2023 年 5 月 15 日

　　英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD） 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司,，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件,。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品,，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性,，可實(shí)現(xiàn)歷史最高效率,。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點(diǎn),，過(guò)壓穩(wěn)健性顯著提高,，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實(shí)現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護(hù),。與上一代器件相同,，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅(qū)動(dòng)方式與 Si MOSFET 類似，無(wú)需復(fù)雜低效的電路,，而是采用商用工業(yè)柵極驅(qū)動(dòng)器,。最后，與硅器件相比,，H2 ICeGaN HEMT 的 Q_G 低 10 倍,，Q_OSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開(kāi)關(guān)頻率下能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗,，并縮小尺寸,，減輕重量。基于這些優(yōu)勢(shì),，該產(chǎn)品在同類產(chǎn)品中具備領(lǐng)先的效率性能,，并且與 SMPS 應(yīng)用中業(yè)界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%,。

　　Giorgia longobardi | CGD 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 “CGD 借助 H2 系列 ICeGaN 確立了其創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位,。弗吉尼亞理工學(xué)院（Virginia Tech）的獨(dú)立研究已證實(shí)，ICeGaN 是業(yè)界堅(jiān)固耐用的 GaN 器件,，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 一樣驅(qū)動(dòng),，簡(jiǎn)單易用，有助于市場(chǎng)迅速接納此類新產(chǎn)品,。GaN的效率優(yōu)勢(shì)廣為人知,， ICeGaN 在滿載范圍內(nèi)的性能表現(xiàn)令人印象深刻?！?/p>

　　ICeGaN H2 系列采用創(chuàng)新 NL³（空載和輕載）電路,，與 GaN 開(kāi)關(guān)一同集成在片上，功耗創(chuàng)歷史新低,。采用（片上）集成米勒鉗位的先進(jìn)箝位結(jié)構(gòu),，無(wú)需負(fù)柵極電壓，可實(shí)現(xiàn)真正的零電壓關(guān)斷,，并提高動(dòng)態(tài) R_DS（ON） 性能,。這些 e-mode（常關(guān)）單芯片 GaN HEMT 包含單片集成接口和保護(hù)電路，因此具備卓越的柵極可靠性,，并且可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),。最后，電流檢測(cè)功能可降低功耗,，并允許直接接地,，以優(yōu)化散熱和 EMI 性能。

　　Giorgia longobardi | CGD 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 “CGD 成功解決了所有通常會(huì)減緩新技術(shù)推廣進(jìn)程的挑戰(zhàn),。此外,，我們現(xiàn)已成功建立了可靠的供應(yīng)鏈體系，可以滿足市場(chǎng)對(duì) H2 系列 ICeGaN 晶體管的大規(guī)模需求,?！?/p>

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