微波射頻相關(guān)文章 Fox繼續(xù)擴展新任命香港高級銷售主管 全球領(lǐng)先的頻率控制解決方案供應(yīng)商Fox Electronics公司繼續(xù)擴展在亞洲和大中國區(qū)的機構(gòu),,宣布提升曾穎琳擔任高級銷售主管,。曾穎琳在Fox公司香港辦事處工作,專門負責重要的EMS客戶,她已在Fox Electronics工作了八年,。 發(fā)表于:12/19/2011 科銳推出芯片型碳化硅功率器件助力高效電力電子模組 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件,??其J碳化硅ZFET? MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統(tǒng)硅器件相比,,可實現(xiàn)更高的能源效率,。 發(fā)表于:12/16/2011 影響電解電容壽命的因素 電解電容廣泛應(yīng)用在電力電子的不同領(lǐng)域,主要是用于平滑,、儲存能量或者交流電壓整流后的濾波,,另外還用于非精密的時序延時等。在開關(guān)電源的MTBF預(yù)計時,,模型分析結(jié)果表明電解電容是影響開關(guān)電源壽命的主要因素,,因此了解、影響電容壽命的因素非常重要,。 發(fā)表于:12/16/2011 第79屆中國電子展 權(quán)威的綜合性專業(yè)電子展,。中國電子展(CEF)始于1964年,是中國歷史最悠久,、最權(quán)威的電子行業(yè)展會,。中國電子展以領(lǐng)先的基礎(chǔ)電子技術(shù),促進中國電子產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新,,與中國電子產(chǎn)業(yè)共同成長,。 發(fā)表于:12/15/2011 Vishay提高VJ HVArc Guard®表面貼裝X7R MLCC的最小容量 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,提高其VJ HVArc Guard®表面貼裝X7R多層陶瓷片式電容器(MLCC)的最低容值,。對于更低的容值,公司會提供C0G(NP0)電介質(zhì),,電壓范圍1000V~2500V,,及采用0805~2225的5種外形尺寸。 發(fā)表于:12/15/2011 安森美半導體溝槽型低正向壓降肖特基整流器新系列提供更高的開關(guān)能效 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導體(ON Semiconductor,,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR),,用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用,。 發(fā)表于:12/14/2011 纖巧的 1.5W 隔離式低噪聲 DC/DC µModule 轉(zhuǎn)換器包含了變壓器 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 1.5W 輸出的 DC/DC 微型模塊 (µModule®) 轉(zhuǎn)換器 LTM8047 和 LTM8048,,這兩款器件具有 725VDC 電流隔離,采用 9mm x 11.25mm x 4.92mm BGA (球柵陣列) 封裝,。所有組件 (包括變壓器,、控制電路和電源開關(guān)) 都在這個小型封閉式 BGA 封裝中,,以在振動很大的應(yīng)用中實現(xiàn)卓越的互連可靠性。這些外形緊湊和可靠的產(chǎn)品在工業(yè),、航空電子及儀表設(shè)備中斷開接地環(huán)路,。兩款器件都在 3.1V 至 32V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,在副端提供穩(wěn)定的輸出電壓,,而且輸出電壓在 2.5V 至 12V (LTM8047) 和 1.2V 至 12V (LTM8048) 范圍內(nèi)可調(diào),。LTM8048 包括一個低噪聲線性后置穩(wěn)壓器,可在 300mA 時將輸出紋波噪聲降至 20µVRMS,。 發(fā)表于:12/14/2011 加快傳感器技術(shù)研發(fā)是出路 傳感器在各種電子產(chǎn)品之中應(yīng)用越來越廣泛,市場對其的需求也進一步提升,,特別是國家一系列節(jié)能減排,,鼓勵發(fā)展綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)華強電子網(wǎng)電子資訊提供最新的電子元器件資訊,電子技術(shù)資訊,LED資訊,IC資訊,非IC資訊,電子信息,展會信息,這里是您了解最新的電子元器件信息的最佳平臺. 發(fā)表于:12/14/2011 Vishay發(fā)布新系列高性能薄膜電阻網(wǎng)絡(luò) 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,推出新系列可在-55℃~+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)---HTRN系列,。