微波射頻相關(guān)文章 機臺遞延交貨 DRAM大廠40奈米戰(zhàn)局延后 全球DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故,，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12吋晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45奈米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季,，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月,，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進63奈米制程作為應變,。DRAM業(yè)者皆認為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40奈米正式對決時間點,，會是在2011年,！ 發(fā)表于：5/12/2010 ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺儀支持惡劣工業(yè)環(huán)境的應用 ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是極其穩(wěn)定、抗振動,、低功耗的MEMS陀螺儀,，具有0.03°/sec/g的線性加速度靈敏度，功耗僅為6mA,。 發(fā)表于：5/12/2010 Spansion完成破產(chǎn)法第十一章重整，成功脫離破產(chǎn)保護 2009年3月1日,，Spansion申請第11章破產(chǎn)保護。2009年10月26日,，公司第一次提交重組計劃,，其修訂后的披露聲明于2009年12月22日獲得美國破產(chǎn)法院批準。2010年4月16日,，Spansion重組計劃獲得美國破產(chǎn)法院認可并于2010年5月10日正式脫離第11章,。隨著Spansion成功脫離第11章，Spansion以往的普通股將被取消,，不再交易,。一些破產(chǎn)前的債權(quán)和其他行政事項將繼續(xù)進行直到最終解決。從今日起,，Spansion將不再受美國特拉華州地區(qū)破產(chǎn)法庭管轄,。 發(fā)表于：5/12/2010 iSuppli預測2010年NOR Flash市場收益將止跌回升 據(jù)iSuppli預估，由于受到整體經(jīng)濟環(huán)境好轉(zhuǎn)和需求回升的鼓舞，NOR Flash閃存市場的整體收益會在2010年止跌回升,。 發(fā)表于：5/12/2010 可管理的存儲器：為存儲器系統(tǒng)增加智能的途徑 選用可管理的非易失性存儲器解決方案具有明顯優(yōu)勢和直接效果,，體現(xiàn)在：NAND閃存技術(shù)變化不影響整個系統(tǒng)；閃存廠商獨立共存,；移植性,；互操作性；存儲控制器上軟件負荷降低,；可擴展性,。 發(fā)表于：5/11/2010 NOR Flash持續(xù)缺貨 宜揚4月營收受惠 NOR Flash缺貨熱浪從年初至今都尚未退燒，相關(guān)業(yè)者4月營收相對出色,！旺宏自結(jié)營收為新臺幣22.94億元,，較上月小幅增加2.1%，華邦4月營收則為34.61億元,，較上月成長10.22%,，其中宜揚則以黑馬之姿竄出，4月營收較上月成長37%,，達5.99億元,，主要就是受惠NOR Flash和MCP缺貨漲價之賜。 發(fā)表于：5/11/2010 三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān) 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中,，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%,，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%,，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元,，較上季39.1億元成長11.6%。 發(fā)表于：5/11/2010 美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND,、NOR三大技術(shù) 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序,。依據(jù)協(xié)議,，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體,、私募股權(quán)基金Francisco Partners),。 發(fā)表于：5/11/2010 下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起 國際大廠攻勢凌厲 近期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱,，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC,、消費性電子和通訊市場使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程,，容量達128Mb,，隨著國際大廠接連發(fā)動攻勢，讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場一夕之間熱了起來,！ 發(fā)表于：5/11/2010 為存儲器測試開發(fā)低成本的解決方案 本文將探討存儲器測試解決方案的開發(fā)以及驗證功能和物理連接所需的測試設(shè)備功能,。并分析除了滿足存儲器基本功能測試之外，如何擴展測試能力,。 發(fā)表于：5/11/2010 德州儀器最新DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET 隨著許多標準架構(gòu)(PCI,、ATCA)，電信及服務器機柜的尺寸越來越小,，功率密度會越來越大,。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來越多,，從而導致其電流不斷增加,。所以，客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源,，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求,。TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流,，可充分滿足客戶需求,。 發(fā)表于：5/10/2010 英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8無管腳SMD封裝,，旨在實現(xiàn)更高功率密度解決方案 2010年5月10日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8,。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米）,，高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感,，使設(shè)計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸,。 發(fā)表于：5/10/2010 加強布局新興市場 益登科技擴增國內(nèi)及東南亞營銷據(jù)點 專業(yè)電子元器件代理商益登科技（TSE:3048）今日宣布，為了提供新興市場更實時而完整的服務,，該公司近期相繼于西安,、成都、青島以及印度設(shè)立營運處,，重點覆蓋當?shù)貥I(yè)務,，并輻射周邊市場,，在國內(nèi)及東南亞地區(qū)構(gòu)建更綿密的分銷格局。 發(fā)表于：5/10/2010 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9% 根據(jù)集邦科技公布價格,，DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后,，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與14%；DDR２合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后,，在2010年第一季淡季不淡,，合約季均價續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價持平,，持續(xù)維持在高檔價格,。 發(fā)表于：5/7/2010 Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進性 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求,，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Strip®分流電阻的流媒體視頻,。 發(fā)表于：5/6/2010 ?…165166167168169170171172173174…?
