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意法半導(dǎo)體(ST)推出世界最小的高集成度8通道超聲波脈沖發(fā)生器,，有效簡化超聲波設(shè)備設(shè)計

中國,，2014年8月25日——意法半導(dǎo)體推出的STHV800 8通道超聲波發(fā)生器將會降低超聲波影像機(jī)的成本和尺寸,。意法半導(dǎo)體獨有的SOI-BCD6[1]制造工藝可在同一顆芯片上集成低壓CMOS邏輯電路,、精確模擬電路和穩(wěn)健的功率級,，實現(xiàn)前所未有的集成度,。

發(fā)表于：8/26/2014

美高森美延續(xù)在FPGA安全啟動領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位新增Cryptography Research的差分功率分析專利許可

致力于提供功耗,、安全,、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 宣布已從Rambus公司屬下Cryptography Research獲得其現(xiàn)有差分功率分析(Differential Power Analysis, DPA)專利許可的延期,，這項專利許可延期可讓美高森美繼續(xù)使用Cryptography Research專利的突破性DPA對策產(chǎn)品組合,，提供業(yè)界領(lǐng)先的第三方處理器和FPGA安全啟動解決方案。

發(fā)表于：8/26/2014

4µA IQ 熱插拔控制器保護(hù)電池

凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流(IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231,，該器件允許電路板或電池安全地從2.7V 至36V 系統(tǒng)中插入和拔出,。LTC4231 控制一個外部N 溝道MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電,，從而避免瞬態(tài)放電,、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。

發(fā)表于：8/26/2014

Littelfuse公司宣布其瞬態(tài)抑制二極管陣列系列將ESD保護(hù)與共模EMI濾波相結(jié)合,，以節(jié)省成本和空間

Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),，日前宣布推出了SP5001,、SP5002和SP5003系列瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA®二極管）。這些高度集成的共模濾波器（CMF）可為使用高速差分串行接口的系統(tǒng)同時提供靜電放電（ESD）保護(hù)和共模濾波功能。它們可以保護(hù)和過濾兩個（SP5001和SP5003）或者三個（SP5002）差分線對,。

發(fā)表于：8/26/2014

Molex 新一代帶 LED 的 RJ45 PoE+ 千兆位磁性插口登陸 Mouser

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應(yīng) Molex 推出的帶 LED 的增強(qiáng)型以太網(wǎng)供電 (PoE+) 千兆位磁性插口,。該系列以太網(wǎng)插口能夠通過以太網(wǎng)供電為連接器件提供高達(dá) 30W 的功率。

發(fā)表于：8/19/2014

基于WSN的寬量程射頻功率檢測系統(tǒng)設(shè)計

介紹了一種基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)（WSN）的多點寬量程射頻功率檢測系統(tǒng),。傳感器節(jié)點由微控制器CC2430作為主控芯片,，由真有效值功率檢波芯片AD8362及數(shù)字衰減器HMC274作為功率檢測探頭，以實現(xiàn)寬量程功率采集,。通過ZigBee無線技術(shù)和GPRS通信技術(shù)實現(xiàn)對各節(jié)點射頻功率的定時測量,、存儲和顯示。經(jīng)過對2.4 GHz射頻信號的實驗測試,結(jié)果表明傳感器節(jié)點測量范圍達(dá)到-50 dB~ +40 dB,，誤差在0.5%以內(nèi),，系統(tǒng)工作穩(wěn)定，通信效果理想,。

發(fā)表于：8/15/2014

e絡(luò)盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET

e絡(luò)盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET,，英飛凌CoolMOS?系列功率MOSFET是計算機(jī)、服務(wù)器,、電信及UPS等工業(yè)應(yīng)用的理想選擇,。

發(fā)表于：8/7/2014

Vishay推出用于導(dǎo)電膠合的采用金端接的新款精密薄膜片式電阻

Vishay推出用于導(dǎo)電膠合的采用金端接的新款精密薄膜片式電阻，器件的外形尺寸為0402和0603,，公差為±0.1%,。

發(fā)表于：8/7/2014

S類功放的頻率可調(diào)帶通ΔΣ調(diào)制器研究與實現(xiàn)

S類射頻功率放大器同時具有高效率和高線性特性，適合在全數(shù)字發(fā)信機(jī)中應(yīng)用,。但需要將任意輸入的射頻信號轉(zhuǎn)換為兩電平脈沖調(diào)制信號,，帶通增量求和（ΔΣ）調(diào)制才可以很好地實現(xiàn)上述功能。為實現(xiàn)S類功放的寬頻帶工作,，帶通ΔΣ調(diào)制器的中心頻率必須實現(xiàn)與輸入信號頻率的實時跟隨,。通過對ΔΣ調(diào)制算法的研究，提出了一種頻率可調(diào)帶通ΔΣ調(diào)制器的設(shè)計方法,，并利用Matlab軟件和FPGA對設(shè)計的調(diào)制器分別進(jìn)行了仿真和實驗驗證,。驗證結(jié)果證明了該設(shè)計方法的可行性和有效性。

發(fā)表于：8/7/2014

聚合電子制造產(chǎn)業(yè)鏈 2014 NEPCON華南電子展火爆招展中

華南地區(qū)最大,、歷史最悠久的行業(yè)盛會之一的NEPCON South China 2014將在8月26日-28日閃耀深圳會展中心,，今年也是NEPCON華南電子展20周年。

發(fā)表于：8/6/2014

Vishay推出基于氮化鋁基板的新款小尺寸表面貼裝精密薄膜片式電阻

日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新系列高功率表面貼裝的精密薄膜片式電阻---PCAN系列器件。該系列器件采用氮化鋁基板,，功率等級為2W～6W,，分別采用1206和2512小外形尺寸,。

發(fā)表于：8/1/2014

IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時鐘緩沖器U系列,，供給電壓與SoC和FPGA相同

IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時鐘緩沖器系列,，使用同樣的 1.5 伏特電壓軌,，降低系統(tǒng)復(fù)雜性、尺寸和功耗

發(fā)表于：7/29/2014

Vishay新薄膜片式電阻陣列在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性

Vishay推出在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性的新系列薄膜片式電阻陣列,。器件采用金端接,，具有±0.05%的相對公差和±5ppm/K的相對TCR，可用于導(dǎo)電膠合,。

發(fā)表于：7/25/2014

IDT DDR4 寄存器發(fā)貨量達(dá)到百萬單位標(biāo)記線

IDT日前宣布,，其DDR4 寄存器發(fā)貨量已超過1 百萬件，這是由于即將發(fā)布的Intel® Xeon? 處理器E5-2600 v3 平臺對下一代DRAM 模塊的需求增長而引致的必然結(jié)果,。IDT 的DDR4 寄存器是芯片組的一部分,，芯片組還包括數(shù)據(jù)緩沖器和帶串行存在檢測(SPD) 功能的熱敏元件。同時,，它們?nèi)w支持驅(qū)動下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器所需的全系列無緩沖雙內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊(UDIMM),、寄存DIMM (RDIMM) 和負(fù)載降低DIMM (LRDIMM)。

發(fā)表于：7/24/2014

基于測向天線的ADS-B信息校驗技術(shù)研究

針對ADS-B技術(shù)存在的抗干擾能力低,、容易受到干擾和欺騙的問題,，在分析傳統(tǒng)的ADS-B信息校驗技術(shù)的基礎(chǔ)上，提出了一種利用無線電測向技術(shù)實現(xiàn)ADS-B信息校驗的新方法,。該方法可以實現(xiàn)ADS-B虛假目標(biāo)的有效識別,。

發(fā)表于：7/3/2014