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解決方案

慣性MEMS 從提升生活品質(zhì)到拯救生命[嵌入式技術(shù)][醫(yī)療電子]

運(yùn)動(dòng)是生命中不可或缺的重要組成部分。能夠移動(dòng)的人似乎在一刻不停地運(yùn)動(dòng)著,，而不能移動(dòng)的人則可能需要借助某種形式的機(jī)械助力來幫助實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng),。因此，不難想象,，能夠測(cè)量這種運(yùn)動(dòng)的慣性傳感器在提供有關(guān)我們自身的有用信息方面具有重大價(jià)值,。如今的音頻（麥克風(fēng)）或光學(xué)（相機(jī)）傳感器就是這樣。

發(fā)表于：8/17/2016 4:45:00 PM

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，是一種單極型的電壓控制器件,，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿,、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn),。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置,，如應(yīng)用于DC/DC變換,、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備,、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏?、熱容量小,，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置,。

發(fā)表于：8/17/2016 4:24:00 PM

單結(jié)晶體管的工作原理與伏安特性電路圖[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性,，其工作原理和伏安特性見圖1-31。

發(fā)表于：8/17/2016 4:11:00 PM

光敏二極管和光敏晶體管結(jié)構(gòu)原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?光敏二極管的結(jié)構(gòu)與一般二極管相似,。它裝在透明玻璃外殼中, 其PN結(jié)裝在管的頂部, 可以直接受到光照射,。光敏二極管在電路中一般是處于反向工作狀態(tài)（見圖8-6所示）, 在沒有光照射時(shí), 反向電阻很大, 反向電流很小, 這反向電流稱為暗電流,。當(dāng)光照射在PN結(jié)上時(shí), 光子打在PN結(jié)附近, 使PN結(jié)附近產(chǎn)生光生電子和光生空穴對(duì)。它們?cè)赑N結(jié)處的內(nèi)電場(chǎng)作用下作定向運(yùn)動(dòng), 形成光電流,。光的照度越大, 光電流越大,。因此光敏二極管在不受光照射時(shí), 處于截止?fàn)顟B(tài), 受光照射時(shí), 處于導(dǎo)通狀態(tài)。

發(fā)表于：8/17/2016 4:03:00 PM

絕緣柵雙極晶體管原理,、特點(diǎn)及參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

絕緣柵雙極晶體管原理,、特點(diǎn)及參數(shù) 絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管,。

發(fā)表于：8/17/2016 3:49:00 PM

程控單結(jié)晶體管(PUT)應(yīng)用及原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

程控單結(jié)晶體管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又稱可編程單結(jié)晶體管或可調(diào)單結(jié)晶體管,，程控單結(jié)晶體管實(shí)質(zhì)上是一個(gè)N極門控晶閘管的功能,，但因它與單結(jié)晶體管的用途相近，故納入單結(jié)管之列,。它與單結(jié)晶體管也有重工區(qū)別,。單結(jié)管一經(jīng)制成，從外部就無法改變r(jià)B1,、rB2,、RBB、ηV,、IP,、IV等參數(shù)值，加之工藝的離散性導(dǎo)致同類單結(jié)管的ηV值總會(huì)存在一定的偏差,，這就給用記帶來不便,。程控單結(jié)晶體管圓滿解決了上述問題，它是用外部電阻R1,、R2取代內(nèi)基極電阻rB1,、rB2，只需改變二者的電阻比,，即可從外部調(diào)整其參數(shù)值,。正是由于PUT器件使用靈活，用途廣泛,，因此頗受使用者歡迎,。

發(fā)表于：8/17/2016 3:40:00 PM

“簡(jiǎn)潔至上”的晶體管甲類音頻功率放大器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　Hi－Fi界有一句至理名言，就是“簡(jiǎn)潔至上”,。這就是說,，假如能用一個(gè)元件或器件做成的電路，就盡量不用兩個(gè)。電子電路中常用的電子元件有電阻,、電容,、電感等，常用的電子器件有二極管,、三極管及集成電路等,。電阻、電容都屬于線性元件,，在放大電路中可以認(rèn)為不會(huì)因它們而產(chǎn)生非線性失真,。但是，目前用于放大的電子器件,，不論是電子管,、晶體管，還是集成電路,，統(tǒng)統(tǒng)都是非線性器件,，它們是放大電路中產(chǎn)生非線性失真的根源。因此,，在放大電路中應(yīng)盡量少用管子,。要做到這一點(diǎn)也并非容易，所以通常所見到的放大電路都比較復(fù)雜,。要想“簡(jiǎn)潔”,，必須解決兩個(gè)問題：一是放大倍數(shù)要足夠大，至少應(yīng)該在接CD機(jī)時(shí)能夠達(dá)到額定的輸出功率,；二是非線性失真要盡量小些,，在不加負(fù)反饋或只加少量的負(fù)反饋時(shí)，諧波失真系數(shù)能夠達(dá)到Hi－Fi要求,。

發(fā)表于：8/17/2016 3:18:00 PM

22納米3D晶體管技術(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破,，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn),。

發(fā)表于：8/17/2016 3:16:00 PM

5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重成本之高超乎想象[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米,，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)（DP）,。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí),，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí),，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸,，采用SADP、SAQP等,，所以未來到10納米甚至7納米時(shí),，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無懸念,，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加,。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好,，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)（FP）,，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。

發(fā)表于：8/16/2016 9:13:00 PM

基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì),，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞,。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門,。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾龋珻CM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半,，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上,。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案,。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被構(gòu)造成具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的安全GaN,，并且展示出性能方面的提升。

發(fā)表于：8/16/2016 8:59:00 PM