Vishay幫助客戶(hù)進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶(hù)了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿(mǎn)足特定用戶(hù)的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Strip®分流電阻的流媒體視頻。

發(fā)表于：5/6/2010

Vishay Siliconix發(fā)布首款采用PowerPAK 1212-8封裝的30V P溝道TrenchFET功率MOSFET

在緊湊的3.3mmx3.3mm占位面積內(nèi)，該器件具有業(yè)內(nèi)同類(lèi)30V MOSFET中最低的導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為7mΩ和11mΩ

發(fā)表于：5/5/2010

IDT 推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅 CMOS振蕩器

致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級(jí)性能的公司。這些集成電路滿(mǎn)足小型化要求，在消費(fèi)、計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用中無(wú)需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見(jiàn)串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產(chǎn)品提供的晶圓形式實(shí)現(xiàn)了板上芯片（CoB）和多芯片模塊（MCM）組裝設(shè)計(jì)，有效節(jié)省了空間。

發(fā)表于：5/4/2010

恒憶下一代存儲(chǔ)助力醫(yī)療電子設(shè)計(jì)

在日前舉辦的第三屆中國(guó)國(guó)際醫(yī)療電子技術(shù)大會(huì)（CMET2010）上，恒憶嵌入式系統(tǒng)事業(yè)部亞洲市場(chǎng)部業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理祁峰為我們帶來(lái)了醫(yī)療應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)閃存的要求以及恒憶存儲(chǔ)器技術(shù)的介紹。

發(fā)表于：4/29/2010

Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿(mǎn)足宇航級(jí)應(yīng)用T”-level要求

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 4 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿(mǎn)足MIL-PRF-55365為宇航級(jí)應(yīng)用制定的“T”-level要求。

發(fā)表于：4/29/2010

HDbaseT技術(shù)解析

以色列初創(chuàng)無(wú)晶圓半導(dǎo)體廠商Valens開(kāi)發(fā)的HDbaseT技術(shù)將解決HDMI面臨的這些困難。據(jù)Valens亞洲區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)Marvin介紹，HDbaseT支持最高20Gbps的傳輸速率，能更好的支持未來(lái)的3D和2K×4K視頻格式，傳輸采用普通的CAT5e/6網(wǎng)絡(luò)線纜，連接器也采用普通的RJ45接頭，而傳輸距離達(dá)到了100米，此外，還提供以USB、太網(wǎng)功能、100W的供電能力（PoC）和其他控制信號(hào)通道。

發(fā)表于：4/28/2010

SAFC HITECH® 任命 PHILIP ROSE 為新總裁；看到電子行業(yè)的巨大機(jī)會(huì)

Sigma-Aldrich® Group成員企業(yè) SAFC® 旗下業(yè)務(wù)部門(mén) SAFC Hitech® 今天宣布任命 Philip Rose 為公司新總裁，接替2010年4月1日退休的 Barry Leese 的工作。Philip Rose在羅門(mén)哈斯 (Rohm & Haas)（于2009年被陶氏化學(xué) (Dow Chemical) 收購(gòu)）工作了20年之后， 加盟了 SAFC Hitech，他將在 SAFC Hitech位于馬薩諸塞州黑弗里耳的部門(mén)辦公。在任職于羅門(mén)哈斯期間，他在美國(guó)、韓國(guó)和日本的研發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)、運(yùn)營(yíng)和業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域擔(dān)任過(guò)多項(xiàng)高級(jí)職務(wù)。

發(fā)表于：4/26/2010

安森美半導(dǎo)體推出新的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)多工器產(chǎn)品，優(yōu)化實(shí)現(xiàn)高速、低功耗設(shè)計(jì)

應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)進(jìn)一步擴(kuò)充多工器產(chǎn)品陣容，新推出NB6VQ572M、NB6LQ572、NB7L572、NB6L572M、NB7LQ572、NB6LQ572M、NB7VQ58M和NB7V58M 多工/扇出器件，可在高輸入速率/時(shí)鐘頻率下工作。這些新器件均適用于SONET、千兆以太網(wǎng)、光纖通道、背板及其他時(shí)鐘/數(shù)據(jù)分配應(yīng)用。

發(fā)表于：4/26/2010

Vishay推出其最小的IHLP®器件

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 4 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP®小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。

發(fā)表于：4/22/2010

在傳感器近端量化熱電偶輸出

本應(yīng)用筆記介紹了熱電耦定義，并解釋了它的歷史來(lái)源。本文介紹的電路在靠近溫度傳感器的位置對(duì)熱電偶輸出進(jìn)行數(shù)字轉(zhuǎn)換，與在數(shù)字化之前使弱信號(hào)通過(guò)長(zhǎng)電纜傳輸?shù)姆桨赶啾龋摲桨改軌驅(qū)⒃肼暯抵磷畹汀?/a>

電容觸控面板大缺貨

業(yè)內(nèi)人士表示，電容式觸控面板因iPhone而興起，并已成為智能型手機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)配備，不論是蘋(píng)果、諾基亞、三星與宏達(dá)電等所有手機(jī)大廠，均全面搶進(jìn)，不過(guò)，電容式觸控面板的產(chǎn)能卻嚴(yán)重不足。

發(fā)表于：4/15/2010

對(duì)各類(lèi)電子元器件價(jià)格走勢(shì)的最新分析

去年的這個(gè)時(shí)候，供貨商們還在為生存而掙扎。如今，2009年的年報(bào)已經(jīng)公布，許多供應(yīng)商的年報(bào)業(yè)績(jī)之好，就連最樂(lè)觀的分析師也始料未及。這種變化的原因很簡(jiǎn)單：供應(yīng)商們大幅削減成本，接下來(lái)是強(qiáng)勁的需求，這又導(dǎo)致了隨后高企的設(shè)備利用率。

發(fā)表于：4/15/2010

Power Integrations新推出的CAPZero? IC可自動(dòng)對(duì)X電容進(jìn)行安全放電，從而消除電源EMI濾波電路中的損耗

X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過(guò)濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長(zhǎng)時(shí)間貯存高壓電能，因此會(huì)構(gòu)成安全威脅。電阻通常用于對(duì)這些電容進(jìn)行放電，以便滿(mǎn)足安全要求；但這些電阻會(huì)在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機(jī)輸入功耗的重要因素。

發(fā)表于：4/15/2010

Vishay推出適用在極端惡劣環(huán)境下的新款薄膜貼片電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。

發(fā)表于：4/15/2010

Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本

通過(guò)CECC認(rèn)證并符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)；具有0402至1206外形尺寸；最高薄膜溫度達(dá)+175℃，功率等級(jí)高達(dá)400mW；具有低至±15 ppm/K的TCR和±0.1%的容差

發(fā)表于：4/12/2010