EDA與制造相關(guān)文章 紫晶存儲因欺詐發(fā)行退市被追償10.86億元 紫晶存儲因欺詐發(fā)行退市被追償10.86億元 發(fā)表于：6/27/2024 曾宣布投資400億建晶圓廠的梧升半導(dǎo)體破產(chǎn)清算 曾宣布投資400億建晶圓廠,，梧升半導(dǎo)體破產(chǎn)清算,！ 發(fā)表于：6/27/2024 Entegris獲得美國芯片法案7500萬美元補助 Entegris獲得美國芯片法案7500萬美元補助 發(fā)表于：6/27/2024 日月光將在美國建第二座測試廠 日月光將在美國建第二座測試廠，還將在墨西哥,、馬來西亞,、日本進行擴張 發(fā)表于：6/27/2024 多家EDA企業(yè)宣布推出英特爾EMIB先進2.5D封裝參考流程 6 月 26 日消息,，多家 EDA 與 IP 領(lǐng)域的英特爾代工生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴宣布為英特爾 EMIB 技術(shù)推出參考流程，簡化了設(shè)計客戶利用 EMIB 2.5D 先進封裝的過程,。 EMIB 全稱嵌入式多晶?；ミB橋接，是一種通過硅橋連接不同裸晶的技術(shù),。同臺積電 CoWoS 類似,，EMIB 也可用于 AI 處理器同 HBM 內(nèi)存的集成。 發(fā)表于：6/26/2024 三星否認(rèn)3nm晶圓代工廠出現(xiàn)生產(chǎn)缺陷 三星回應(yīng)晶圓代工廠出現(xiàn)生產(chǎn)缺陷：毫無根據(jù) 發(fā)表于：6/26/2024 SK海力士5層堆疊3D DRAM良品率已達56.1% SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1% 發(fā)表于：6/26/2024 臺積電高雄第三座2nm晶圓廠通過環(huán)評 臺積電高雄第三座2nm晶圓廠通過環(huán)評,，總用電量將占高雄市18％ 發(fā)表于：6/26/2024 國產(chǎn)光刻機工廠總投資50億元落戶紹興 如果將芯片制造比作雕刻,，那光刻機就是將雕刻線稿（電路圖）描繪在材料（晶圓表面）上的畫筆。它決定著芯片的工藝水平和性能,，是制造半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵裝備,。 近日，項目總投資約50億元的上海圖雙精密裝備項目落戶紹興市越城區(qū),，成為紹“芯”版圖上的又一塊新拼圖,。項目計劃分兩期實施。一期計劃投資約5億元,，一期占地面積35畝,，用于轉(zhuǎn)移及擴大公司目前在上海的產(chǎn)能；二期計劃投資約45億元,。兩期將實現(xiàn)年產(chǎn)50-100臺半導(dǎo)體設(shè)備的目標(biāo),。項目正在建設(shè)中，預(yù)計2025年投產(chǎn),。 發(fā)表于：6/25/2024 消息稱三星3nm項目總投資超過1160億美元 三星創(chuàng)半導(dǎo)體史上最大玩笑：砸了8400億的3nm良率竟是0 發(fā)表于：6/25/2024 美國對中國半導(dǎo)體制裁下韓國設(shè)備最杯具 6月25日消息,，據(jù)國外媒體報道稱，自從美國對中國實施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來,，韓國最難受 發(fā)表于：6/25/2024 SK海力士否認(rèn)向創(chuàng)意電子提供AI芯片訂單 SK海力士否認(rèn)向創(chuàng)意電子提供AI芯片訂單 發(fā)表于：6/25/2024 消息稱臺積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子拿下SK海力士大單 繼獨家代工英偉達,、AMD AI 芯片后，消息稱臺積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子拿下 SK 海力士大單 發(fā)表于：6/24/2024 消息稱SK 海力士五層堆疊3D DRAM內(nèi)存良率已達56.1% 消息稱 SK 海力士五層堆疊 3D DRAM 內(nèi)存良率已達 56.1% 發(fā)表于：6/24/2024 谷歌與臺積電合作首款3nm工藝芯片Tensor G5 谷歌與臺積電合作首款3nm工藝芯片Tensor G5 發(fā)表于：6/24/2024 ?…70717273747576777879…?
