這幾年,，Intel以空前的力度推進先進制程工藝,，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位,，現(xiàn)在又重申了這一路線,，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。

目前,，Intel正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標,，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),。

其中,，Intel 3作為升級版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,，將在今年陸續(xù)發(fā)布,，其中前者首次采用純E核設(shè)計，最多288個,。

Intel 20A和Intel 18A兩個節(jié)點正在順利推進中,，分別相當(dāng)于2nm、1.8nm,，將繼續(xù)采用EUV技術(shù),，并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。

憑借它們兩個,，Intel希望能在2025年重奪制程領(lǐng)先性,。

之后，Intel將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù),，推進未來制程節(jié)點的開發(fā)和制造,，以鞏固領(lǐng)先性。

其中一個關(guān)鍵點就是High NA EUV技術(shù),，而數(shù)值孔徑（NA）正是衡量收集和集中光線能力的指標,。

通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng)，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率,，從而有助于晶體管的進一步微縮,。

作為Intel 18A之后的下一個先進制程節(jié)點，Intel 14A 1.4nm級就將采用High NA EUV光刻技術(shù),。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管,，在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時，Intel也在同步開發(fā)新的晶體管結(jié)構(gòu),，并改進工藝步驟,，如通過PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟、簡化流程,。

此外,，Intel還公布了Intel 3、Intel 18A,、Intel 14A的數(shù)個演化版本,，以幫助客戶開發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品。