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下一代HBM4和HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB

中國(guó)已追到HBM2
2025-03-21
來源:快科技

3月21日消息,,NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務(wù)器,,不但規(guī)格、性能越來越強(qiáng),,HBM內(nèi)存也是同步升級(jí),,容量、頻率,、帶寬都穩(wěn)步前進(jìn),。

其中,基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發(fā)布,,繼續(xù)采用HBM3E內(nèi)存,;明年下半年的Vera Rubin NVL144升級(jí)為下一代HBM4內(nèi)存;后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續(xù)升級(jí)為加強(qiáng)版HBM4E內(nèi)存,;而到了2028年的Feynman全新架構(gòu)有望首次采用HBM5內(nèi)存,。

與此同時(shí),SK海力士,、三星,、美光三大原廠也紛紛展示了自己的HBM內(nèi)存發(fā)展規(guī)劃,包括HBM4,、HBM4e,。

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SK海力士如今作為HBM內(nèi)存的領(lǐng)袖,直接擺出了一顆48GB大容量的HBM4,,是世界第一顆,,也是最強(qiáng)的一顆,。

它采用單Die 24Gb(3GB)的設(shè)計(jì),,16Hi也就是16顆堆疊而成,,數(shù)據(jù)傳輸率8Gbps,IO位寬2048-bit,,也就是一顆的帶寬就有2TB/s,。

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美光的沒有做過多介紹,只是說性能比HBM3e提升了50%,,而量產(chǎn)時(shí)間安排在2026年,。

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三星的資料最為詳盡,不但有具體參數(shù),,還有規(guī)劃路線圖,。

三星這次展示的HBM4密度也是單Die 24Gb,單顆容量則有36GB(12堆疊),、24GB(8堆疊)兩種,,不如SK海力士。

不過,,數(shù)據(jù)傳輸率最高9.2Gbps,,帶寬最高2.3TB/s。

它采用MPGA封裝,,尺寸12.8x11毫米,,堆疊高度775微米,能效為每bit 2.3PJ,。

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對(duì)于下代HBM4E,,三星規(guī)劃單Die容量提高到32Gb(4GB),支持8/12/16堆疊,,因此單顆容量最大可以做到64GB,,而且高度維持不變。

同時(shí)數(shù)據(jù)傳輸率提高到10Gbps,,繼續(xù)搭配2048-bit位寬,,帶寬可達(dá)2.56TB/s。

HBM內(nèi)存現(xiàn)階段和可預(yù)見的未來都會(huì)主要用于AI服務(wù)器,,應(yīng)該是不會(huì)下放到消費(fèi)級(jí)顯卡了,,當(dāng)年的AMD Fiji、Vega恐怕成為絕唱,。

目前,,中國(guó)在DRAM內(nèi)存、NAND閃存方面都已經(jīng)基本追上了國(guó)際領(lǐng)先水平或者差距不大,,HBM則還需要大大努力,。

消息稱,,多家中國(guó)廠商已經(jīng)搞定了第二代HBM2,并已供貨給客戶,,搭配國(guó)產(chǎn)AI GPU加速器,,倒也相得益彰。

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