3 月 6 日消息，杭州鎵仁半導體 Garen Semi 昨日宣布推出全球首顆第四代半導體氧化鎵 8 英寸,，該公司也成為國際上首家掌握 8 英寸氧化鎵單晶生長技術的企業(yè)。

鎵仁半導體此前于 2022,、2023,、2024 年分別生長得到了 2 英寸、4 英寸,、6 英寸的氧化鎵單晶,，此次的 8 英寸單晶具有更優(yōu)秀的晶圓面積利用率，同時與現(xiàn)有硅基晶圓廠的 8 英寸產(chǎn)線兼容,，將加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應用的步伐,。

氧化鎵 —— 準確地說是 β-Ga2O3 —— 具有較碳化硅、氮化鎵更寬的 4.85eV 禁帶,，還具備優(yōu)秀的熱和化學穩(wěn)定性和更高的擊穿電場強度,，是第四代半導體中的明星材料,。

基于氧化鎵的功率器件可提供更小的電阻和更高的轉(zhuǎn)換效率,，有望將新能源汽車平臺電壓推向 1200V；同時氧化鎵材料擁有 260nm 的紫外截止邊,，紫外波段的透過率受載流子濃度影響小,，適宜制造深紫外波段光電器件。