微波射頻相關(guān)文章 MOSFET柵漏電流噪聲模型研究 基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng),，總結(jié)了柵漏電 流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型,，并對(duì)各種模型的特性和局限性進(jìn)行了分析,。 發(fā)表于：1/6/2010 光電式電流互感器原理及應(yīng)用 光電式電流互感器原理及應(yīng)用。 發(fā)表于：1/6/2010 Vishay Siliconix最新推出的12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET提供了業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK® SC-75封裝,，占位面積為1.6mm x 1.6mm,，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/5/2010 第十屆高交會(huì)電子展現(xiàn)場(chǎng)采訪TDK中國本部董事中尾禮次 在第十屆高交會(huì)電子展的TDK展示區(qū),，《電子技術(shù)應(yīng)用》記者采訪了TDK中國本部董事,、副總經(jīng)理中尾禮次。中尾禮次先生就展會(huì)效果,、TDK目前發(fā)展?fàn)顩r,，主要展示產(chǎn)品回答了記者的提問。 發(fā)表于：10/15/2008 SiRF遭遇侵權(quán)官司，采用其GPS芯片的產(chǎn)品不能出口美國了,？ SiRF遭遇侵權(quán)官司,，采用其GPS芯片的產(chǎn)品不能出口美國了,？ 發(fā)表于：9/2/2008 德州儀器高度集成2.4GHz RF前端將低功耗無線系統(tǒng)覆蓋范 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向低功耗與低電壓無線應(yīng)用推出業(yè)界集成度最高的 2.4GHz 射頻 (RF) 前端 CC2591,。該產(chǎn)品集成了可將輸出功率提高 ＋22 dBm 的功率放大器以及可將接收機(jī)靈敏度提高 ＋6 dB 的低噪聲放大器,，從而能夠顯著增加無線系統(tǒng)的覆蓋范圍。 發(fā)表于：8/5/2008 SiGe技術(shù)提高無線前端性能 這篇應(yīng)用筆記描述了硅鍺技術(shù)是如何提高RF應(yīng)用中IC性能的,。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響,。SiGe技術(shù)顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe技術(shù)在線性度方面的影響還在研究中,。 發(fā)表于：5/19/2006 430MHz/144MHz廉價(jià)同軸高增益天線 UV波段由于通信話音質(zhì)量好,、干擾小,，器材易得，是廣大HAM常用的理想近距離通信波段,。但由于頻率較高,，傳播特性為視距傳播，通信距離較近,。如何提高它的通信效果,，是每個(gè)HAM所不斷追求的。 發(fā)表于：4/27/2006 無線電臺(tái)站類別表 無線電臺(tái)站類別表 發(fā)表于：4/16/2006 關(guān)于VHF和UHF信號(hào)的遠(yuǎn)距離傳播 30MHZ以下的短波段（HF段）無線電信號(hào)是依靠電離層的反射進(jìn)行遠(yuǎn)距離的傳播,，傳播的距離可以由數(shù)百公里至上萬公里,，由于電離層本身的特殊性，正常情況下電離層對(duì)高于40MHZ的無線電信號(hào)的反射是很微弱的,，絕大部分信號(hào)會(huì)穿透電離層射入太空,。所以通常情況下，40MHZ以上的無線電信號(hào)基本上都是沿直線方式傳播,，傳播的距離一般在一,、二百公里以內(nèi)，也就是我們常說的在“視距”范圍內(nèi)傳播,。 發(fā)表于：4/14/2006 ?…166167168169170171172173174175?
