根據(jù)韓媒 The Elec 的報道,，DRAM 內存巨頭三星和美光均將在下一個內存世代,，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術,。

編者注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代,，美光也稱之為 1 γ nm 工藝,。目前最先進的內存為 1b nm 世代,，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。

分析機構 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示,，美光將在 1c nm 節(jié)點率先引入鉬（Mo,，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）,。這兩種金屬將作為布線材料,，被用于內存的字線和位線中。

鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應用的鎢（W）更低,，可進一步壓縮 DRAM 線寬,。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩,。Choi Jeong-dong 認為,，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。

而在三星這邊,，其將進一步擴大 EUV 工藝的應用,。三星是三大存儲原廠中首先引入 EUV 的企業(yè)，已將其應用至字線和位線等層中,，預計在 1c nm 中 EUV 應用將擴展至 8-9 層,。對于美光，其也將在 1 γ nm 節(jié)點首次導入 EUV 光刻,。

展望未來 10nm 以下制程,，Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路線以實現(xiàn)進一步微縮，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用電容器的 1T DRAM 等也是可能方向,。