微波射頻-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

Diodes為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的555定時(shí)器集成電路提供直接替代元件

Diodes公司推出一系列價(jià)格實(shí)惠的555定時(shí)器集成電路，以繼續(xù)擴(kuò)充其標(biāo)準(zhǔn)線性產(chǎn)品組合。Diodes推出的首批三款定時(shí)器，專為直接替換經(jīng)久不衰的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)元件而設(shè)計(jì)。其操作溫度范圍寬廣，滿足商業(yè)及工業(yè)級(jí)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的要求，包括適用溫度介于0ºC和+70ºC 的NE555、介于-40ºC和+85ºC 的SA555，以及介于-40ºC和+105ºC 的NA555。

發(fā)表于：2/23/2012

美光與爾必達(dá)合并可能震動(dòng)DRAM市場(chǎng)

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)研究簡(jiǎn)報(bào)，美國(guó)美光與日本爾必達(dá)如果合并，可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生劇烈變化。

發(fā)表于：2/16/2012

FCI推出多端口和單端口RJ45模塊插座連接器

作為一家領(lǐng)先的連接器和連接系統(tǒng)供應(yīng)商，F(xiàn)CI正在擴(kuò)大其模塊插座生產(chǎn)線，提供多端口和單端口RJ45連接器。該模塊插座適用于寬帶交換機(jī)、集線器、路由器、服務(wù)器和通信應(yīng)用。與傳統(tǒng)的完全鍍金版本相比，F(xiàn)CI的可選鍍金RJ45連接器保持原有的耐用性或性能，具有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：2/16/2012

RS Components加大亞太投資力度　大幅增加8萬(wàn)多件最暢銷產(chǎn)品庫(kù)存　確保了高需求產(chǎn)品的供應(yīng)

世界領(lǐng)先電子產(chǎn)品和維修產(chǎn)品的高端服務(wù)分銷商、Electrocomponents plc( http://www.electrocomponents.com )集團(tuán)公司（LSE：ECM）的貿(mào)易品牌RS Components( http://www.rs-components.com )公司，今天宣布近期已在亞太地區(qū)增加8萬(wàn)多件產(chǎn)品庫(kù)存，目前這些產(chǎn)品儲(chǔ)存于公司位于澳大利亞、中國(guó)內(nèi)地、香港、日本和新加坡的主要倉(cāng)庫(kù)中。本地區(qū)的客戶現(xiàn)可以盡情挑選該公司電子、維護(hù)及自動(dòng)化和控制等各類產(chǎn)品組合，并享受更快速的交付服務(wù)。　

發(fā)表于：2/15/2012

益登科技與Packet Digital宣布達(dá)成代理協(xié)議

專業(yè)電子元器件代理商益登科技（TSE:3048）與Packet Digital達(dá)成代理協(xié)議，此次的合作結(jié)盟為Packet Digital的PowerSage集成電路產(chǎn)品在全球銷售市場(chǎng)的一大進(jìn)展。PowerSage集成電路產(chǎn)品具備按需用電（On-Demand Power）專利技術(shù)，使得益登科技的電源產(chǎn)品線更加完善，并可滿足其廣大客戶的省電需求。

發(fā)表于：2/15/2012

TE電路保護(hù)部推出面向各種高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用的、業(yè)界最低電容的硅靜電放電保護(hù)器件

TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。

發(fā)表于：2/15/2012

同步降壓型控制器利用 mΩ 以下的 DCR 檢測(cè)提供真正的電流模式控制

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出電流模式同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3866，該控制器采用了一種新穎的 DCR 檢測(cè)架構(gòu)，此架構(gòu)可改善電流檢測(cè)信號(hào)的信噪比，從而允許使用非常低 DC 電阻的功率電感器。可采用一個(gè)低至 0.17mΩ 的功率電感器 DC 電阻，以最大限度地提高轉(zhuǎn)換器效率并增加功率密度。這種新型 DCR 檢測(cè)方法大幅降低了低 DCR 電阻應(yīng)用中常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)抖動(dòng)。DCR 溫度補(bǔ)償功能電路可在寬廣的溫度范圍內(nèi)保持一個(gè)恒定和準(zhǔn)確的電流限制門限。

發(fā)表于：2/9/2012

恩智浦推出最高支持1.5A的突破性0.37mm超平封裝肖特基整流器

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布推出面向移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的新一代低VF肖特基整流器，標(biāo)志著其為小型化發(fā)展設(shè)立了新的重要基準(zhǔn)。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封裝典型厚度僅為0.37 mm，尺寸為1.6 x 0.8 mm，是市場(chǎng)上支持最高1.5A電流的最小器件。DFN1608D-2共包括六個(gè)型號(hào)的肖特基勢(shì)壘整流器：其中三款為針對(duì)極低正向電壓的20V型號(hào)，另外三款為針對(duì)極低反向電流的40V型號(hào)。平均正向電流范圍為0.5至1.5A。

發(fā)表于：2/9/2012

飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議為客戶保證供貨穩(wěn)定性

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。

發(fā)表于：2/8/2012

雙輸出、多相降壓型 DC/DC 控制器可與 Power Block 及 DrMOS 器件運(yùn)行

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3861，該控制器可與外部功率鏈器件 (如 Power Block 和 DrMOS)、以及分立式 N 溝道 MOSFET 和相關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器配合工作，從而實(shí)現(xiàn)了靈活的設(shè)計(jì)配置。可并聯(lián)多達(dá) 12 相和異相定時(shí)運(yùn)作，以最大限度地減少輸入和輸出濾波，從而滿足非常高的電流要求 (高達(dá) 300A)。其應(yīng)用包括高電流功率分配以及工業(yè)系統(tǒng)、DSP 和 ASIC 電源。

發(fā)表于：2/8/2012

瑞薩宣布開(kāi)發(fā)出在單芯片中集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢(shì)壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會(huì)社與瑞薩聯(lián)合開(kāi)發(fā)的技術(shù)，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅（Si）的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

發(fā)表于：2/8/2012

瑞薩宣布開(kāi)發(fā)出在單芯片中集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢(shì)壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會(huì)社與瑞薩聯(lián)合開(kāi)發(fā)的技術(shù)，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅（Si）的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

發(fā)表于：2/8/2012

富士通半導(dǎo)體推出基于0.18 µm技術(shù)的全新5V I2C接口FRAM

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司近日宣布推出其基于0.18µm技術(shù)的全新系列FRAM產(chǎn)品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個(gè)型號(hào)，均支持I2C接口且可在5V電壓下工作，即日起即可供貨。　

發(fā)表于：2/7/2012

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器

　世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開(kāi)創(chuàng)了全新的機(jī)遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲(chǔ)器系列中的首個(gè)產(chǎn)品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫(xiě)特性和幾無(wú)乎無(wú)限次的耐用性。

發(fā)表于：2/7/2012

安森美半導(dǎo)體公布“2011代理合作伙伴獎(jiǎng)”獲獎(jiǎng)名單

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)公布其2011年最佳代理合作伙伴名單。此獎(jiǎng)項(xiàng)表彰在各個(gè)區(qū)域市場(chǎng)引領(lǐng)渠道銷售、增加市場(chǎng)份額、謀取安森美半導(dǎo)體所收購(gòu)公司之產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)以及總體流程表現(xiàn)優(yōu)異的代理商。

發(fā)表于：2/7/2012