《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電子元件 > 業(yè)界動態(tài) > 光刻機(jī)三巨頭的殊途同歸

光刻機(jī)三巨頭的殊途同歸

2022-05-23
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 光刻機(jī) ASML EUV

  說到光刻機(jī),,大家第一反應(yīng)是什么,?筆者第一反應(yīng)是ASML,,第二反應(yīng)是價(jià)格特別昂貴,,第三反應(yīng)是我國卡脖子技術(shù)。不知不覺中,ASML似乎成了光刻機(jī)的代名詞,這個想法如果被上世紀(jì)八九十年代的尼康和佳能知道,可能要?dú)獾弥贝岛?,“哪里來的毛頭小子,也敢和我比肩”。

  不過,,現(xiàn)實(shí)就是這么殘忍,,正所謂“三十年河?xùn)|,三十年河西”,。在四五十年后的今天,,當(dāng)初的毛頭小子成為了如今手持幾十臺“印鈔神獸”的霸主,,占據(jù)了全球80%的光刻機(jī)營收份額,,而曾今的巨頭只能淪為二三線,但說到底也是曾經(jīng)稱霸一方的巨頭,,即使遠(yuǎn)不敵當(dāng)年驍勇,,但也不會輕易舍棄光刻機(jī)這一杯羹。

  面對越來越火熱的芯片產(chǎn)業(yè),,ASML在EUV道路上一路狂奔,,佳能和尼康卻“獨(dú)辟蹊徑”,試圖在獨(dú)特路線上通過差異化來獲取競爭優(yōu)勢,。

  ASML,,壟斷EUV

  “如果我們交不出EUV,摩爾定律就會從此停止,?!盇SML首席執(zhí)行官Peter Wennink在2017年曾如是說過,這句話很囂張,,但無人可以反駁,。從本世紀(jì)初開始,就不斷有人預(yù)言摩爾定律將死,,如今摩爾定律已經(jīng)成功迎來了第57個年頭,,全球芯片工藝進(jìn)程也在向3nm,甚至更先進(jìn)的方向邁進(jìn),,而實(shí)現(xiàn)這一切的大功臣就是ASML的EUV光刻機(jī),。

  EUV光刻機(jī)也叫做極紫外光刻機(jī),工藝極其復(fù)雜,。ASML EUV光刻機(jī)使用 13.5 nm 的波長,,由來自全球近800家供貨商的多個模塊和數(shù)十萬個零件組成,每個模塊都在ASML遍布全球的60個工廠中完成生產(chǎn),,然后運(yùn)往維爾德霍溫進(jìn)行組裝,,運(yùn)輸一套EUV曝光機(jī)需要20輛卡車,或者三架滿載的波音747飛機(jī),。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)大概如下:

微信圖片_20220523132134.png

  圖源:ASML

  從ASML 官方消息來看,,EUV技術(shù)從1994年就開始工業(yè)化,由ASML參加的聯(lián)盟交付了第一個原型。2006 年 8 月,,ASML向美國奧爾巴尼的納米科學(xué)與工程學(xué)院和比利時(shí)魯汶的 imec 運(yùn)送了世界上第一臺 EUV 光刻演示工具,。2013年,第一個 EUV 生產(chǎn)系統(tǒng) TWINSCAN NXE:3300 發(fā)貨,。

  站在現(xiàn)在回看過去,,寥寥數(shù)筆似乎就可以概括當(dāng)時(shí)研發(fā)EUV光刻機(jī)的那段歷史,但事實(shí)上研發(fā)過程十分艱難,,主要問題在于EUV研發(fā)實(shí)在是太費(fèi)錢了,,風(fēng)險(xiǎn)巨大。在當(dāng)時(shí)看來,,它就像一個無底吞金“黑洞”,,大把大把的錢砸進(jìn)去都不一定能聽到個響。但ASML砸了,,官方消息顯示,,ASML 在 17 年間在 EUV 研發(fā)上投入了超過 60 億歐元。

  如今,,先進(jìn)制程已經(jīng)來到了3nm的交叉路口,,臺積電和三星都表示將在今年量產(chǎn)3nm,而他們量產(chǎn)所用的光刻機(jī)應(yīng)該就是ASML最新一代0.33 NA光刻系統(tǒng)TWINSCAN NXE:3600D,。那么3nm以后,,摩爾定律又該如何“續(xù)命”?ASML日本(東京都品川區(qū))的藤原祥二郎社長表示,,“摩爾定律預(yù)計(jì)未來10年后還會持續(xù)下去,,以此為中心支撐的是最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)”。近期,,阿斯麥公眾號也指出:“只要我們還有想法,,摩爾定律就會繼續(xù)生效!”

