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EDA與制造相關(guān)文章

科美存儲發(fā)布首款100%國產(chǎn)DDR5 RDIMM內(nèi)存條

過去,，在工業(yè)存儲領(lǐng)域,，中國的發(fā)展可謂是凄風(fēng)苦雨、一波三折。存儲芯片,，中國曾高度依賴進(jìn)口，進(jìn)口比例曾高達(dá)90%,，國產(chǎn)存儲芯片市場份額一度下滑至不足4%,。同時，工業(yè)數(shù)據(jù)存儲面臨成本,、性能,、安全、業(yè)務(wù)等多方面挑戰(zhàn),，如存儲成本高,、實(shí)時性要求難以滿足、數(shù)據(jù)安全存在隱患,、傳統(tǒng)接口無法滿足業(yè)務(wù)需求等,。

發(fā)表于：4/3/2025

緯創(chuàng)宣布投資5000萬美元在美國建廠

4月2日，中國臺灣電子代工大廠緯創(chuàng)發(fā)布公告,，宣布計劃在美國投資新設(shè)子公司,，注冊資本為4,500萬美元，并擬于不超過5,000萬美元額度內(nèi),，取得美國土地及廠房,。緯創(chuàng)表示，在美國投資設(shè)立的子公司名為Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS）,，此番投資是因業(yè)務(wù)發(fā)展及策略規(guī)劃需要,。

發(fā)表于：4/3/2025

龍芯中科宣布2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片

4月3日消息，龍芯中科官方宣布,，近日,，龍芯2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片,，目前已完成初步功能和性能摸底，各項(xiàng)指標(biāo)符合預(yù)期,。龍芯2K3000,、龍芯3B6000M是基于相同硅片的不同封裝版本，分別面向工控應(yīng)用領(lǐng)域,、移動終端領(lǐng)域,。

發(fā)表于：4/3/2025

晶圓代工巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽

4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上,，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段,。預(yù)計今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。

發(fā)表于：4/3/2025

消息稱SK海力士封裝廠產(chǎn)線升級 HBM月產(chǎn)能新增1萬片晶圓

4 月 2 日消息,，韓媒 ET News 當(dāng)?shù)貢r間本月 1 日報道稱,，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韓國京畿道利川市的 M10F 工廠的產(chǎn)線改造，該廠從此前負(fù)責(zé)一般 DRAM 產(chǎn)品的后端處理調(diào)整為封裝高附加值,、高需求的 HBM 內(nèi)存,。消息人士稱 SK 海力士為利川 M10F 工廠引進(jìn)和更換了新項(xiàng)目所需的工藝設(shè)備和原材料，并獲得了消防部門更新的安全許可,，該工廠 HBM 封裝產(chǎn)線已于 3 月底開始批量生產(chǎn),。

發(fā)表于：4/3/2025

Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm芯片仍面臨三大挑戰(zhàn)

近日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,，已決定向本土半導(dǎo)體制造商Rapidus再追加8025億日元投資,，使得政府援助總額將達(dá)到1.7萬億日元，以支持Rapidus實(shí)現(xiàn)2027年在日本量產(chǎn)2nm芯片的目標(biāo),。

發(fā)表于：4/3/2025

創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片

4月2日,，先進(jìn)ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實(shí)體層（PHY）半導(dǎo)體IP的投片。該芯片采用臺積電最先進(jìn)的N3P制程技術(shù),，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn),。

發(fā)表于：4/3/2025

英特爾18A先進(jìn)制程已進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段

4 月 2 日消息，英特爾高級副總裁,、英特爾代工部門負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動上宣布,，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進(jìn)的 Intel 18A 邏輯制程已進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)（IT之家注：Risk Production）階段,。

發(fā)表于：4/2/2025

日本芯片制造商Rapidus計劃2025財年內(nèi)發(fā)布2nm制程PDK

4 月 1 日消息,，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動中試線,，實(shí)現(xiàn) EUV 機(jī)臺的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備,，推進(jìn) 2nm GAA 先進(jìn)制程技術(shù)的開發(fā)。

發(fā)表于：4/2/2025

臺積電美國廠全部量產(chǎn)后營收占比將達(dá)三分之一

4月1日消息,，據(jù)英國《金融時報》報道,，根據(jù)分析師的估算,，晶圓代工大廠臺積電在美國亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會占該公司2030年代初總營收的約三分之一,，遠(yuǎn)低于其中國臺灣晶圓廠的營收占比,。

發(fā)表于：4/2/2025

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

2025年4月1日，中國蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域,、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics,，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK）,，共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

發(fā)表于：4/2/2025

業(yè)界預(yù)計臺積電將在2027年開始1.4nm工藝的風(fēng)險性試產(chǎn)

4月2日消息,，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌,！早在今年初,，就有報道陳，臺積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠(yuǎn)超預(yù)期,，樂觀預(yù)計位于新竹寶山,、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬塊晶圓。

發(fā)表于：4/2/2025

聯(lián)電新加坡Fab 12i 晶圓廠擴(kuò)建落成開業(yè)

4月1日,，臺系晶圓代工大廠聯(lián)電在新加坡舉行擴(kuò)建新廠開幕典禮,，新廠第一期項(xiàng)目將在2026年開始量產(chǎn),，預(yù)計將使聯(lián)電新加坡Fab 12i廠總產(chǎn)能提升至每年超過100萬片12英寸晶圓,。此外，聯(lián)電這座新廠也將成為新加坡最先進(jìn)的半導(dǎo)體晶圓代工廠之一,，提供用于通信,、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、車用和人工智能（AI）創(chuàng)新領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片,。

發(fā)表于：4/2/2025

夏普再次出售工廠

當(dāng)?shù)貢r間3月31日,，日本顯示面板大廠夏普宣布，已經(jīng)和日本電子元件廠Aoi Electronics簽訂契約,，擬將生產(chǎn)中小尺寸液晶面板的三重事業(yè)所（三重工廠）的第一工廠廠房（總樓地板面積約6萬平方公尺）出售給Aoi,，Aoi將借此導(dǎo)入半導(dǎo)體封裝產(chǎn)線。早在2024年7月,，夏普就曾宣布,，已和Aoi達(dá)成基本協(xié)議，Aoi將在三重工廠第一廠房打造先進(jìn)半導(dǎo)體面板封裝（advanced semiconductor panel packages）產(chǎn)線,。該先進(jìn)封裝產(chǎn)線預(yù)定將用來生產(chǎn)可因應(yīng)先進(jìn)封裝需求的Aoi FOLP（Fan-out Laminate Package）產(chǎn)品,。

發(fā)表于：4/2/2025

英特爾CEO陳立武：剝離非核心業(yè)務(wù) 建立世界一流晶圓代工廠

當(dāng)?shù)貢r間3月31日，英特爾在美國拉斯維加斯召開了“Intel Vision”（英特爾愿景）大會,，英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）首次公開亮相,，并做了主題為“A New Intel”的開場演講,，在回顧了其過往經(jīng)歷之后，分享了他對恢復(fù)英特爾公司技術(shù)和制造領(lǐng)導(dǎo)地位的方法的見解,。

發(fā)表于：4/1/2025

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