5 月 9 日消息,，韓媒 Sedaily 援引行業(yè)消息人士的話稱,，三星電子近日決定組建 1dnm DRAM 內(nèi)存的技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì),。

目前 DRAM 內(nèi)存行業(yè)的最新制程是 10+ nm 系列的第五代工藝，即 1bnm,；

三大內(nèi)存廠商 —— 三星電子、SK 海力士和美光的下一代 DRAM 工藝 1cnm 將于今年三季度至明年投入量產(chǎn),；

而 1dnm 工藝又在 1cnm 之后,，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間晚于 2026 年。

三星電子在開發(fā)每代 DRAM 工藝時(shí),，一般直到接近量產(chǎn)時(shí)的 PA（IT 之家注：Process Architecture,，工藝架構(gòu)）階段才會(huì)組建包含半導(dǎo)體和工藝工程師的綜合團(tuán)隊(duì)。

而在 1dnm 節(jié)點(diǎn)上,，團(tuán)隊(duì)召集時(shí)間提早了 1~2 年,，目前該團(tuán)隊(duì)的規(guī)模在數(shù)百人左右。

相較于目前的制程,，1dnm 工藝將提升 EUV 光刻的用量,，難度隨之加大。三星電子提前組建 1dnm DRAM 技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)旨在加速量產(chǎn)準(zhǔn)備過程,，縮短工藝優(yōu)化周期,。

自 2020 年來，三星電子難以在 DRAM 內(nèi)存技術(shù)上維持領(lǐng)先：

1anm 節(jié)點(diǎn)上,，美光率先量產(chǎn),；來到 1bnm，三家量產(chǎn)時(shí)間大致相當(dāng),；而在即將到來的 1cnm 節(jié)點(diǎn),，SK 海力士有望取得領(lǐng)先。

而在產(chǎn)品端,，由于此前解散 HBM 內(nèi)存研發(fā)團(tuán)隊(duì)的錯(cuò)誤決定,，三星電子目前在 HBM3 ( E ) 內(nèi)存的競(jìng)爭(zhēng)中也處于落后地位。

三星電子希望通過提前加大在 1dnm DRAM 開發(fā)上的人力資源投入,，止住目前的頹勢(shì),，重新建立起內(nèi)存技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并通過 DRAM 的技術(shù)升級(jí)推動(dòng) HBM 業(yè)務(wù)發(fā)展,。