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解決方案

芯片里面有幾千萬(wàn)的晶體管是怎么實(shí)現(xiàn)的,？[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

1. 當(dāng)前CPU上的晶體管已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是千萬(wàn)級(jí)別的概念,，而是數(shù)個(gè)billion,。 2. 目前最先進(jìn)的制程工藝是Intel 剛剛公布的14nm工藝,，F(xiàn)in Pitch小于 50nm，可以說(shuō)是技術(shù)上的一個(gè)飛躍了,。關(guān)于所謂的14nm,，實(shí)際只能初略的反映工藝的一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，真正的溝道長(zhǎng)度要比14nm要長(zhǎng)一些,。

發(fā)表于：8/16/2016 8:50:00 PM

晶體管出現(xiàn)的意義[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

晶體管的出現(xiàn),，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。　　同電子管相比,，晶體管具有諸多優(yōu)越性：　?、倬w管的構(gòu)件是沒(méi)有消耗的,。無(wú)論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化,。由于技術(shù)上的原因,，晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍,，稱得起永久性器件的美名。

發(fā)表于：8/16/2016 8:44:00 PM

晶體管工作原理是什么?[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

利用半導(dǎo)體的特性,，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同,，你可以找機(jī)電方面的書看下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain),，G是柵極(Gate),。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制的“0”和“1”,。

發(fā)表于：8/16/2016 8:42:00 PM

晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來(lái)像老式的電子元件,，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問(wèn)題,。我們可以發(fā)現(xiàn)過(guò)去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用,，比如我們可以在某些情況下用多個(gè)并聯(lián)的小功率晶體管替代更大功率的晶體管(帶或不帶散熱器)，并從中收獲諸多好處,。

發(fā)表于：8/16/2016 8:35:00 PM

一個(gè)小型晶體管開關(guān)電路的應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

Q3是一個(gè)PNP型開關(guān),，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4，Q5是另一NPN型開關(guān),，與本文無(wú)關(guān),。　　實(shí)驗(yàn)是想研究Q3偏置電阻對(duì)Q4導(dǎo)通情況的影響。電路的設(shè)計(jì)需求是Q3導(dǎo)通Q4截止,，反之亦然,。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時(shí)，Q4也隨之導(dǎo)通,。這種情況在Q3負(fù)載電容R29固定時(shí),，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的。在PSpice中做個(gè)DC掃描,，R27從100k變化到10M,，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了，而且R29的電流不會(huì)降低太多,，也就是R29的分壓沒(méi)降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通,，此時(shí)Q3對(duì)R29分壓影響迅速降低，Q4開始保持R29的分壓,。這個(gè)電路的問(wèn)題在于Q3對(duì)Q4的開關(guān)界限不夠明顯,，在R27取值合適的情況下,，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒(méi)有問(wèn)題,，否則會(huì)導(dǎo)致之前所擔(dān)憂的情況,。

發(fā)表于：8/16/2016 8:30:00 PM

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用技巧[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉,，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),，例輸入阻抗高,，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等,，在我們的使用中也是屢見不鮮,。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.

發(fā)表于：8/16/2016 8:19:00 PM

激光技術(shù)用于可穿戴顯示器的薄膜晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

OFweek可穿戴設(shè)備網(wǎng)訊韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院(KAIST)材料科學(xué)與工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)研究小組采用無(wú)機(jī)激光剝離法開發(fā)了用于柔性顯示器有源矩陣背板的超薄透明氧化物薄膜晶體管(TFT),。

發(fā)表于：8/16/2016 8:14:00 PM

學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英,、陶瓷等絕緣體之間,，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率,。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的,。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數(shù)量,，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體,。

發(fā)表于：8/16/2016 10:14:00 AM

回顧晶體管歷史歲月[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管,。 1950年：威廉·邵克雷開發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor）,，這是現(xiàn)在通行的標(biāo)準(zhǔn)的晶體管。 1953年：第一個(gè)采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場(chǎng),，即助聽器,。

發(fā)表于：8/15/2016 7:31:00 PM

晶體管的分類及重要性[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

電力晶體管　　電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓,、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT,；其特性有：耐壓高,，電流大，開關(guān)特性好,，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，驅(qū)動(dòng)功率大,；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。

發(fā)表于：8/15/2016 7:29:00 PM