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PCIe 6之后，敢問路在何方[測(cè)試測(cè)量][通信網(wǎng)絡(luò)]

　　PCIe Express® 物理層先從 Gen 4.0 飛速發(fā)展到了 Gen 5.0,，最后升級(jí)至 Gen 6.0,，且 6.0 規(guī)范包含了開發(fā)硅芯片所需的一切。數(shù)據(jù)傳輸速率從 16 Gt/s 提升到 32 GT/s,，Gen 6.0 更是增加到了 64 GT/s（每秒千兆傳輸速率）,。而且，首次采用了PAM4多級(jí)信號(hào)調(diào)制技術(shù),，允許我們?cè)趩蝹€(gè)單位時(shí)間內(nèi)編碼兩位信息,。借此，我們將 Gen 5.0 的數(shù)據(jù)傳輸速率增加了一倍,。

發(fā)表于：11/26/2023

智能斷路器開發(fā)首選SCR：超小尺寸，支持 750 V浪涌峰壓[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

　　X0115ML是ST為接地故障斷路器（GFCI）和電弧故障斷路器（AFCI）設(shè)計(jì)的首款斷態(tài)浪涌峰值電壓750 V的緊湊型可控硅整流器（SCR）,，SOT23-3L微型封裝（2.75 mm x 3.10 mm），可能是當(dāng)今市場(chǎng)上最小的晶閘管,，工程師可以節(jié)約很大的電路板空間,，同時(shí)讓工業(yè)應(yīng)用具有 600 V 的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。此外,，1.1 mm 的爬電距離滿足 UL 840規(guī)范的120 V AC無(wú)涂層絕緣要求,。

發(fā)表于：11/23/2023

以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口[EDA與制造][消費(fèi)電子]

　　持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大,，工藝窗口也變得越來越窄[1],。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)不足,，評(píng)估不同集成方案的工藝窗口會(huì)變得困難,。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評(píng)估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口,。

發(fā)表于：11/23/2023

學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：IC溫度傳感器[MEMS|傳感技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

　　本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是使用集成電路溫度傳感器測(cè)量環(huán)境溫度,，這些溫度傳感器提供與絕對(duì)溫度成比例的輸出（電流或電壓）。

發(fā)表于：11/23/2023

OptiFlash存儲(chǔ)器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對(duì)軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

在寫字樓,、工廠車間和汽車中,，軟件正逐步取代機(jī)械部件和固定電路。例如,，使用智能鎖取代機(jī)械鎖后,，用戶可以通過手機(jī)應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進(jìn)行控制，同時(shí)制造商可通過軟件更新,、改進(jìn)或校正智能鎖的功能,。在這種趨勢(shì)下，人們對(duì)存儲(chǔ)器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視,。

發(fā)表于：11/23/2023

FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究[測(cè)試測(cè)量][醫(yī)療電子]

　　由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本,、迅速反應(yīng)、檢測(cè)準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn),，對(duì)于此類傳感器的研究和開發(fā)進(jìn)行了大量投入,。特別是基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的生物傳感器或生物場(chǎng)效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究,，即時(shí)診斷，環(huán)境應(yīng)用,，以及食品安全,。

發(fā)表于：11/22/2023

77GHz 毫米波雷達(dá)傳感器如何應(yīng)對(duì)腳踢開啟系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)[MEMS|傳感技術(shù)][汽車電子]

　　本文將帶領(lǐng)大家深入了解雷達(dá)技術(shù)如何提供比其他傳感器更可靠的解決方案。

發(fā)表于：11/22/2023

如何利用電壓輸入到輸出控制自動(dòng)優(yōu)化LDO穩(wěn)壓器的效率[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

　　低壓差（LDO）穩(wěn)壓器是為噪聲敏感設(shè)備供電的可靠工具,。除了提供直接電源軌外,，LDO穩(wěn)壓器還能對(duì)其他電源進(jìn)行后置調(diào)節(jié)。來自開關(guān)轉(zhuǎn)換器的噪聲會(huì)滲透到許多設(shè)計(jì)中,，通常需要下游LDO穩(wěn)壓器來消除噪聲,。LDO穩(wěn)壓器雖然有效，但其功耗可能對(duì)系統(tǒng)效率產(chǎn)生負(fù)面影響,。專門設(shè)計(jì)的電壓輸入到輸出控制（VIOC）引腳可通過單一連接降低功耗并提高效率,。VIOC引入了對(duì)開關(guān)轉(zhuǎn)換器的自動(dòng)控制，可使系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)出色效率,。本文重點(diǎn)介紹一款超低噪聲LDO穩(wěn)壓器,，其性能優(yōu)于無(wú)VIOC的LDO穩(wěn)壓器。

