恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日宣布推出nextpowerS3">NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺(tái),使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術(shù),。NextPowerS3是業(yè)界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET,，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能,，而且這種MOSFET沒(méi)有令人煩惱的高漏電流問(wèn)題。NextPowerS3 30V的產(chǎn)品適合于各種應(yīng)用,，包括用于通信和云端計(jì)算機(jī)所需要的高效率電源,、高性能便攜式計(jì)算機(jī)電源和電池供電式電機(jī)控制，如可充電電動(dòng)工具,。 

    最近幾年的趨勢(shì)是研發(fā)高頻應(yīng)用的MOSFET,，努力降低開(kāi)關(guān)損耗并提高開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計(jì)的效率。然而,，更高的開(kāi)關(guān)速度會(huì)產(chǎn)生更高開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓尖峰,、耦合柵極毛刺等問(wèn)題，并且會(huì)帶來(lái)電壓擊穿,、影響EMI和可靠性等潛在問(wèn)題。

    一種廣泛使用的解決方案是將肖特基二極管和類似肖特基二極管集成在MOSFET結(jié)構(gòu)中,。然而,，肖特基二極管產(chǎn)生高漏電流（特別是在高溫環(huán)境下），會(huì)影響效率,、電池壽命和制造過(guò)程中的次品鑒別能力,，但是恩智浦的NextPowerS3系列產(chǎn)品結(jié)合帶軟恢復(fù)功能的超快速開(kāi)關(guān)性能，解決了所有這些問(wèn)題,，可提供更高的效率和更高的功率密度,，同時(shí)能將電壓尖峰保持在可控范圍內(nèi)，并將漏電流限制在1 µA以內(nèi),。

    恩智浦半導(dǎo)體MOSFET營(yíng)銷與業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Chris Boyce表示：“大家都知道肖特基二極管漏電流很嚴(yán)重,，特別是在高溫環(huán)境下。雖然通過(guò)設(shè)計(jì)有可能將漏電流控制在1 mA或2 mA左右,，但最大的問(wèn)題是因此帶來(lái)質(zhì)量的問(wèn)題,。因此,，我們將漏電流作為推動(dòng)零缺陷制造的重要指標(biāo)。從一堆固有高漏電流的器件中找出缺陷器件就像在警報(bào)聲中聽(tīng)清耳語(yǔ)一樣困難,。NextPowerS3的亞微安漏電流意味著恩智浦的產(chǎn)品不存在這種問(wèn)題,。”

功能

·通過(guò)超低Qg、Qgd和Coss獲得較高系統(tǒng)效率

·降低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓尖峰,；低EMI

·特有的SchottkyPlus技術(shù),；集成式肖特基性能且無(wú)高漏電流

·無(wú)焊線，無(wú)膠合,；結(jié)溫為175°C

鏈接

·        NextPower S3 MOSFET：www.nxp.com/nextpowerS3

·        PSMN4R0-30YLD：http://www.nxp.com/pip/PSMN4R0-30YLD  

·        PSMN6R0-30YLD：http://www.nxp.com/pip/PSMN6R0-30YLD  

PSMN6R1-30YLD：http://www.nxp.com/pip/PSMN6R1-30YLD