工業(yè)自動(dòng)化-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

美國(guó)政府宣布計(jì)劃向英特爾提供近200億美元激勵(lì)

3 月 20 日消息，美國(guó)商務(wù)部 3 月 20 日宣布，美國(guó)政府與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》向后者提供至多 85 億美元（當(dāng)前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當(dāng)前約 792 億元人民幣）貸款，以擴(kuò)大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領(lǐng)域重新確立在美國(guó)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并與臺(tái)積電和三星等公司競(jìng)爭(zhēng)。

發(fā)表于：3/21/2024

工業(yè)自動(dòng)化軟件突破“卡脖子”進(jìn)入快車道

今年“兩會(huì)”期間，在科技自立自強(qiáng)、制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的大背景下，解決工業(yè)軟件“卡脖子”成為代表委員們的高頻提案，也成為社會(huì)各界討論的熱門話題。比如，全國(guó)政協(xié)委員許進(jìn)表示，工業(yè)軟件亟需盡快突破“卡脖子”問題。他說，“目前，我國(guó)90%以上工業(yè)軟件仍需進(jìn)口，部分自主軟件模塊在國(guó)外的基礎(chǔ)軟件平臺(tái)上進(jìn)行二次開發(fā)，對(duì)于工業(yè)發(fā)展具有不自主可控性。” 又如，全國(guó)政協(xié)委員王明凡指出，要讓“卡脖子”技術(shù)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。他稱，“當(dāng)前，我國(guó)工業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域面臨一些‘卡脖子’問題，特別是在基礎(chǔ)工業(yè)軟件、關(guān)鍵材料和高端裝備等方面對(duì)進(jìn)口的依賴較為嚴(yán)重。”

發(fā)表于：3/21/2024

詳解英偉達(dá)AI盛會(huì)9個(gè)人形機(jī)器人出處

英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛身著黑色皮衣登場(chǎng)，宣布當(dāng)天參與盛會(huì)的企業(yè)價(jià)值高達(dá)100萬億美元。他表示，隨著生成式人工智能發(fā)展，“一個(gè)新的產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)。” 全球9大公司共筑人形機(jī)器人“夢(mèng)之隊(duì)” 據(jù)英偉達(dá)官網(wǎng)信息，英偉達(dá)正攜手9家業(yè)界領(lǐng)先的人形機(jī)器人公司，聯(lián)合開發(fā)“GR00T”項(xiàng)目。這9家公司包括1X Technologies、Agility Robotics、Apptronik、Boston Dynamics、Figure AI、Fourier Intelligence、Sanctuary AI、宇樹科技（Unitree Robotics）和小鵬鵬行（XPENG Robotics）。與黃仁勛同臺(tái)的“機(jī)器人天團(tuán)”中，每款機(jī)器人都各具特色，展示了人形機(jī)器人在不同領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景。

發(fā)表于：3/21/2024

國(guó)內(nèi)首枚，硅臻芯片量子芯片通過國(guó)家商密檢測(cè)

發(fā)表于：3/21/2024

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設(shè)備支出明年將首次突破1000億美元國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報(bào)告》。報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)蘇以及高性能計(jì)算、汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球應(yīng)用于前道工藝的300mm晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1370億美元。 SEMI預(yù)測(cè)，2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備投資將增長(zhǎng)20%至1165億美元，2026年增長(zhǎng)12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長(zhǎng)5%至1370億美元。

發(fā)表于：3/21/2024

三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲(chǔ)模組

3 月 21 日消息，據(jù)三星半導(dǎo)體微信公眾號(hào)發(fā)布的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì) 2024 簡(jiǎn)報(bào)，其正研發(fā) CMM-H 混合存儲(chǔ) CXL 模組。該模組同時(shí)包含 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存。作為一種新型高速互聯(lián)技術(shù)，CXL 可提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量和更低的傳輸延遲，可在 CPU 和外部設(shè)備間建立高效連接。根據(jù)三星給出的圖示，這一模組可經(jīng)由 CXL 界面直接在閃存部分和 CPU 之間傳輸塊 I / O，也可經(jīng)由 DRAM 緩存和 CXL 界面實(shí)現(xiàn) 64 字節(jié)的內(nèi)存 I / O 傳輸。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備

2024年3月20日,中國(guó)上海——今天,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商奧芯明亮相SEMICON China 2024。作為ASMPT全球技術(shù)網(wǎng)絡(luò)的一部分,奧芯明以中國(guó)設(shè)備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會(huì)上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對(duì)高質(zhì)量、高精度芯片封裝的先進(jìn)設(shè)備。

發(fā)表于：3/20/2024

用于FPGA平臺(tái)上圖像快速旋轉(zhuǎn)的改進(jìn)CORDIC算法

坐標(biāo)旋轉(zhuǎn)數(shù)字算法（CORDIC）被廣泛應(yīng)用于消旋、相機(jī)邊框等系統(tǒng)中。在對(duì)傳統(tǒng)CORDIC算法分析的基礎(chǔ)上提出了重編碼預(yù)測(cè)和多倍迭代優(yōu)化的方法，并用MATLAB進(jìn)行了仿真，又在VIVADO上進(jìn)行了FPGA驗(yàn)證與對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，上述優(yōu)化相對(duì)傳統(tǒng)CORDIC算法以及VIVADO自帶的CORDIC IP核顯著減少了迭代次數(shù)，消耗了更少的資源，計(jì)算的精度也有了一定的提升。

