Vishay Siliconix TrenchFET®功率MOSFET榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎
2011-12-20
作者：Vishay
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET® 榮獲專業(yè)媒體《電子技術(shù)應(yīng)用》(AET)的“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎。
在采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝的60V器件中，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及60V器件中最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對于設(shè)計者，更低的MOSFET導(dǎo)通電阻使得傳導(dǎo)損耗更低，可減少功耗，尤其是在重負載條件下。低FOM減少了高頻和開關(guān)應(yīng)用中的開關(guān)損耗，特別是在輕負載和待機模式下。器件的高效率使設(shè)計者能夠提高系統(tǒng)的功率密度，或同時在更綠色的設(shè)計方案中實現(xiàn)更低的能源損耗。
在兩個月的時間內(nèi)，用戶通過在wldgj.com投票的方式選出了中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎的獲獎?wù)摺?18款提名產(chǎn)品中有31款獲獎，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎項。
《電子技術(shù)應(yīng)用》創(chuàng)刊于1975年，內(nèi)容覆蓋中國的電子、通信、工業(yè)控制和計算機行業(yè)。這是該雜志第三年評選中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎。
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