今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司,，他們本周一正式收購了華亞科公司,，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,，而閃存方面,，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。

　　對于3D NAND閃存,，我們并不陌生,，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命,，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2D NAND閃存好得多,，廠商也會借此降低成本，提高產(chǎn)量,。以美光為例,，他們的2D NAND閃存主力是16nm工藝的,，MLC/TLC閃存的核心容量不過128Gb，而3D NAND技術(shù)的MLC閃存核心容量就有256Gb,，TLC更是達到384Gb,，大大高于2D NAND閃存。

　　在轉(zhuǎn)向3D NAND方面,，實力最強的三星跑得最快,，東芝/閃迪、SK Hynix次之,，Intel和美光公司算是比較慢的了,，不過一旦3D NAND閃存開始量產(chǎn)，由于容量先天性的優(yōu)勢,，產(chǎn)能超過2D NAND閃存是遲早的事,。美光CFO Ernie Maddock在參加巴克萊銀行全球技術(shù)、媒體及通訊大會上就確認,，該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能與2D NAND閃存已經(jīng)來到拐點上,，也就是說3D閃存的產(chǎn)能（以bit容量計）要超過2D NAND閃存了。

美光第一代3D NAND閃存成本比2D NAND閃存至少降低20%

Ernie Maddock還提到他們第一代3D NAND閃存在降低成本上已經(jīng)達到預(yù)期目標(biāo),，此前美光在今年上半年的路線圖上指出3D NAND閃存比2D NAND降低至少20%的成本,，現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn)了20-25%的成本降低。

美光第二代3D NAND閃存也即將量產(chǎn)

　　對美光來說,，好事還不止這一件,，他們的第二代3D NAND閃存也要量產(chǎn)了，早前美光公布消息稱第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工廠開始生產(chǎn),，相比目前的32層堆棧,，第二代3D NAND閃存堆棧層數(shù)提升到64層，容量進一步提高,，成本也會進一步降低30%,。