6月30日消息，據(jù)臺媒《工商時報》報道，為滿足客戶美國制造需求的增長，臺積電亞利桑那州廠建廠正在加速。據(jù)供應(yīng)鏈透露，規(guī)劃配置3nm先進制程的臺積電亞利桑那州二廠（P2）已經(jīng)完成建設(shè)，整體進度有所提前，臺積電正致力于依據(jù)客戶對AI相關(guān)的強勁需求加速量產(chǎn)進度，預(yù)計后續(xù)到量產(chǎn)的進度將壓縮在約兩年。

供應(yīng)鏈分析認(rèn)為，臺積電為回應(yīng)客戶需求及應(yīng)對美國政府關(guān)稅政策，臺積電亞利桑那州二廠的進度提前，機臺最快在明年9月就要Move-in，首批晶圓產(chǎn)出預(yù)計將在2027年。 通常晶圓廠蓋完廠后，內(nèi)部廠務(wù)還需要耗時約兩年進行調(diào)整配置，以晶圓廠建設(shè)速度來說，臺積電動作已非常快速。

供應(yīng)鏈表示，臺積電加快腳步，有利臺系廠務(wù)工程業(yè)者如漢唐、帆宣等業(yè)者，由于已經(jīng)累積建設(shè)一廠（P1）的學(xué)習(xí)經(jīng)驗，可望改善長期獲利。

供應(yīng)鏈業(yè)者也透露，為配合臺積電亞利桑那州二廠工程，特殊氣體、特殊化學(xué)品供應(yīng)商也將陸續(xù)接獲臺積電美國廠訂單。

不過，需要指出的是，由于臺積電亞利桑那州晶圓一廠、二廠都屬于是晶圓代工廠，并無配套的先進封裝廠，所以臺積電在美國晶圓廠生產(chǎn)的4nm、3nm芯片還需要運回到中國臺灣的先進封裝廠進行封裝。

盡管臺積電此前已經(jīng)宣布將在美國投資建設(shè)兩座先進封裝廠，但目前還需要時間進行相關(guān)評估，包括人力資源、工廠許可等繁雜的過程，預(yù)計亞利桑那州第一座先進封裝廠（AP1）最快也要在明年第三季度動土，并且會以SoIC（系統(tǒng)整合芯片）為主，也就是說，如果是CoWoS封裝，還是需要運回中國臺灣進行封裝。

臺積電此前在美國的650億美元的投資計劃包括三座晶圓廠，目前4nm的晶圓一廠已經(jīng)量產(chǎn)，3nm的晶圓二廠預(yù)計2027年量產(chǎn)，更先進的晶圓三廠將生產(chǎn)2nm或更先進的制程技術(shù)，預(yù)計將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年）間量產(chǎn)。而今年3月臺積電又宣布對美增加1000億美元投資，包含興建三座新晶圓廠、兩座先進封裝設(shè)施，以及一座研發(fā)中心。

總體來說，臺積電在美國的整體建廠計劃非常龐大，多數(shù)廠區(qū)無法在2029年前完全上線啟動生產(chǎn)。 建廠期間國際情勢與產(chǎn)業(yè)景氣度也會持續(xù)變化，預(yù)計后續(xù)進度可能還會有變化。另外，臺積電為反映美國建廠成本及強勁AI需求，臺積電明年將再上調(diào)先進制程晶圓代工價格3%~5%，而美國晶圓廠報價將上調(diào)超過10%。

從臺積電在中國臺灣的布局來看，今年新建9座新廠、11個生產(chǎn)線同時進行建設(shè)，尤其是即將上線之2nm及需求旺盛的先進封裝產(chǎn)能，同時都在進行。

相關(guān)業(yè)者透露，臺積電高雄2nm Fab 22 二廠將在2025年第三季裝機、緊接著三廠會在2026年第一季完工; 先進制程研發(fā)持續(xù)進行，按照廠房建造時程來看，都將率先在中國臺灣進行生產(chǎn)。