本周宣布正式合并中國臺灣地區(qū)臺塑旗下存儲廠華亞科的美商存儲大廠美光 (Micron) 在 15 日表示,，由于該公司的 3D NAND 閃存產能日前正式超過 2D NAND 閃存。其中,，包括第 1 代 3D NAND 閃存的成本也符合預期，堆疊層數(shù)達到 64 層的第 2 代 3D NAND 閃存也在已經準備完成,，預計將在 2016 年底要正式大規(guī)模量產,。

根據(jù)外媒報導，美光公司財務長 Ernie Maddock 在 15 日參加巴克萊銀行全球技術,、媒體及通訊大會上表示,，該公司的 3D NAND 閃存產能與 2D NAND 閃存產能已經來到交叉點上。也就是說,，3D NAND 閃存的產能,，以容量計算，將要超過 2D NAND 閃存,。

此外,，Ernie Maddock 還表示，美光的第 1 代 3D NAND 閃存在降低生產成本上已經達到預期目標,。由于,，美光在 2016 年上半年的發(fā)展路線上曾指出，未來預計 3D NAND 閃存的成本,，將要比 2D NAND 降低至少 20% 左右,。如今，已經實現(xiàn)降低 20% 到 25% 的成本,。這樣的情況,，對于未來將開始在新加坡 Fab 10X 晶圓廠大規(guī)模量產來說，有著其正面的幫助,。

目前市場上許多固態(tài)硬盤 (SSD) 都已經轉向 3D NAND 閃存,。因為，不論是性能,，還是容量,，或者是使用壽命，3D NAND 閃存都要比傳統(tǒng) 2D NAND 閃存好得多,。而且,，廠商也會借此來降低生產成本，以提高產量,。就美光為例,，其所生產的 2D NAND 閃存,，主力是 16 納米制程的產品，MLC/TLC 閃存的核心容量不過 128Gb,。但是,，借由 3D NAND 技術的 MLC 閃存核心容量就有 256Gb，TLC 更是達到 384Gb,，大大優(yōu)于 2D NAND 閃存,。

事實上，在轉向 3D NAND 生產方面,，實力最強的仍以韓國三星領先,，東芝 (Toshiba)/ Sandisk 與 SK 海力士其次，英特爾 (Intel) 和美光的動作算是比較慢的了,。不過,，一旦 3D NAND 閃存開始量產，由于容量先天性的優(yōu)勢,，產能超過 2D NAND 閃存將是遲早的事,。