  從ASML 透露的消息可以看出,,ASML正在開發(fā)下一代 EUV 平臺,,將數(shù)值孔徑 (NA) 從 0.33 增加到 0.55,可以支持多個未來節(jié)點(diǎn),。

微信圖片_20220523132155.png

  圖源:ASML

  據(jù)了解,,ASML 下一代EUV 0.55 NA平臺有望使芯片尺寸減小1.7倍,進(jìn)一步提高分辨率,,并將微芯片密度提高近3倍,。第一個EUV 0.55 NA平臺早期接入系統(tǒng)預(yù)計(jì)將在2023年投入使用,預(yù)計(jì)客戶將在2024-2025年開始研發(fā),,2025-2026年進(jìn)入客戶的大批量生產(chǎn),。ASML預(yù)計(jì)在2025年之前擁有大約20臺0.55 High-NA EUV,。

  在產(chǎn)能方面,過去十年,,ASML總共售出大約140套EUV光刻機(jī),。但在未來,EUV光刻機(jī)想必會越來越吃香,,畢竟除了邏輯芯片外,,一直采用成熟制程的存儲芯片廠商也開始加入戰(zhàn)局。

微信圖片_20220523132213.png

  ASML 光刻部門的年收入份額圖源:counterpoint

  去年8月,,美光CEO Sanjay Mehrotra在采訪中確認(rèn),,美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入,。作為長期批量協(xié)議的一部分,, 美光已從 ASML 訂購了多種 EUV 工具,。此外,,SK 海力士也強(qiáng)調(diào)了 EUV 的重要用途,與非 EUV 光刻相比,,其 10nm DRAM 產(chǎn)品的每片晶圓的單位產(chǎn)量增加了 25%,。

  為了滿足不斷增長的光刻機(jī)需求,ASML方面指出,,于22Q1提高了產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃,,預(yù)計(jì)到2024年產(chǎn)能擴(kuò)張25%左右,到2025年形成90臺0.33 NA EUV和約600臺DUV產(chǎn)能,。

  佳能,,NIL控制成本

  佳能在上世紀(jì)輸出還是很猛的,在1970年發(fā)售了日本首臺半導(dǎo)體光刻機(jī)PPC-1,;1975年發(fā)售的FPA-141F光刻機(jī),,在世界上首次實(shí)現(xiàn)了1微米以下的光刻;1984年推出了FPA-1500FA,,分辨率為 1.0 μm,;1994 年發(fā)布第一款 FPA-3000 系列,配備了分辨率為 0.35 μm 的 i-line 鏡頭,,是當(dāng)時(shí)世界上分辨率最高的鏡頭之一,。

  算了算,今年是佳能正式投入半導(dǎo)體光刻機(jī)領(lǐng)域的第52周年,,在上世紀(jì)被著名的干濕路線之爭絆了一跤之后,,佳能就有些趕不上ASML的步伐了。如今,,佳能專注于低端產(chǎn)品,,官網(wǎng)顯示,,佳能出售的光刻機(jī)涉及i-line到KrF級別,并沒有浸入式光刻機(jī),,與EUV光刻機(jī)區(qū)別就在于光源波長的不同,,EUV 技術(shù)所使用的光源波長為13·5納米,而KrF技術(shù)則是248納米,,i線光源波長是365納米,。眾所周知,對于光刻機(jī)來說,,所用光源波長越短,,越能描繪微細(xì)線寬的半導(dǎo)體電路。所以能感受到兩者之間的差距了吧,。

