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美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5” SATA SLC固態(tài)驅(qū)動器應對數(shù)據(jù)存儲安全威脅

致力于提供幫助功率管理,、安全,、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)發(fā)布全球唯一的安全性0.5 TB (half-terabyte) 固態(tài)驅(qū)動器(solid state drive, SSD)產(chǎn)品，用于移動視頻監(jiān)控運作,、存儲域網(wǎng)絡(luò)(SAN)和其它需要出色的實時數(shù)據(jù)保護的大容量存儲應用。堅固耐用的TRRUST-Stor? Series 200 2.5” SATA SSD在持續(xù)的200 MB/s速率下運作,，并且提供低于10s的業(yè)界最快速完全硬件基礎(chǔ)擦除時間,，這款自加密0.5TB SSD現(xiàn)在可以供貨，目前付運至數(shù)家客戶,，用于支持需要大容量安全存儲能力的應用,。

發(fā)表于：8/29/2013

意法半導體(ST)進一步擴大市場領(lǐng)先的MEMS產(chǎn)品組合,，推出世界最小的電子羅盤模塊，實現(xiàn)更順暢且更智能的功能

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST,；紐約證券交易所代碼：STM）,，利用其先進MEMS技術(shù)在一個封裝內(nèi)整合3軸加速度計和3軸磁力計，成功開發(fā)出世界上最小的電子羅盤模塊,。

發(fā)表于：8/1/2013

一種基于閃存固態(tài)盤的內(nèi)存交換區(qū)空間分配方案

針對閃存固態(tài)盤語義缺失特性,，提出了一種帶有語義感知的交換區(qū)空間分配方案，減少了交換系統(tǒng)中Trim命令的使用次數(shù),，進而減少內(nèi)存交換系統(tǒng)中的時間開銷,，提高程序運行的性能。

發(fā)表于：7/30/2013

Molex MX150 非密封連接器系統(tǒng)以經(jīng)過現(xiàn)場驗證的MX150 端子系統(tǒng)為基礎(chǔ),，采用成本設(shè)計方法構(gòu)建

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司推出用于汽車工業(yè)直接連接或同軸(in-line)中等功率車身電子應用的MX150?非密封連接器系統(tǒng),，用于內(nèi)部照明,、控制臺、梳妝鏡,、座椅和門鎖等空間受限場合,。新型非密封連接系統(tǒng)使用目前獲得眾多線束制造商部署使用及經(jīng)過現(xiàn)場驗證的Molex MX150端子設(shè)計，較傳統(tǒng)USCAR 1.50mm接口顯著節(jié)省空間。

發(fā)表于：7/15/2013

Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管,，為智能手機及平板電腦的設(shè)計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇,。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度,。

發(fā)表于：7/4/2013

中國成為富士通FRAM最大市場，電表工控汽車等領(lǐng)域全面開花

近五年之內(nèi),，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM,、ReRAM,、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有FRAM,。那么現(xiàn)如今FRAM在中國的應用進展如何,？在哪些更多的應用領(lǐng)域正在取代傳統(tǒng)的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢,？

發(fā)表于：7/3/2013

意法半導體（ST）過壓保護二極管創(chuàng)小型化記錄，為移動應用釋放更多電路板空間

意法半導體推出全球最小的瞬態(tài)電壓抑制二極管,，為消費電子產(chǎn)品和手持產(chǎn)品內(nèi)的敏感電子元器件提供過壓保護功能。

發(fā)表于：4/10/2013

英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的新一代DrMOS器件DrBlade

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件,，它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級,。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動器技術(shù)及OptiMOS? MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù),，能達到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率,，適用于計算及電信應用，包括刀片服務器和機架服務器,、PC主板,、筆記本電腦和游戲機等。

發(fā)表于：3/27/2013

恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm無引腳封裝的低VCEsat雙晶體管

智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品,，具有低飽和電壓特性,，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳,、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市,，它們的集電極電壓(VCEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN),。

發(fā)表于：3/25/2013

德州儀器推出支持業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管

日前,，德州儀器(TI) 宣布推出一款采用標準表面貼裝封裝并支持15A 電流處理功能與業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管。與采用3 個傳統(tǒng)肖特基二極管的類似接線盒相比，在典型應用中每個SM74611 不但可將功耗銳降80%,，而且還可將接線盒內(nèi)的工作溫度降低50 攝氏度,。

發(fā)表于：3/18/2013

Everspin推出帶Quad SPI接口的1Mb串行MRAM器件

Everspin科技公司今天宣布推出一款帶有Quad SPI接口的1Mb全新串行MRAM器件 ——MR10Q010。Quad SPI有4個串行I/O通路,，從一個串行I/O通路的SPI發(fā)展而來。MRAM和Quad SPI的結(jié)合讓用戶可以充分運用超高的寫速度,，徹底摒棄了Flash或EEPROM器件必須經(jīng)歷的寫延時,。MR10Q010擁有一個52MBps讀/寫帶寬的104MHz時鐘速度，Everspin期待它用在需要高頻率,、高速寫入重要數(shù)據(jù)的應用中,。MR10Q010體現(xiàn)了Everspin磁性RAM（MRAM）的所有優(yōu)點 —— 最快的非易失性隨機訪問存儲器，具有超強的可靠性,。

發(fā)表于：3/5/2013

德州儀器柵極驅(qū)動器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計需求

日前,，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 與碳化硅(SiC) FET 的35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI 支持拆分輸出的最新UCC27531 與UCC27532 輸出級柵極驅(qū)動器可為隔離式電源設(shè)計提供最高效率的輸出驅(qū)動功能,、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護力,，以充分滿足太陽能DC/AC 逆變器、不間斷電源供應以及電動汽車充電等應用需求,。

發(fā)表于：3/4/2013

電源設(shè)計小貼士 50：鋁電解電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其低成本的特點,，鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是,，它們壽命有限,，且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片,。這種電解液會在電容器壽命期間蒸發(fā),，從而改變其電氣屬性。如果電容器失效,，其會出現(xiàn)劇烈的反應：電容器中形成壓力,，迫使它釋放出易燃、腐蝕性氣體,。

發(fā)表于：2/26/2013

英飛凌選用漢高新型導熱膏——導熱性能更出色的TIM

功率半導體的功率密度日益提高,，因此，必須早在其設(shè)計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中,。只有這樣,，它們才能確保實現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導熱膏,。在高功率密度的情況下,，目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。在尋求解決方案的過程中，英飛凌科技股份公司選中了漢高電子材料提供的TIM材料?，F(xiàn)在,，漢高進一步推出一種專門針對功率半導體模塊而優(yōu)化的導熱膏。

發(fā)表于：2/26/2013

意法半導體（ST）與阿姆斯特丹大學理工學院合作追蹤鳥類飛行記錄

意法半導體與阿姆斯特丹（UvA）大學理工學院攜手宣布,，該大學研發(fā)的先進鳥類追蹤系統(tǒng)采用了意法半導體的先進MEMS傳感技術(shù),。

發(fā)表于：2/22/2013