EDA與制造相關(guān)文章 三星美國得州芯片工廠推遲至2026年投產(chǎn) 投資 250 億美元，三星美國得州芯片工廠推遲至 2026 年投產(chǎn) 發(fā)表于：6/24/2024 日月光宣布在高雄興建K28廠以應(yīng)對先進封裝及測試需求 日月光宣布在高雄興建K28廠,，以應(yīng)對先進封裝及測試需求 發(fā)表于：6/24/2024 三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù) 三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù) 發(fā)表于：6/24/2024 美國擬禁止接受芯片法案補貼的晶圓廠采用中國半導(dǎo)體設(shè)備 美國擬禁止接受芯片法案補貼的晶圓廠采用中國半導(dǎo)體設(shè)備 發(fā)表于：6/21/2024 長江存儲起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁 長江存儲起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁，指控其散布虛假信息,！ 發(fā)表于：6/21/2024 消息稱臺積電研究新的先進芯片封裝技術(shù) 消息稱臺積電研究新的先進芯片封裝技術(shù)：矩形代替圓形晶圓 發(fā)表于：6/20/2024 傳美擬將11家中國晶圓廠列入實體清單 傳美擬將11家中國晶圓廠列入“實體清單” 發(fā)表于：6/20/2024 英特爾官網(wǎng)披露Intel 3 工藝節(jié)點技術(shù)細節(jié) 英特爾詳解Intel 3工藝：應(yīng)用更多EUV光刻，同功耗頻率提升至多18% 發(fā)表于：6/20/2024 臺積電南京工廠擴產(chǎn)16/28nm芯片 獲美國無限豁免,！臺積電南京擴產(chǎn)16/28nm芯片,，打壓中國芯？ 發(fā)表于：6/20/2024 消息稱美光正在全球擴張HBM內(nèi)存產(chǎn)能 目標相關(guān)領(lǐng)域市占看齊整體 DRAM,，消息稱美光正全球擴張 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能 發(fā)表于：6/20/2024 三星電子存儲部門宣布進行重組 三星電子存儲半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)宣布下半年重組,。這次會議是在新任設(shè)備解決方案（DS）部門負責人全永鉉上任后舉行的,，標志著公司可能在高帶寬內(nèi)存（HBM）等核心業(yè)務(wù)上尋求新的突破,。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士19日透露,，三星電子存儲部門前一天召開了會議。存儲部門總經(jīng)理兼總裁Jungbae Lee主持了會議,，該部門的主要高管出席了會議,。 發(fā)表于：6/20/2024 Intel 3制程已大批量生產(chǎn) 6月20日消息，據(jù)Tom's hard ware報道,，當?shù)貢r間周三,，處理器大廠英特爾宣布其 3nm 級制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個工廠投入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新的制程節(jié)點更多細節(jié)信息,。 據(jù)介紹,，Intel 3 帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持 1.2V 電壓,，相比Intel 4 帶來了18%的性能提升,，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點面向英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶,。它還將在未來幾年內(nèi)還將會推出Intel 3-T,、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個演進版本,。 發(fā)表于：6/20/2024 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺積電代工 Intel酷睿Ultra 200V首次完全臺積電代工,！3nm、6nm的組合 發(fā)表于：6/20/2024 臺積電南京已獲美國商務(wù)部VEU授權(quán) 臺積電南京已獲美國商務(wù)部VEU授權(quán) 發(fā)表于：6/19/2024 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單 發(fā)表于：6/19/2024 ?…71727374757677787980…?