  雖然佳能光刻機(jī)低端,,但近期熱度卻不小,據(jù)華爾街日報(bào)去年年底報(bào)道,,1995年制造的二手光刻機(jī)佳能FPA3000i4,,在2014年10月只值10萬美元,今天則值170萬美元,。佳能日前公布的財(cái)報(bào)也指出安全攝像頭以及光刻機(jī)推動業(yè)績打仗,,隨著半導(dǎo)體設(shè)備投資的增加,佳能的光刻機(jī)業(yè)務(wù)還會持續(xù)增長,。

  不過“啃老”總歸不長久,,創(chuàng)新才是真的出路。在EUV領(lǐng)域想要趕超ASML幾乎是不可能的了,,那不如就換個方向,,而佳能選中的就是“納米壓印光刻(NIL)”。佳能官方對NIL是這么介紹的,,這種方法具有簡單,、緊湊、能夠以低成本制造芯片的優(yōu)點(diǎn),。

  確實(shí),,相比EUV光刻機(jī)復(fù)雜的結(jié)構(gòu)以及難以提高生產(chǎn)率,NIL 只需要將形成三維結(jié)構(gòu)的掩膜壓在晶圓上被稱為液體樹脂的感光材料上,,同時(shí)照射光線,,一次性完成結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印的方法。不需使用EUV光刻機(jī),,也不需要使用鏡頭,,而且還可以將耗電量可壓低至EUV技術(shù)的10%,并讓設(shè)備投資降低至僅有EUV設(shè)備的40% ,,可以說是“省錢小能手”,。

微信圖片_20220523132238.png

  圖源:佳能官網(wǎng)

  官方消息顯示,,佳能早在2004 年就開始研發(fā)NIL技術(shù),2014年美國分子壓印公司(現(xiàn)佳能納米技術(shù))加入佳能集團(tuán)的消息公開,,明確表示將使用納米壓印法進(jìn)行開發(fā),。2021 年春季,大日本印刷在根據(jù)設(shè)備的規(guī)格進(jìn)行了內(nèi)部模擬,,發(fā)現(xiàn)在電路形成過程中每個晶片的功耗可以降低到使用EUV曝光時(shí)的大約1/10,,根據(jù)大日本印刷的說法,NIL量產(chǎn)技術(shù)電路微縮程度則可達(dá)5nm節(jié)點(diǎn),。2017 年 7 月,,佳能納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備“FPA-1200NZ2C”設(shè)備交付給東芝存儲器四日市工廠。

微信圖片_20220523132256.png

  東芝存儲器四日市工廠調(diào)整納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備“FPA-1200NZ2C”圖源:佳能

  在佳能開發(fā)人員首藤真一看來,,這種納米壓印設(shè)備是一種將創(chuàng)造未來的設(shè)備,。未來,半導(dǎo)體會變得更精細(xì),,不僅會被封裝在智能手機(jī)中,,未來還會被用作貼紙,比如貼在人體皮膚上或隱形眼鏡上,。他相信只有納米壓印方式才能以客戶要求的成本和速度實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),。

  從目前透露的消息來看,,和佳能共同開發(fā)的NIL技術(shù)的鎧俠已掌握NIL 15nm的制程量產(chǎn)技術(shù),,目前正在進(jìn)行15nm以下技術(shù)研發(fā),預(yù)計(jì)2025年進(jìn)一步達(dá)成,。不過佳能方面還未透露出設(shè)備量產(chǎn)的消息,,實(shí)用化的時(shí)期還不明確,我們可以期待下,。

  尼康,,ArF液浸打磨

  說完了佳能,再來聊聊尼康,。尼康在上世紀(jì)末是當(dāng)之無愧的光刻機(jī)巨頭,,從 80 年代后期至本世紀(jì)初,尼康光刻機(jī)市場占有率超50%,,代表著當(dāng)時(shí)光刻機(jī)的最高水平,。這點(diǎn)從尼康官網(wǎng)半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)歷史發(fā)展也可以看出,1980年出貨 NSR-1010G(分辨率:1.0 ?m),,從1984年開始,,幾乎每年都會出貨至少1款光刻機(jī)。

  到了1999年,,除了推出世界第一臺干式ArF掃描儀NSR-S302A(分辨率≦180 nm)外,,尼康還推出了NSR-SF100(分辨率≦400nm),;NSR-S204B(分辨率≦150nm);NSR-2205i14E2(分辨率≦350nm),;NSR-S305B(分辨率≦110nm)四款設(shè)備,,銷售的半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)數(shù)量達(dá)到 6,000 臺。

