全球微機電系統(tǒng)（MEMS）產(chǎn)業(yè)蝕刻和沉積設備供應商Point 35 Microstructures公司,，今日在上海宣布推出汽相氧化物釋放蝕刻模塊，進一步擴展其微機電系統(tǒng)(MEMS) 單晶圓制造memsstar產(chǎn)品系列,。這項新增的技術將確保MEMS器件設計師得到更多的生產(chǎn)選擇,，同時帶來了寬泛的制造工藝窗口和各種工藝控制等等好處，從而使良率得到了最大的提升,。?

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SVR-vHF氧化物釋放模塊結合現(xiàn)有的memsstar SVR-Xe 犧牲性汽相釋放(SVR)模塊,，利用無水氫氟蒸汽(aHF)來去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機械結構,。?

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隨著memsstar系列中增添新型SVR-vHF模塊,，以及現(xiàn)有SVR-Xe模塊，可為器件設計師們提供了更大的自由度,，使其可以在特定的器件技術下選擇最優(yōu)的工藝集成方案,。在memsstar基于蒸汽的工藝流程里，在SVR工藝后緊隨著由等離子體實現(xiàn)的表面準備和沉積工藝 (SPD),，可保護器件完全不受黏附的影響,，從而增加了器件的功能良率。?

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這項新工藝在尺寸最高達200mm的晶圓上,，實現(xiàn)了無以倫比的蝕刻率和卓越的均勻度?，F(xiàn)可提供的配置涵蓋了手動裝載、單晶圓裝載鎖定,，一直到全流程完全自動化,、盒式裝載集群系統(tǒng)。?

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“MEMS技術日益增長的市場機會,，正在對制造商們提出更高的要求，以提供更加多樣化的器件,，同時提高生產(chǎn)能力,、質(zhì)量和性價比?！?/SPAN> Point 35 Microstructures的銷售總監(jiān)Tony McKie說：“汽相工藝對滿足這些需求起著至關重要的作用,，而且我們完備的SVR工藝組合支持氧化物和硅釋放技術,，這些將使設計師和制造商們充分認識到MEMS日益廣泛的應用中蘊藏的全部市場潛力?！?/SPAN>?

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與傳統(tǒng)的基于濕法化學的蝕刻工藝相比,，SVR蝕刻方法以可完全地去除犧牲材料而不損害機械結構或?qū)е吗じ蕉Q；它同時提供了高度的可選擇性,、可重復性和均勻性,。SVR保留有干燥的表面，沒有任何殘留物或水汽,，這也省去了包含在濕法工藝中的表面準備,、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟,。?

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SVR與CMOS工藝和CMOS晶圓設施是兼容的,，這使得MEMS器件可以像傳統(tǒng)的集成電路一樣在相同的設施和基板上進行生產(chǎn)，這也將適用于新類型的單片MEMS/CMOS 器件,。SVR進一步的好處包括減少材料的使用和更低的浪費,。?

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關于Point 35 Microstructures?

Point 35 Microstructures由四位經(jīng)驗豐富的半導體制造專家于2003年成立，以提供一流的全規(guī)格翻新半導體制造工藝設備和服務起家,，所提供的翻新后系統(tǒng)不僅具有性能保障,，而且還通過了最新的CE標準認證。該公司尤其擅長于應用材料公司,、Lam研究所和Novellus系統(tǒng)等廠商的設備,。?

Point 35 Microstructures于2004年推出了MEMS制造系統(tǒng)memsstar專有品牌。這些MEMS工藝設備和現(xiàn)場工藝集成專業(yè)知識確保了客戶可以成功地過渡到集成干法工藝,，并且能夠覆蓋從MEMS器件的研發(fā)到大批量制造等各階段,。?

2006年，國家微電子研究所授予該公司最具創(chuàng)新性公司稱號,。?