EDA與制造-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

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HBM4內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)已達(dá)白熱化

HBM4內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)已達(dá)白熱化！三星、SK海力士、美光紛紛發(fā)聲

發(fā)表于：5/15/2024

SEMI：Q1全球半導(dǎo)體制造業(yè)改善中國(guó)產(chǎn)能增長(zhǎng)率最高

5月14日，SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）與調(diào)研機(jī)構(gòu)TechInsights合作編制的最新報(bào)告顯示，隨著電子板塊銷(xiāo)售額的上升、庫(kù)存的穩(wěn)定和晶圓廠產(chǎn)能的增加，2024年第一季度全球半導(dǎo)體制造業(yè)出現(xiàn)改善跡象，預(yù)計(jì)下半年行業(yè)增長(zhǎng)將更加強(qiáng)勁。

發(fā)表于：5/15/2024

東芝HAMR、MAMR機(jī)械硬盤(pán)技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān)

東芝 HAMR、MAMR 機(jī)械硬盤(pán)技術(shù)雙雙突破 30TB 大關(guān)，后者業(yè)界首次實(shí)現(xiàn) 11 盤(pán)片

發(fā)表于：5/15/2024

美國(guó)芯片法案已撥款290億美元

美國(guó)芯片法案已撥款290億美元，將撬動(dòng)3000億美元投資根據(jù)CHIPS法案的資金分配，110億美元的研發(fā)資金將直接用于推進(jìn)四個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的進(jìn)展：美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)、國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃(NAPMP)、美國(guó)芯片研發(fā)計(jì)量計(jì)劃以及美國(guó)芯片制造協(xié)會(huì)。該法案還為制造芯片及相關(guān)設(shè)備的資本支出提供25%的投資稅收抵免。

發(fā)表于：5/14/2024

SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內(nèi)存

5月14日消息，HBM負(fù)責(zé)人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當(dāng)前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使SK海力士將加速開(kāi)發(fā)過(guò)程，最早在2026年推出他們的 HBM4E內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。

發(fā)表于：5/14/2024

消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證

消息稱三星電子 8 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證

發(fā)表于：5/14/2024

消息稱SK海力士三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

消息稱 SK 海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn) DDR3 內(nèi)存，帶動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格上行

發(fā)表于：5/13/2024

華為牽頭貢獻(xiàn)開(kāi)源代碼的OGG 1.0正式發(fā)布

5月12日消息，數(shù)字化工業(yè)軟件聯(lián)盟（DISA）宣布，由其孵化的開(kāi)源項(xiàng)目OGG 1.0開(kāi)源幾何建模引擎已正式發(fā)布。 OGG旨在為全球工業(yè)軟件提供第二選擇，特別是在3D幾何建模領(lǐng)域。同時(shí)華為已將486項(xiàng)增強(qiáng)后的幾何內(nèi)核代碼全部開(kāi)源到OGG社區(qū)。 DISA秘書(shū)長(zhǎng)丘水平表示，OGG基于全球唯一具有工程價(jià)值的開(kāi)源內(nèi)核OCCT，發(fā)展新一代工業(yè)軟件內(nèi)核，被視為確保工業(yè)軟件連續(xù)可控的戰(zhàn)略選擇。

發(fā)表于：5/13/2024

全球政府正在瘋狂補(bǔ)貼半導(dǎo)體

以美國(guó)和歐盟為首的超級(jí)大國(guó)已投入近 810 億美元用于生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，加劇了與中國(guó)爭(zhēng)奪芯片霸主地位的全球攤牌。這是世界各國(guó)政府為英特爾公司和臺(tái)積電等公司撥出的第一批近 3800 億美元的資金，用于提高更強(qiáng)大的微處理器的生產(chǎn)。這一激增將華盛頓主導(dǎo)的與北京在尖端技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)推向了一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這將塑造全球經(jīng)濟(jì)的未來(lái)。蘭德公司高級(jí)中國(guó)及戰(zhàn)略技術(shù)顧問(wèn)吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示：“毫無(wú)疑問(wèn)，我們?cè)谂c中國(guó)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)方面已經(jīng)越過(guò)了盧比孔河，特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域。” 雙方基本上已將此作為國(guó)家首要戰(zhàn)略目標(biāo)之一。

發(fā)表于：5/13/2024

新思科技面向臺(tái)積公司先進(jìn)工藝加速下一代芯片創(chuàng)新

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年5月11日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，攜手臺(tái)積公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)開(kāi)展廣泛的EDA和IP合作，這些合作成果已應(yīng)用于一系列人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和移動(dòng)設(shè)計(jì)中。其中雙方的最新合作是共同優(yōu)化的光子集成電路（PIC）流程，使硅光子技術(shù)應(yīng)用賦能更高功率、性能和晶體管密度的需求。

發(fā)表于：5/11/2024

Intel 14A工藝至關(guān)重要 2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級(jí)工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

發(fā)表于：5/11/2024

國(guó)內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣

國(guó)內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣！華為、英偉達(dá)等巨頭都在押注

發(fā)表于：5/10/2024

中芯國(guó)際營(yíng)收超越聯(lián)電格芯成為全球第二

首次！中芯國(guó)際營(yíng)收超越聯(lián)電、格芯成為全球第二

發(fā)表于：5/10/2024

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無(wú)錫晶圓廠49.9%股權(quán)

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無(wú)錫晶圓廠49.9%股權(quán)

發(fā)表于：5/10/2024

消息稱三星電子已提前組建1dnm內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)

消息稱三星電子已提前組建 1dnm 內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，目標(biāo)重建優(yōu)勢(shì)

發(fā)表于：5/10/2024