微信圖片_20220523132315.png

  圖源:尼康

  那時(shí)候尼康的光輝事跡密密麻麻可以寫滿了好幾頁,,不過,,和佳能一樣,本世紀(jì)初的那場干濕路線之爭成為了轉(zhuǎn)折點(diǎn),。如今的尼康雖然憑借多年技術(shù)積累位居光刻機(jī)二線供應(yīng)商地位,,但份額已經(jīng)極大的縮小了。2021年度,,Nikon光刻機(jī)業(yè)務(wù)營收約112億元人民幣,,出貨了29臺集成電路用光刻機(jī),較2020年減少4臺,。

  目前,,在光刻機(jī)技術(shù)方面,尼康主推ArF浸沒式技術(shù),,大部分精力都在Arf和i-line光刻機(jī)領(lǐng)域,。ArF光刻機(jī)也就是DUV光刻機(jī),光源波長達(dá)到193nm,,波長的限制使得DUV無法實(shí)現(xiàn)更高的分辨率,,因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。

  不過這也說明了,,相比佳能,,尼康的光刻機(jī)更先進(jìn)一點(diǎn)。雖然DUV光刻機(jī)也是ASML的專場,,但尼康仍然有野心追趕ASML,,專注于研發(fā)ArF液浸。尼康官網(wǎng)提到下一代光刻系統(tǒng)是這么說的:隨著小型化的進(jìn)展,,達(dá)到了阻止現(xiàn)有光刻技術(shù)處理較小尺寸的理論障礙,,這個問題的解決方案是浸入式光刻技術(shù),尼康將其整合到其半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)中,。

  尼康常務(wù)執(zhí)行董事濱谷正人曾斷言,,“ArF液浸作為尖端曝光裝置使用的電路尺寸是主戰(zhàn)場”。2018年,,尼康推出了NSR-S635E ArF 浸沒式掃描儀,,該光刻機(jī)專為5nm工藝制程量產(chǎn)而開發(fā),確保出色的聚焦穩(wěn)定性并最大限度地減少缺陷以提高產(chǎn)量,,以每小時(shí)高達(dá) 275 個晶圓的超高通量優(yōu)化可負(fù)擔(dān)性,。

微信圖片_20220523132515.png

  圖源:尼康

  到了2021年10月,,尼康宣布開發(fā)NSR-S635E進(jìn)階版——NSR-S636E ArF 浸沒式掃描儀,將提供卓越的覆蓋精度和超高吞吐量,,以支持最關(guān)鍵的半導(dǎo)體設(shè)備的制造,,預(yù)計(jì)將于 2023 年開始銷售。雖然尼康并未公布S636E更多的參數(shù),,但是作為NSR-S635E進(jìn)階版,,量產(chǎn)5nm芯片應(yīng)該不在話下。

  同佳能一樣,,在芯片熱潮的帶動下,,尼康對光刻機(jī)業(yè)績也給了很大的期望。今年3月,,尼康發(fā)布了2022年度半導(dǎo)體曝光裝置銷量,,預(yù)計(jì)將超過2019年度的業(yè)績45臺,將比2021年度的預(yù)測上增加13臺以上,,達(dá)近10年最高銷量,。此外,尼康今后將以物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展為背景,,建設(shè)半導(dǎo)體新工廠,,預(yù)計(jì)到2024年度為止,銷售臺數(shù)都將保持穩(wěn)定,。

微信圖片_20220523132526.png

  圖源:雅虎

  結(jié)合尼康下一代光刻機(jī)的推出時(shí)間,,我們可以期待兩年后的尼康會有怎樣的變化。

  寫在最后

  如果你來自未來,,或許那時(shí)候的芯片產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成功邁入了埃米時(shí)代,,回頭再看2022年,也許會像ASML過去研發(fā)EUV技術(shù)一樣,,寥寥數(shù)筆就囊括了所有光刻機(jī)廠商們所為之做出的努力。但要記得,,在當(dāng)下,,在2022年,他們?nèi)栽谔剿髦柖傻摹袄m(xù)命之道”,。

  而這條路,,道阻且長。



本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。