據(jù)韓媒 ETNews 報道,，三星電子和 SK 海力士都在推進(jìn)移動 DRAM 堆疊封裝技術(shù)的應(yīng)用,，該技術(shù)可提高移動設(shè)備的內(nèi)存帶寬,。

端側(cè) AI 是目前智能手機、筆記本等產(chǎn)品市場的熱門話題,，而實現(xiàn)端側(cè)運行模型需要更強大的移動 DRAM 性能,。堆疊芯片作為一種在 HBM 內(nèi)存上行之有效的策略被納入考慮。

然而,，以 LPDDR 為代表的移動 DRAM 芯片較小,，不適合與 HBM 相同的 TSV（硅通孔）連接方案；同時 HBM 制造工藝的高成本低良率特性也不能滿足高產(chǎn)能移動 DRAM 的需求,。

因此三星電子,、SK 海力士采用了另一種先進(jìn)封裝方式來實現(xiàn)移動 DRAM 芯片堆疊，也就是垂直布線扇出技術(shù) VFO,，該技術(shù)可提供更多的 IO 數(shù)據(jù)引腳,。

SK 海力士方面表示 VFO 技術(shù)將 FOWLP 和 DRAM 堆疊兩項技術(shù)結(jié)合，通過垂直連接大幅縮短了電信號在多層 DRAM 間的傳輸路徑,，同時能效也有提升,。

SK 海力士給出的數(shù)據(jù)顯示，其去年中的 VFO 技術(shù)驗證樣品在導(dǎo)線長度上僅有傳統(tǒng)布線產(chǎn)品的不到 1/4,，能效也提升了 4.9%,。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少了 27%,。

根據(jù) ETNews 的說法,，三星方面采用類似技術(shù)的產(chǎn)品是 LLW DRAM。LLW DRAM 可實現(xiàn)低延遲和 128GB/s的高帶寬性能,，同時能耗也僅有 1.2 pJ / b,。

采用 VFO 技術(shù)的產(chǎn)品有望成為繼 HBM 后的下一個 AI 內(nèi)存熱點。報道稱三星計劃于明年下半年實現(xiàn) LLW DRAM 的量產(chǎn),；而 SK 海力士相關(guān)產(chǎn)品目前已在量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,。