近年來,，DRAM 供貨吃緊,，價格居高不下，在去年底,，就傳出國家發(fā)改委曾約談三星，關注儲存芯片價格問題,。

在近日,，又有雙方簽署 MOU 的消息，市場預期將可能抑制 DRAM 價格,。集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出,，內存價格漲勢延續(xù)超過 6 季上揚，造成許多中國手機廠不堪成本壓力,，因而引來政府關注,，將可能使今年第一季的 DRAM 價格受到抑制。而目前三星是全球最大的存儲器芯片廠商,，有近 48％ 的全球市占率,。

DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷指出，中國的存儲器市場不管是內需或外銷,，都已越來越重要,，目前供貨商在生產(chǎn)移動內存的獲利已遠低于其他類別產(chǎn)品，而第一季智能手機需求也很低迷,，預期未來價格漲幅將受抑制,。且為應對中國方面對于內存價格持續(xù)上漲所表達的強烈不滿，對供貨商而言,，成本下降不易的考慮下,，擴張產(chǎn)能的可能性將大增,。

MOU 無關價格

不過來自于《集微網(wǎng)》的消息指出，曾向政府舉報高通壟斷的手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝表示,，近期發(fā)改委與三星簽署的 MOU 無關價格問題,，是高技術局與三星之間有關半導體領域的相關技術合作，及擴大在中國投資等議題,，而非價監(jiān)局的手筆,。的確價監(jiān)局曾經(jīng)就 DRAM 漲價一事約談過三星，但現(xiàn)在尚不能確定會對三星采取何種措施,，如果三星被確認參與價格操縱,，那發(fā)改委同樣很可能會進行處罰。

目前市場分析認為,，今年新增的 DRAM 產(chǎn)能,，還無法跟上市場需求，尤其是物聯(lián)網(wǎng)和高速運算應用,，都需要高速內存芯片支持,，無論是 DRAM 或 NAND Flash 今年在供貨松綁且需求不減的情況下，可望進一步推升出貨量,，預計相關業(yè)者營收還是相當穩(wěn)健,。。

臺灣工研院產(chǎn)業(yè)趨勢中心也認為,，今年虛擬貨幣挖礦業(yè)者也加入掃貨,，服務器需求仍然強勁下,，預估今年全球 DRAM 產(chǎn)值會再成長 23％,，雖然漲幅不如去年，但主要供應商增產(chǎn)仍有節(jié)制,，預計平均銷售單價仍會上揚近 32％,，年產(chǎn)值達 900 億美元，將續(xù)創(chuàng)新高,。

不過 DRAMeXchange 也指出,，由于三星、東芝,、英特爾,、長江存儲等都大力擴展 NAND Flash 所以未來產(chǎn)能效應將轉趨明顯，尤其 3D－NAND Flash 產(chǎn)能將可能翻倍,，恐怕在 2019 年就會出現(xiàn)供過于求的狀況,。