發(fā)表于：11/21/2023

NFC無(wú)線充電[微波|射頻][消費(fèi)電子]

　　近場(chǎng)通信（NFC）和無(wú)線充電兩項(xiàng)技術(shù)可以改變我們使用設(shè)備的方式,。NFC可以讓兩個(gè)設(shè)備在相互靠近時(shí)互聯(lián)通信,，而無(wú)線充電可以讓設(shè)備通過電感方式充電，從而徹底擺脫線纜的束縛和羈絆,。近年來,，市場(chǎng)對(duì)整合這兩項(xiàng)技術(shù)之長(zhǎng)的NFC無(wú)線充電的關(guān)注度越來越高。在這篇文章中,，我們將探討NFC無(wú)線充電技術(shù)及其潛在應(yīng)用,。

發(fā)表于：11/21/2023

低功耗毫米波雷達(dá)在泊車輔助應(yīng)用中優(yōu)于超聲波的原因[微波|射頻][汽車電子]

德州儀器的AWRL1432毫米波雷達(dá)傳感器集成了模擬前端與數(shù)字處理后端，可在具有成本效益的控制器局域網(wǎng)靈活數(shù)據(jù)速率通道上傳輸處理后的輸出數(shù)據(jù),，以便中央ECU做出決策,。

發(fā)表于：11/17/2023

MIKROE推出新開源軟硬件解決方案[嵌入式技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

MikroElektronika(MIKROE) ，作為一家通過提供基于成熟標(biāo)準(zhǔn)的創(chuàng)新式硬軟件產(chǎn)品來大幅縮短開發(fā)時(shí)間的嵌入式解決方案公司,，今天宣布推出一款基于單線設(shè)備的軟硬件開源解決方案ClickID,，允許Click?板或任何其他mikroBUS?熱插拔到運(yùn)行嵌入式Linux或類似操作系統(tǒng)的開發(fā)環(huán)境中。

發(fā)表于：11/16/2023

利用USB-C實(shí)現(xiàn)并聯(lián)電池充電如何幫助提升用戶體驗(yàn)[電源技術(shù)][消費(fèi)電子]

　　USB-C端口比之前的USB端口更加靈活，逐漸成為消費(fèi)電子設(shè)備的標(biāo)配,。在這些設(shè)備中,，更大功率和更長(zhǎng)壽命的設(shè)備越來越受歡迎。因此,，以更高的功率水平為這些設(shè)備充電的需求也隨之增長(zhǎng),。本文將介紹并聯(lián)電池充電架構(gòu)的基礎(chǔ)知識(shí)和用例，以及將USB-C集成到這些用例中的實(shí)際效果,。此外,，本文還會(huì)介紹并聯(lián)電池充電和USB-C在消費(fèi)市場(chǎng)的應(yīng)用情況以及優(yōu)缺點(diǎn)。

發(fā)表于：11/16/2023

大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于聯(lián)發(fā)科技產(chǎn)品的雙屏異顯數(shù)字顯示方案[人工智能][物聯(lián)網(wǎng)]

　　2023年11月15日,，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,，其旗下品佳推出基于聯(lián)發(fā)科技（MediaTek）Genio 700開發(fā)板的雙屏異顯數(shù)字顯示方案。

發(fā)表于：11/16/2023

泛林集團(tuán)如何助力觸覺技術(shù)的實(shí)現(xiàn)[電子元件][消費(fèi)電子]

　　制造微型觸覺器件需要許多與制造集成電路相同的基礎(chǔ)工藝,，包括沉積,、刻蝕、清洗等,，但不需要制造納米級(jí)結(jié)構(gòu),。泛林集團(tuán)Reliant® Systems部門致力于改善和擴(kuò)展相關(guān)技術(shù)，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新,，進(jìn)而助力觸覺技術(shù)等的應(yīng)用,。

發(fā)表于：11/16/2023

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

　　假晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω,。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行,。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確,，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀,。本文探討耗盡型pHEMT射頻（RF）放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）需要負(fù)柵極電壓,，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序,。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響,。

發(fā)表于：11/16/2023