電力晶體管
電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓,、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）,，所以有時也稱為Power BJT；其特性有：耐壓高,，電流大，開關(guān)特性好,，但驅(qū)動電路復(fù)雜,，驅(qū)動功率大,；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的,。
光晶體管
光晶體管（phototransistor）由雙極型晶體管或場效應(yīng)晶體管等三端器件構(gòu)成的光電器件,。光在這類器件的有源區(qū)內(nèi)被吸收，產(chǎn)生光生載流子,，通過內(nèi)部電放大機(jī)構(gòu)，產(chǎn)生光電流增益,。光晶體管三端工作，故容易實現(xiàn)電控或電同步,。光晶體管所用材料通常是砷化鎵（CaAs）,，主要分為雙極型光晶體管,、場效應(yīng)光晶體管及其相關(guān)器件。雙極型光晶體管通常增益很高,，但速度不太快,，對于GaAs-GaAlAs，放大系數(shù)可大于1000,，響應(yīng)時間大于納秒,，常用于光探測器，也可用于光放大,。場效應(yīng)光晶體管響應(yīng)速度快（約為50皮秒），但缺點是光敏面積小,，增益小（放大系數(shù)可大于10）,，常用作極高速光探測器。與此相關(guān)還有許多其他平面型光電器件,，其特點均是速度快（響應(yīng)時間幾十皮秒）、適于集成,。這類器件可望在光電集成中得到應(yīng)用,。
雙極晶體管
雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管,。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型,。
雙極結(jié)型晶體管
雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管,，它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu),；外部引出三個極：集電極，發(fā)射極和基極,，集電極從集電區(qū)引出，發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出,，基極從基區(qū)引出（基區(qū)在中間）,；BJT有放大作用，重要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸?shù)竭_(dá)集電區(qū)而實現(xiàn)的,，為了保證這一傳輸過程,，一方面要滿足內(nèi)部條件,，即要求發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,，同時基區(qū)厚度要很小,，另一方面要滿足外部條件,，即發(fā)射結(jié)要正向偏置（加正向電壓）,、集電結(jié)要反偏置；BJT種類很多,，按照頻率分,，有高頻管，低頻管,，按照功率分,，有小,、中、大功率管,，按照半導(dǎo)體材料分,，有硅管和鍺管等；其構(gòu)成的放大電路形式有：共發(fā)射極,、共基極和共集電極放大電路,。
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（field effect transistor）利用場效應(yīng)原理工作的晶體管,。英文簡稱FET,。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層（溝道）中多數(shù)載流子的密度或類型,。它是由電壓調(diào)制溝道中的電流,，其工作電流是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子輸運。這類只有一種極性載流子參加導(dǎo)電的晶體管又稱單極型晶體管,。與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲小,、極限頻率高,、功耗小，制造工藝簡單,、溫度特性好等特點,，廣泛應(yīng)用于各種放大電路、數(shù)字電路和微波電路等,。以硅材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）和以砷化鎵材料為基礎(chǔ)的肖特基勢壘柵場效應(yīng)管（MESFET）是兩種最重要的場效應(yīng)晶體管,，分別為MOS大規(guī)模集成電路和MES超高速集成電路的基礎(chǔ)器件?！ ?/p>
靜電感應(yīng)晶體管
靜電感應(yīng)晶體管SIT（Static Induction Transistor）誕生于1970年,，實際上是一種結(jié)型場效應(yīng)晶體管。將用于信息處理的小功率SIT器件的橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),，即可制成大功率的SIT器件,。SIT是一種多子導(dǎo)電的器件，其工作頻率與電力MOSFET相當(dāng),，甚至超過電力MOSFET,，而功率容量也比電力MOSFET大，因而適用于高頻大功率場合,，目前已在雷達(dá)通信設(shè)備,、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應(yīng)加熱等某些專業(yè)領(lǐng)域獲得了較多的應(yīng)用。
但是SIT在柵極不加任何信號時是導(dǎo)通的,，柵極加負(fù)偏壓時關(guān)斷,，這被稱為正常導(dǎo)通型器件，使用不太方便,。此外,，SIT通態(tài)電阻較大，使得通態(tài)損耗也大,，因而SIT還未在大多數(shù)電力電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用,?！ ?/p>
單電子晶體管
用一個或者少量電子就能記錄信號的晶體管,。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)和工藝的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度越來越高,。以動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM） 為例,，它的集成度差不多以每兩年增加四倍的速度發(fā)展，預(yù)計單電子晶體管將是最終的目標(biāo),。目前一般的存儲器每個存儲元包含了20萬個電子,，而單電子晶體管每個存儲元只包含了一個或少量電子，因此它將大大降低功耗,，提高集成電路的集成度,。1989年斯各特（J.H. F.Scott-Thomas）等人在實驗上發(fā)現(xiàn)了庫侖阻塞現(xiàn)象。在調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)界面形成的二維電子氣上面,，制作一個面積很小的金屬電極,，使得在二維電子氣中形成一個量子點，它只能容納少量的電子,，也就是它的電容很小,，小于一個？F （10~15法拉）,。當(dāng)外加電壓時,，如果電壓變化引起量子點中電荷變化量不到一個電子的電荷，則將沒有電流通過,。直到電壓增大到能引起一個電子電荷的變化時,，才有電流通過。因此電流-電壓關(guān)系不是通常的直線關(guān)系,，而是臺階形的。這個實驗在歷史上第一次實現(xiàn)了用人工控制一個電子的運動,，為制造單電子晶體管提供了實驗依據(jù),。為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使量子點的尺寸小于10納米，目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題,。有些實驗室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管,，觀察到由電子輸運形成的臺階型電流——電壓曲線，但離實用還有相當(dāng)?shù)木嚯x,?！ ?/p>
絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性,，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛,；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極,?！?/p>
晶體管的重要性
晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，在重要性方面可以與印刷術(shù),，汽車和電話等的發(fā)明相提并論,。晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵主動（active）元件。晶體管在當(dāng)今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本,。
雖然數(shù)以百萬計的單體晶體管還在使用，絕大多數(shù)的晶體管是和二極管,，電阻器,，電容器一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一顆芯片上,。設(shè)計和開發(fā)一個復(fù)雜芯片的生產(chǎn)成本是相當(dāng)高的,，但是當(dāng)分?jǐn)偟酵ǔ０偃f個生產(chǎn)單位上，每個芯片的價格就是最小的,。一個邏輯門包含20個晶體管,，而2005年一個高級的微處理器使用的晶體管數(shù)量達(dá)2.89億個。
晶體管的成本,，靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件,，例如數(shù)字計算。在控制電器和機(jī)械方面,，晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備,，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機(jī)程序來完成同樣的機(jī)械任務(wù),，使用電子控制,，而不是設(shè)計一個等效的機(jī)械控制。
因為晶體管的低成本和后來的電子計算機(jī),，數(shù)字化信息的浪潮來到了,。由于計算機(jī)提供快速的查找,、分類和處理數(shù)字信息的能力，在信息數(shù)字化方面投入了越來越多的精力,。今天的許多媒體是通過電子形式發(fā)布的,，最終通過計算機(jī)轉(zhuǎn)化和呈現(xiàn)為模擬形式。受到數(shù)字化革命影響的領(lǐng)域包括電視,，廣播和報紙,。