發(fā)表于：3/20/2024

基于SIP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND顆粒、用于固件存儲(chǔ)的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺(tái)上進(jìn)行底層ATA指令驗(yàn)證以及與傳統(tǒng)分離式存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)比性能測(cè)試，證明了應(yīng)用SiP技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢(shì)，為后續(xù)SiP存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證奠定了一定的技術(shù)基礎(chǔ)。

發(fā)表于：3/20/2024

一種高效能可重構(gòu)1 024位大數(shù)乘法器的設(shè)計(jì)

在SM9加密等算法中經(jīng)常使用大數(shù)乘法，為了解決大數(shù)乘法中關(guān)鍵電路延遲過高、能耗過大的問題，設(shè)計(jì)了一種基于流水線的可重構(gòu)1 024位乘法器。使用64位乘法單元和128位先行進(jìn)位加法單元，分20個(gè)周期流水產(chǎn)生最終結(jié)果，緩解了傳統(tǒng)乘法器中加法部分的延時(shí)，實(shí)現(xiàn)電路復(fù)用，有效減小能耗。在SMIC 0.18 μm工藝庫下，關(guān)鍵電路延遲2.5 ns，電路面積7.03 mm2 ，能耗576 mW。

發(fā)表于：3/20/2024

基于負(fù)載追蹤補(bǔ)償?shù)拇箅娏鱈DO設(shè)計(jì)

提出一種有效提升大電流輸出應(yīng)用的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）環(huán)路穩(wěn)定性的技術(shù)，采用負(fù)載追蹤補(bǔ)償方式消除電路輸出端與負(fù)載相關(guān)的極點(diǎn)對(duì)環(huán)路穩(wěn)定性的影響，且在維持環(huán)路低頻增益不變的前提下降低高頻下環(huán)路中節(jié)點(diǎn)阻抗，從而達(dá)到同時(shí)提升輸出精度和優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)性能的目的。采用TSMC 0.18 µm BCD工藝進(jìn)行仿真驗(yàn)證，結(jié)果表明電路最大輸出電流6 A，在6 A/6 μs的負(fù)載突變情況下輸出電壓下沖為36.6 mV，過沖為35.3 mV，穩(wěn)定時(shí)間小于56.3 μs。全負(fù)載電流范圍內(nèi)，瞬態(tài)性能大幅提升。

發(fā)表于：3/20/2024

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀研發(fā)及應(yīng)用

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀廣泛應(yīng)用于核設(shè)施的放射性測(cè)量，基于目前正在開展的國(guó)產(chǎn)化研發(fā)項(xiàng)目，對(duì)硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀的總體設(shè)計(jì)研發(fā)、儀表主要硬件設(shè)計(jì)、軟件功能設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹，同時(shí)對(duì)硅半導(dǎo)體和氣體探測(cè)器主要技術(shù)參數(shù)進(jìn)行了對(duì)比，自主研發(fā)的硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀可滿足不同堆型眾多場(chǎng)景劑量率監(jiān)測(cè)的要求，具有良好的應(yīng)用前景。

發(fā)表于：3/20/2024

亞智科技 RDL先進(jìn)制程加速全球板級(jí)封裝部署和生產(chǎn)

化學(xué)濕制程、電鍍及自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商Manz亞智科技，以RDL不斷精進(jìn)的工藝布局半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)。日前，Manz擴(kuò)大RDL 研發(fā)版圖，聚焦于高密度的玻璃通孔及內(nèi)接導(dǎo)線金屬化工藝，并將技術(shù)應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體封裝的TGV玻璃芯基材，能夠達(dá)到更高的封裝效能及能源傳遞效率外，還可透過板級(jí)制程，滿足高效率和大面積的生產(chǎn)，從而降低生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：3/20/2024

消息稱臺(tái)積電今年著力提升3nm產(chǎn)能

3 月 19 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電今年將全力擴(kuò)增 3nm 產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年底前該工藝的利用率將提升至 80%。臺(tái)積電 3nm 制程技術(shù)已拿下蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等大廠的訂單，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電還將轉(zhuǎn)移部分 5nm 產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這意味著臺(tái)積電在 3nm 制程世代完勝三星、英特爾等競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)。展望未來 2nm 制程世代，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2025 年開始提供相關(guān)晶圓代工服務(wù)，總共涉及至少五座廠區(qū)。臺(tái)積電總裁魏哲家先前在財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，全球主要大廠中僅有一家不是臺(tái)積電 2nm 制程客戶。外界推測(cè)這一客戶指的是三星電子，但總體看來，臺(tái)積電仍將在 2nm 制程世代占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：3/20/2024

臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

3 月 19 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，由于建筑成本上升和勞動(dòng)力短缺，臺(tái)積電和英特爾的五家供應(yīng)商推遲或縮減了其在亞利桑那州的建設(shè)項(xiàng)目。這一挫折與供應(yīng)商最初的計(jì)劃背道而馳，此前他們計(jì)劃跟隨英特爾和臺(tái)積電在該州新建芯片生產(chǎn)設(shè)施的計(jì)劃進(jìn)行建設(shè)。臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

發(fā)表于：3/20/2024