該系列電阻網(wǎng)絡(luò)的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴大了近100℃,絕對TCR低至±25ppm/℃,,TCR跟蹤為5ppm/℃,,以及±0.05%的嚴格比例容差。 發(fā)表于:12/8/2011 IR為易受成本影響的多相位應(yīng)用推出IR3553 40A PowIRstage以最小尺寸實現(xiàn)高電流及高效率 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,,簡稱IR) 今天宣布擴充其 PowIRstage 集成式器件系列,,推出專為下一代服務(wù)器、消費者及通信系統(tǒng)優(yōu)化的 40A IR3553,。 發(fā)表于:12/6/2011 ADI推出戰(zhàn)術(shù)級10自由度MEMS IMU,不懼惡劣環(huán)境 Analog Devices, Inc. (ADI),,全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最近正式全面推出第三代iSensor® MEMS IMU(慣性測量單元)ADIS16488,,這是一款戰(zhàn)術(shù)級10自由度(DoF)傳感器,,在單封裝中集成一個三軸陀螺儀、一個三軸加速度計,、一個三軸磁力計和一個壓力傳感器,。新款MEMS IMU提供最穩(wěn)定、最完整的集成傳感器套件,,支持高性能導航和平臺穩(wěn)定控制應(yīng)用的嚴格要求,。除了重要的戰(zhàn)術(shù)級(低于10o/小時)零偏穩(wěn)定度以外,在重力加速度效應(yīng),、溫度系數(shù)和帶寬等一般更重要的特性方面,,ADIS16488同樣超過所有其它同類陀螺儀/IMU產(chǎn)品,,改善最多可達100倍。此外,,在對線性加速度和振動加速度抑制方面,,新款iSensor MEMS IMU甚至超過傳統(tǒng)軍用級IMU。每個器件均要經(jīng)過獨特而全面的工廠校準,,能夠在最惡劣的環(huán)境下提供無與倫比的精度,;相對于典型的運動傳感器開發(fā),設(shè)計的復(fù)雜度,、時間,、成本和風險大大降低。 發(fā)表于:12/5/2011 ADI推出戰(zhàn)術(shù)級MEMS陀螺儀,,性能匹敵光纖陀螺儀 Analog Devices, Inc. (ADI),,全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,,最近正式全面推出ADIS16136戰(zhàn)術(shù)級iSensor®數(shù)字MEMS陀螺儀 (http://www.analog.com/zh/pr1109/adis16136),其典型零偏穩(wěn)定度為3.5o/小時,,采用火柴盒大小的模塊封裝,,功耗低于1 W,重量僅25克,。新款戰(zhàn)術(shù)級(零偏穩(wěn)定度低于10o/小時)iSensor MEMS陀螺儀,,無需用戶配置就能產(chǎn)生精密準確的速率檢測數(shù)據(jù),使得快速開發(fā)平臺穩(wěn)定控制,、導航,、機器人、醫(yī)療儀器儀表等對精度要求非常高的應(yīng)用成為可能,。 發(fā)表于:12/5/2011 Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款工作溫度可達+230℃,儲存溫度達+245℃的環(huán)繞式厚膜片式電阻 日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款新型耐高溫,、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT,。對于鉆井應(yīng)用,CHPHT是業(yè)內(nèi)首款具有-55℃~+230℃的工作溫度和-55℃~+245℃儲存溫度的此類器件,。 發(fā)表于:12/5/2011 Vishay推出新款耐高溫鉭電容器 日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出在-55℃~+175℃溫度及50%電壓降額情況下工作的新系列HI-TMP® TANTAMOUNT®表面貼裝固態(tài)模壓片式鉭電容器---TH4系列,。通過AEC-Q200認證的TH4電容器能在遠遠超過工業(yè)標準的高溫下工作,,為汽車和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計工程師提供了穩(wěn)固和更可靠的產(chǎn)品,。 發(fā)表于:12/5/2011 IDT 展示全球首款商用壓電 MEMS 振蕩器 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應(yīng)商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,,已開發(fā)并展示全球首款納入壓電微機電系統(tǒng)(pMEMS)諧振器的商用振蕩器,。該振蕩器利用 pMEMS 諧振器與生俱來的高頻率,使其適合在任何應(yīng)用中替代傳統(tǒng)的石英振蕩器,。 發(fā)表于:12/1/2011 ?…90919293949596979899…?