應(yīng)的UV F-Theta鏡頭，該新鏡頭比傳統(tǒng)產(chǎn)品具有更強(qiáng)的耐用性，可處理更高的UV脈沖能量和超短激光脈沖，適用于半導(dǎo)體、晶片加工和電子顯示行業(yè)中的激光材料加工應(yīng)用。 發(fā)表于：6/3/2024 美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅 能效優(yōu)異，消息稱美光在 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域迅速成為韓廠威脅 6 月 3 日消息，韓媒 ETNews 近日?qǐng)?bào)道指，在優(yōu)異能效等因素下，美光正迅速在 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域成為 SK 海力士和三星電子兩大韓國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)的威脅。 發(fā)表于：6/3/2024 中國(guó)電子學(xué)會(huì)綠色PC標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布 中國(guó)綠色PC標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布！首款酷睿Ultra綠色一體機(jī)減碳超60％ 發(fā)表于：6/3/2024 Intel CEO將宴請(qǐng)中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)鏈 Intel CEO將宴請(qǐng)中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)鏈：包括被NVIDIA獨(dú)漏的仁寶電腦 發(fā)表于：6/3/2024 美國(guó)推遲對(duì)中國(guó)進(jìn)口顯卡主板等恢復(fù)征收關(guān)稅 6月1日消息，據(jù)外媒最新報(bào)道稱，美國(guó)推遲對(duì)中國(guó)進(jìn)口的顯卡、主板等產(chǎn)品征收關(guān)稅，時(shí)間暫定寬限1年。 報(bào)道中提到，之前美國(guó)貿(mào)易代表（USTR）已通知，白宮將于6月15日對(duì)部分中國(guó)進(jìn)口商品重新啟動(dòng)特朗普時(shí)代的關(guān)稅。 其中，25%的關(guān)稅將持續(xù)有效至2025年5月31日，但美國(guó)可以選擇更新和延長(zhǎng)關(guān)稅，但最終他們還是選擇延后。 由于中國(guó)長(zhǎng)期以來一直是顯卡、主板和許多其他組件的主要生產(chǎn)國(guó)，恢復(fù)征收關(guān)稅有可能抬高產(chǎn)品價(jià)格。 據(jù)美國(guó)金融研究辦公室（Office of the Federal Register OFR)公布的調(diào)查結(jié)果顯示，加增25%的高關(guān)稅會(huì)對(duì)美國(guó)PC市場(chǎng)造成很大損失。 目前沒有替代的產(chǎn)品，幾乎都來自中國(guó)制造，如果強(qiáng)制性加增，勢(shì)必會(huì)讓美國(guó)的PC玩家以更高價(jià)格才能買到產(chǎn)品。 發(fā)表于：6/3/2024 X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案 中國(guó)北京，2024年5月21日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。 發(fā)表于：5/31/2024 泰瑞達(dá)交付第 8,000 臺(tái) J750 半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng) 2024年5月21日，中國(guó) 北京訊 —— 全球先進(jìn)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)（NASDAQ:TER）今日宣布，與獨(dú)立第三方集成電路測(cè)試服務(wù)企業(yè)偉測(cè)科技共同達(dá)成一項(xiàng)里程碑式結(jié)果，暨順利交付第 8,000 臺(tái) J750 半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)。 發(fā)表于：5/31/2024 2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請(qǐng)賽火熱開賽 2024 年 5 月 30 日，中國(guó)西安訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日與全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽（以下：NUEDC）組織委員會(huì)在西安交通大學(xué)就2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請(qǐng)賽（以下：AITIC）舉辦簽署合作協(xié)議。值此，繼2018年以來，兩年一屆的“瑞薩杯”信息科技前沿專題邀請(qǐng)賽第四屆比賽，正式拉開帷幕。 發(fā)表于：5/31/2024 蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程 臺(tái)積電3nm產(chǎn)能被蘋果等包圓 蘇姿豐暗示：AMD將采用三星3nm制程 發(fā)表于：5/31/2024 日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域 日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域：防止技術(shù)外漏 5月30日消息，據(jù)媒體報(bào)道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省近日宣布，將在半導(dǎo)體、先進(jìn)電子零部件、蓄電池、機(jī)床及工業(yè)機(jī)器人、飛機(jī)零部件等五大關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)嵤└鼮閲?yán)格的監(jiān)管措施，以遏制技術(shù)外泄風(fēng)險(xiǎn)。 發(fā)表于：5/31/2024 三星1nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年 三星沖刺1nm工藝！量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年 發(fā)表于：5/31/2024 ?…96979899100101102103104105…?
