EDA與制造-AET-電子技術應用

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中國第四代半導體新突破：6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

中國第四代半導體新突破：6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室。采用自主開創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

發(fā)表于：3/22/2024

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設計平臺進軍共封裝光學領域

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設計平臺進軍共封裝光學領域 3 月 21 日消息，聯(lián)發(fā)科昨日宣布攜手光通信廠商 Ranovus 推出新一代共封裝光學（CPO）ASIC 設計平臺，提供異質(zhì)整合高速電子與光學型號的 I / O 解決方案。案。"

發(fā)表于：3/22/2024

三星電子確認下半年推出第二代3nm制程工藝

3 月 21 日消息，三星電子 DS 部門下屬 Foundry 業(yè)務部負責人崔時榮在昨日舉行的三星電子年度股東大會上表示將于今年下半年推出第二代 3nm 制程工藝，回擊了近日的 " 更名 " 傳聞。

發(fā)表于：3/22/2024

英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進半導體在美歐生產(chǎn)

英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進半導體在美歐生產(chǎn)

發(fā)表于：3/22/2024

美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量

美光：HBM 內(nèi)存消耗 3 倍晶圓量，明年產(chǎn)能基本預定完畢

發(fā)表于：3/22/2024

意法半導體宣布聯(lián)手三星推出18nm FD-SOI工藝

意法半導體宣布聯(lián)手三星推出 18nm FD-SOI 工藝，支持嵌入式 PCM

發(fā)表于：3/22/2024

中國已連續(xù)8年成為世界最大工業(yè)機器人市場遠超預期

根據(jù)美國研究機構ITIF 3月最新分析，雖然美國產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新享有盛譽，但在機器人創(chuàng)新方面，中國企業(yè)成為領先者只是時間問題。近年來在推動工廠數(shù)字化、智慧化之下，中國已連續(xù)8年成為全球最大的工業(yè)機器人市場。ITIF統(tǒng)計，中國目前機器人的應用比例是此前業(yè)內(nèi)專家預測的12.5倍。 ITIF分析全球機器人創(chuàng)新數(shù)據(jù)，如科學論文和專利，并對四大中國機器人公司進行研究，同時與中國機器人產(chǎn)業(yè)全球專家進行訪談和會議。最終得出結論：中國當前尚未成為機器人創(chuàng)新的領導者，但其在國內(nèi)生產(chǎn)和應用正在快速增長，中國政府也將發(fā)展機器人作為優(yōu)先事項。因此，中國機器人公司達到世界領先地位可能只是時間問題。

發(fā)表于：3/22/2024

國產(chǎn)磁流體拋光機亮相，超精密光學加工不再被“卡脖子”

國產(chǎn)磁流體拋光機亮相，超精密光學加工不再被“卡脖子”

發(fā)表于：3/22/2024

新思科技攜手英偉達釋放下一代EDA潛能

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年3月20日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布與英偉達（NVIDIA）強強聯(lián)手，借助人工智能和加速計算技術大幅提升芯片設計效率，加速汽車原型創(chuàng)新。雙方已合作三十余載，此次合作在英偉達全球GTC人工智能大會上正式宣布。新思科技全球總裁兼首席執(zhí)行官Sassine Ghazi表示：“新思科技長期致力于以全球領先的技術助力開發(fā)團隊攻克各種前所未有的技術挑戰(zhàn)。如今，我們將利用人工智能和加速計算等先進技術，將這一目標和承諾提升到一個全新高度。在英偉達GH200 Grace Hopper?超級芯片的加持下，新思科技EDA全套技術棧的性能顯著提升。與此同時，我們與英偉達的全新合作也將助力芯片到汽車系統(tǒng)技術研發(fā)團隊大幅提升團隊的創(chuàng)新潛力。”

發(fā)表于：3/21/2024

格創(chuàng)東智完成AMHS收購簽約

3月20日,格創(chuàng)東智AMHS業(yè)務啟動暨產(chǎn)品發(fā)布會在SEMICON China 2024展會現(xiàn)場成功舉行。會上,格創(chuàng)東智完成對耘德有限公司、江蘇睿新庫智能科技有限公司的戰(zhàn)略收購簽約。

發(fā)表于：3/21/2024

美國政府宣布計劃向英特爾提供近200億美元激勵

3 月 20 日消息，美國商務部 3 月 20 日宣布，美國政府與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)美國《芯片與科學法案》向后者提供至多 85 億美元（當前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當前約 792 億元人民幣）貸款，以擴大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領域重新確立在美國的領導地位，并與臺積電和三星等公司競爭。

發(fā)表于：3/21/2024

三星：最快2年奪回全球芯片市場第一

3月20日消息，據(jù)媒體報道，三星電子在周三舉行的年度股東大會上放下豪言，表示目標是在最快2-3年內(nèi)重新奪回全球芯片市場的第一位置。據(jù)悉，三星電子計劃在未來幾年內(nèi)通過一系列的戰(zhàn)略舉措來實現(xiàn)這一目標。首先，三星預計公司的DS（Device Solutions）部門的銷售額將在2024年恢復到2022年水平，這將為公司重返全球芯片市場第一奠定基礎。除了恢復銷售額外，三星還宣布將在所有設備中廣泛采用人工智能技術，通過提升人工智能能力，他們積極尋求涉足汽車零部件、機器人和數(shù)字健康領域的新業(yè)務。一。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報告》。報告顯示，由于存儲器市場的復蘇以及高性能計算、汽車應用的強勁需求，全球應用于前道工藝的300mm晶圓廠設備投資，預計將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達到創(chuàng)紀錄的1370億美元。 SEMI預測，2025年全球300mm晶圓廠設備投資將增長20%至1165億美元，2026年增長12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長5%至1370億美元。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進半導體設備

2024年3月20日,中國上海——今天,國內(nèi)領先的半導體設備供應商奧芯明亮相SEMICON China 2024。作為ASMPT全球技術網(wǎng)絡的一部分,奧芯明以中國設備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對高質(zhì)量、高精度芯片封裝的先進設備。

發(fā)表于：3/20/2024

基于SIP技術的固態(tài)硬盤電路設計

存儲系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設計了一款基于SiP技術的固態(tài)硬盤電路，用于驗證存儲系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲的NAND顆粒、用于固件存儲的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺上進行底層ATA指令驗證以及與傳統(tǒng)分離式存儲系統(tǒng)的對比性能測試，證明了應用SiP技術的存儲系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢，為后續(xù)SiP存儲系統(tǒng)的設計和驗證奠定了一定的技術基礎。

發(fā)表于：3/20/2024