9月4日,，在臺北舉行的“Semicon Taiwan 2024”展會上,，三星電子存儲器事業(yè)本部部長李正培（Jung-Bae Lee）作為主題演講嘉賓,，介紹了三星的HBM優(yōu)勢。

李正培表示,，目前AI時代遇三大挑戰(zhàn),，即能耗、因內(nèi)存帶寬限制帶來的AI性能限制,，以及儲存容量限制,。由于帶寬和內(nèi)存容量需求增加，目前的HBM構架已經(jīng)無法滿足需求,，加上HBM能耗較高,，即數(shù)據(jù)傳輸與GPU間的能耗較高，因此三星將推出新的HBM構架,，以減少當中傳輸,。

三星提出的新的解決方案與SK海力士一樣,，雖然HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎裸片（Base Die）,，采用2.5D 系統(tǒng)級封裝，但是到HBM4都計劃將DRAM Base Die 改成Logic Base Die,，以及3D封裝,，以推動性能和能效進一步提升。

具體來說,，這個Logic Base die是連接AI加速器內(nèi)部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備組件,，位于DRAM的底部，主要充當GPU和內(nèi)存之間的一種控制器,，并且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同,，它可以讓客戶自行設計，可以加入客戶自己的IP,，有利于HBM實現(xiàn)定制化,，從而讓數(shù)據(jù)處理更為高效。預計可以將功耗大幅降低至之前的30%。

三星在HBM4以前的DRAM制程Base Die,，都是由自家內(nèi)存部門負責制造,，但隨著下一代的HBM4的Base Die轉(zhuǎn)向 Logic Base Die，這部分則將交由邏輯制程晶圓代工廠制造,，三星存儲部門則負責制造核心的DRAM Die,，因此未來內(nèi)存制造商和晶圓代工業(yè)者與客戶的合作關系越來越緊密。

李正培表示,，“僅靠現(xiàn)有的存儲器工藝來提高HBM的性能是有限的,，必須結(jié)合邏輯制程才能最大限度地提高 HBM 性能?！辈贿^,，這個Logic Base Die的制造并不會限制客戶交由三星設計（幫助客戶加入客戶自己的IP或者選擇三星提供的IP）或一定要使用三星晶圓代工廠來代工，客戶可以自由選擇,。

但是,，李正培也指出，三星在生產(chǎn)定制 HBM 方面具有優(yōu)勢,，因為三星同時擁有半導體設計和晶圓代工能力,，并且在市場上擁有強大的地位。

另外,，三星也將推進新的HBM封裝技術,，將通過HCB連接技術，使堆疊增加30%,、熱阻（thermal resistance）減少20%,，再通過3D封裝實現(xiàn)更大帶寬、更大容量,、能耗更少,。比如Logic Base Die和內(nèi)存之間的帶寬可以達到70.5TB/s。

最后,，李正培強調(diào),，三星可以一次性完成從Logic Base Die設計、代工制造,、封裝的所有工作,，可以提供一站式的服務。也可以與很多生態(tài)系伙伴共同合作,，滿足客戶不同需求,，可使用不同伙伴的設計和服務。

相比之下,，SK海力士在邏輯制程的能力上存在一定的欠缺,，為了解決這一問題,，SK海力士也計劃和臺積電進行合作。雖然此前SK海力士自己制造Base Die,，但從第6代的HBM4開始,，將會委托臺積電生產(chǎn)Logic Base Die，以進一步提升效率,。